一種用于三維印刷機的可移動構建盒包括構建盒托盤，該托盤限定了用于零件裝配的構建室和用于將粉末材料供應給構建室的材料進料室。構建室和進料室具有較低的活塞止桿。構建室活塞與構建室配合，并且在最低位置與構建室活塞止桿配合。進料室活塞與進料室配合，并且在最低位置與進料室活塞止桿配合。快速連接聯接器在構建室活塞與構建室ｚ軸致動器之間，該致動器用于在與構建室活塞連接時移動該構建室活塞。快速連接聯接器在進料室活塞和進料室ｚ軸致動器之間，該致動器用于在與進料室活塞連接時移動該進料室活塞。構建盒托盤容易從該三維印刷機上拆除。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及用于制造微電子器件(例如用于微電機系統(MEMS)的微電子 器件)的新光刻膠。現有技術說明硅蝕刻工藝中常在硅基材上使用薄(100-300納米)氮化硅或二氧化硅涂層 作為圖案化蝕刻的掩模或者作為鈍化層以密封活性電路。在現有技術中，已經 主要通過使用試差法對用于MEMS制造過程的蝕刻保護涂層或掩模進行了選 擇，原因是市場上沒有通用的保護涂層。MEMS工藝師常使用蝕刻劑對各種材 料的蝕刻選擇性作為指導。氮化硅膜的蝕刻速率比硅低得多，所以已經使用氮 化硅膜作為KOH或TMAH體相硅蝕刻的保護層或硬掩模。二氧化硅的蝕刻速 率大于氮化硅。因此，二氧化硅僅用作非常短時間蝕刻的保護/掩模層。根據報 道，還已經在一些情況中使用金(Au)、鉻(Cr)和硼(B)。己經使用未圖案化的過 度烘焙的(hani-baked)光刻膠作為掩模，但是它們容易在堿性溶液中發生蝕刻。 還對聚甲基丙烯酸甲酯作為KOH的蝕刻掩模進行了評價。但是，由于酯基團 的皂化，發現這種聚合物的掩蔽時間從6(TC時的165分鐘急劇減少至9(TC時的 15分鐘。不考慮所選的保護涂層或掩模，必須將待圖案化的光刻膠層施用于保護涂 層或掩模，從而可以將圖案轉移至下面的基材。但是這只能在己經施用了保護 涂層或掩模之后進行，因此需要時間和成本來施用保護涂層或掩模，并且之后 蝕刻這種保護涂層或掩模，這種保護涂層或掩模非常難以去除。專利技術概述本專利技術通過提供旋轉施用的光敏涂層體系代替現有技術的掩模或保護涂 層，并且該體系中不需要額外的光刻膠，從而克服了這些問題。本專利技術體系保 護器件元件以免在使用濃堿水溶液的深度蝕刻過程期間發生腐蝕或其它形式ii的侵蝕。本專利技術提供適合作為保護層的光敏組合物。該組合物包含第一聚合物、第二聚合物以及光生酸劑(photoacid generator)在溶劑體系中的摻混物。第一聚合 物包含含苯乙烯的單體和含丙烯腈的單體，而第二聚合物包含含環氧的單體。在一種實施方式中，第二聚合物還包含含酚類的單體，該酚類基團可以與 環氧基團在同一單體上、可以與環氧基團在不同的單體上、或者可以是兩者的 混合物。本專利技術還提供結合打底層(primer layer)使用這些光敏組合物從而形成 微電子結構的方法。附圖簡要說明 附圖說明圖1是依據本專利技術的前體結構的截面側視圖；以及 圖2是圖l所示前體結構的平面圖。本專利技術優選實施方式的詳述 更具體地說，這些系統優選包括施用于微電子基材表面的打底層，以及施 用于打底層的光敏層。打底層優選的打底層由打底層組合物形成，該組合物包含分散或溶解在溶劑體系 中的硅烷。芳香族和有機硅烷是用于本專利技術打底層的特別優選的硅烷。而且， 優選該硅烷的每個化合物分子或者每個聚合物重復單元包含至少一個(更優選 2_3個)能與環氧基團反應形成共價鍵使得與硅基材的粘著非常強的基團。 一種 優選的此類基團是胺基團。優選的硅垸包括氨基垸氧基硅烷，優選是大致Q至Q烷氧基，較優選是 大致Q至C4烷氧基，更優選是大致Q至C3垸氧基。更優選該氨基垸氧基硅 垸是氨基垸基垸氧基硅烷，優選是大致Q至C8烷基，較優選是大致Q至C4 烷基，更優選是大致Q至C3烷基。還優選苯基氨基烷基烷氧基硅垸。上述的 一些例子包括氨基丙基三甲氧基硅垸，氨基丙基三乙氧基硅烷，N-苯基氨基丙 基三甲氧基硅垸，N-苯基氨基丙基三乙氧基硅垸，3-環氧丙氧基丙基三甲氧基 硅烷，2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基硅烷，以及3-巰基丙基-三甲氧基硅垸。其它優選的硅垸包括苯基硅烷，例如苯基三甲氧基硅烷，苯基三氯硅烷，苯基三乙氧基硅垸，苯基三乙酰氧基硅垸；二苯基硅垸，例如二苯基二甲氧基 硅烷，二苯基二氯硅烷；以及二苯基硅烷二醇。