半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

從晶片加工用膠帶良好地剝離半導體芯片，提高了拾取成功率。制造方法具有以下工序：在半導體晶片（13）上貼附晶片加工用膠帶（10）后，將半導體晶片（13）切割為多個半導體芯片（11）；以及從晶片加工用膠帶（10）拾取貼附于晶片加工用膠帶（10）的半導體芯片（11），對于切割槽（M）的包圍作為剝離對象的半導體芯片（11）的區域，在從晶片加工用膠帶（10）的背面側按壓其整體或一部分后，從晶片加工用膠帶（10）拾取半導體芯片（11）。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及用于實現從切割時所保持的晶片加工用膠帶良好地拾取半導體芯片的。
技術介紹
在IC等半導體裝置的制造工序中，在形成有電路圖案的半導體晶片的反面貼附了具有粘合性和伸縮性的半導體加工用膠帶后，實施將半導體晶片切斷(切割)為芯片單位的工序、和拾取(pick up)切斷后的芯片的工序，進而實施將所拾取的芯片粘接到引線框或封裝基板等，或者在堆疊封裝中將半導體芯片彼此層疊、粘接的芯片粘貼(裝配)工序。 作為在上述半導體裝置的制造工序中使用的晶片加工用膠帶，使用了層疊有粘合膠帶和包含環氧樹脂成分的熱固化性的粘接劑層的切割晶片接合膜(dicing-die bondingfilm)。上述粘合膠帶用于固定晶片，使得在切割半導體晶片的工序中被切斷的芯片不會飛散，因此該粘合膠帶具有固定晶片的高粘合力，但是在對一個個芯片進行拾取的工序中，必須從該粘合膠帶剝離附著有粘接劑層的芯片。因此，以往在使晶片加工用膠帶在晶片的徑向和周向拉伸的狀態下用擴展環保持晶片的周圍，對于希望在上述狀態下拾取的芯片，在利用吸附工作臺吸附粘合膠帶的背面的同時用可升降的銷向上頂，從而使粘合膠帶與粘接劑層之間剝離而進行芯片的拾取(例如，參照專利文獻I)。此外，利用吸附擋塊的上表面吸附粘合膠帶的背面，并用可從吸附擋塊的上表面突出、且配置在同心圓上的多個頂塊僅上推并支承拾取對象的芯片，并且從上方用吸附夾將該芯片吸附到上方，通過使內側的塊逐漸上升使得最終成為中心的頂塊最突出的狀態，由此進行了晶片加工用膠帶的剝離(例如，參照專利文獻2)。現有專利文獻專利文獻專利文獻I :W02006/104151小冊子專利文獻2 :日本特開2005 - 117019號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的問題但是，在專利文獻I記載的拾取方式中，存在如下問題在切割晶片的工序中產生的粘接劑層T3的灰塵D在跨越待分離的粘合劑層T2和粘接劑層T3的狀態下附著于它們，從而產生拾取不良的問題。在專利文獻2記載的拾取方式中，對專利文獻I的拾取方式的拾取不良進行了改善，但是晶片加工用膠帶T的粘接劑層T3根據芯片Wl的多級層化的要求而處于軟化的趨勢，其結果，在切割晶片的工序中粘接劑層T3的灰塵D容易向周圍飛散，從而產生拾取的成功率降低的問題。本專利技術的目的在于從晶片加工用膠帶良好地剝離半導體芯片。解決問題的手段專利技術人等為了解決上述問題而進行了深刻研究的結果是著眼于以下情況在從晶片加工用膠帶拾取半導體芯片前，從晶片加工用膠帶的背面側按壓切割槽包圍該半導體芯片的區域的全部或一部分。通過進行上述按壓，發現附著于各部件的灰塵容易剝脫。即本專利技術利用如下的制造方法，解決了本申請專利技術的問題(I) 一種，其特征在于，具有以下工序在半導體晶片上貼附晶片加工用膠帶后，對所述半導體晶片進行切割，分割為多個半導體芯片；以及從所述晶片加工用膠帶拾取貼附于所述晶片加工用膠帶的所述多個半導體芯片中的作為剝離對象的半導體芯片，對于切割槽的包圍作為剝離對象的所述半導體芯片的區域，在從所述晶片加工用膠帶的背面側按壓其整體或一部分后，從所述晶片加工用膠帶拾取所述半導體芯片。