最優選的硅烷包括2-苯基乙基 三垸氧基硅烷，對/間-氯苯基三甲氧基硅垸，對/間-溴苯基三甲氧基硅烷，(對/ 間-氯甲基)苯基三甲氧基硅烷，2-(對/間-甲氧基)苯基乙基三甲氧基硅垸，2-(對 /間-氯甲基)苯基乙基三甲氧基硅垸，3,4-二氯苯基三氯硅烷，3-苯氧基丙基三氯 硅烷，3-(N-苯基氨基)丙基三甲氧基硅垸，以及2-(二苯基膦基)乙基三乙氧基硅 院。一些優選用于本專利技術的硅烷還可以通過以下通式表示<formula>formula see original document page 13</formula>其中各i、 j和k獨立地選自0和1，如果i和j中一個是l，則另一個是0;各W獨立地選自氫、鹵素、CrC8(優選C廣C4)垸基、Q-C8(優選CVC4)烷 氧基、CVC8(優選d-C4)鹵代烷基、氨基和Q-C8(優選CVC4)垸基氨基； 各RS獨立地選自d-C8(優選Q-C4)脂族基團；各RS獨立地選自氫和鹵代烷基(優選CrC8，更優選CrC4); 各X獨立地選自鹵素、羥基、CVC4垸氧基和CVC4羧基； Y選自氧和硫； Z選自氮和磷；各d獨立地選自0和1。根據本專利技術一種有效的打底層組合物是二苯基二烷氧基硅烷(例如二苯基 二甲氧基硅烷)和苯基三烷氧基硅烷(例如苯基三甲氧基硅烷)的混合物，或者甚至更優選是二苯基硅垸二醇和苯基三甲氧基硅垸在l-甲氧基-2-丙醇或1-丙氧 基_2_丙醇與約10-60重量％水的溶液中的混合物。對于包含聚(苯乙烯-共聚-丙 烯腈)聚合物的光敏層，特別有效的打底層組合物是包含約0.1-1.0重量％(優選 約0.25-0.5重量％)二苯基硅烷二醇和約0.1-1.0重量％(優選約0.25-0.5重量％) 苯基三甲氧基硅烷的醇水溶液。加熱時，二苯基硅垸二醇和苯基硅垸三醇(苯基 三甲氧基硅烷的水解產物)縮合形成硅氧烷鍵，在基材上構建起三維硅酮涂層。 另一種優選的硅垸具有以下通式其中各W獨立地選自氫、鹵素、C!-C8(優選d-C4)垸基、Q-Cs(優選CrQ)垸 氧基、CVC8(優選CrC4)鹵代烷基、氨基、以及Q-C8(優選d-C4)垸基氨基；各RS獨立地選自Q-C8(優選d-C4)脂族基團。具有這種結構的硅垸不僅能與含苯乙烯的共聚物相容，而且也能與酯、芐 基氯和/或環氧基團反應，它們是優異的粘著促進劑。該通式范圍內的一種特別 優選的硅烷是該硅烷是3-丙基三甲氧基硅垸(如上所述)，可以從蘭開斯特合成 和吉樂斯特公司(Lancaster Synthesis and Gelest Corporation)購得。打底層組合物中，以打底層組合物中固體總重量為100重量％的基準計， 該硅垸的含量應約為0.1-3重量％，優選約為0.2-2重量％，更優選約為0.5-1重量％。打底層組合物中使用的溶劑體系的沸點應當約為100-220°C，優選約為 140-180°C。以打底層組合物的總重量為100重量％的基準計，所用溶劑體系的含量應當約為30-99.9重量％，優選約為40-80重量％。優選的溶劑體系包含選 自以下的溶劑甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、l-甲氧基-2-丙醇、乙二醇單甲醚、 丙二醇丙醚、l-丙氧基-2-丙醇，以及它們的混合物。在一個優選的實施方式中， 以打底層組合物的總重量為100重量％的基準計，溶劑體系中的含水量約為 20-60重量％，優選約為40-60重量％。打底層組合物還可包含催化劑。合適的催化劑包括任何無機或有機酸(例如本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種可用作保護層的光敏組合物，所述組合物包含溶解或分散在溶劑體系中的第一聚合物、第二聚合物、以及光生酸劑，其中： 所述第一聚合物包含： ＊＊＊ 其中： 各Ｒ↑［１］獨立地選自氫和Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基； 各 Ｒ↑［２］獨立地選自氫、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基、以及Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷氧基； 所述第二聚合物包含含環氧基團的重復單體。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：X鐘，TD弗萊，J馬爾霍特拉，
申請(專利權)人：布魯爾科技公司，
類型：發明
國別省市：US[]
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