(2)根據第I方面所述的，其特征在于，所述切割槽的包圍半導體芯片的區域的按壓利用沿著該區域的形狀的框來進行。(3)根據第I方面所述的，其特征在于，所述切割槽的包圍半導體芯片的區域的按壓利用沿著該區域配置的多個銷來進行。(4)根據第I 3方面中的任意一項所述的，其特征在于，所述切割槽的包圍半導體芯片的區域的按壓以多個半導體芯片單位來進行。另外，上述“切割槽的包圍作為剝離對象的所述半導體芯片的區域”不是指被切割槽包圍的區域，而是表示整個晶片的整個切割槽內的、包圍剝離對象的半導體芯片的切割槽的一部分。專利技術效果根據本申請專利技術，在從晶片加工用膠帶剝離半導體芯片前，通過從晶片加工用膠帶側按壓該半導體芯片周圍的切割槽的全部或一部分，使得附著于各部件的灰塵容易剝脫，其結果，在相對于晶片加工用膠帶的半導體芯片的拾取時，抑制了由灰塵造成的阻礙，拾取作業的成功率提高。附圖說明圖I是示出在切割晶片接合膜上貼合半導體晶片和切割用環框后的情形的圖。圖2是示出切割工序的說明圖。圖3是用于說明放射線照射工序的圖。圖4是示出拾取裝置的主要部分的部分剖視圖。圖5示出從第一按壓部件中的銷的上方觀察到的配置的俯視圖。圖6是示出四根銷對按壓對象的矩形半導體芯片進行按壓的位置的俯視圖。圖7是示出使按壓部件上升后的狀態的動作說明圖。圖8A是示出第二按壓部件的各銷對半導體芯片進行按壓前的狀態的放大剖視圖。圖SB是示出半導體芯片的按壓后的狀態的放大剖視圖。圖9是示出其他實施方式中的拾取裝置的剖視圖。圖10是吸附頭的俯視圖。圖11是吸附頭的沿著垂直面的剖視圖。圖12是打開了活動蓋的狀態下的吸附頭的沿著垂直面的剖視圖。圖13是示出其他實施方式中的拾取裝置的吸附頭的俯視圖。圖14是吸附頭的沿著垂直面的剖視圖。圖15A是使用了與多個半導體芯片對應的銷的按壓部件的俯視圖。 圖15B是使用了與多個半導體芯片對應的框構造的按壓部件的俯視圖。圖16是用一個銷進行按壓的按壓部件的說明圖。圖17是示出現有技術中的切割引起的灰塵的產生狀態的切割晶片接合膜和半導體芯片的剖視圖。具體實施例方式根據圖I至圖SB對本專利技術的實施方式的進行說明。在該實施方式中，主要對具有如下特征的工序進行說明對半導體晶片的反面(集成電路形成面的相反側的面)貼合作為晶片加工用膠帶的切割晶片接合膜而進行切割，之后一個個地拾取半導體芯片。在進行的說明之前，首先對切割晶片接合膜10的結構進行說明。圖I是示出在切割晶片接合膜上貼合半導體晶片和切割用環框后的情形的圖。該切割晶片接合膜10在基材膜I上層疊設置中間樹脂層2，在該中間樹脂層2之上層疊設置粘合劑層3，并在粘合劑層3之上層疊設置粘接劑層4，在切割時，在粘接劑層4上安裝半導體晶片11。另外，在圖I中，為了便于說明，圖示為使切割晶片接合膜10的各結構具有比實際厚的厚度。作為基材膜1，可以使用公知的塑料、橡膠等作為切割晶片接合膜，此處使用了熱塑性的塑料膜作為基材膜。此外，優選為放射線透射性的膜，尤其在粘合劑層使用放射線固化性的粘合劑的情況下，需要選擇該粘合劑固化的波長處的放射線透射性良好的膜。從強伸展率特性、放射線透射性的觀點出發，基材膜的厚度通常為30 300 μ m合適。中間樹脂層2沒有特別限制，只要比粘合劑層3硬即可。為了抑制切割時芯片的裂開/缺口(碎屑)，中間樹脂層2使用適當的彈性模量的材料。在基材膜上涂敷包含粘合成分和固化成分的混合物后，使其固化，由此設置中間樹脂層2。粘合成分可使用丙烯酸系、聚酯系、氨基甲酸酯系、硅酮系、天然橡膠系等各種通用粘合劑。作為固化劑，是從多異氰酸酯類、三聚氰胺·甲醛樹脂和環氧樹脂中選擇的化合物，可單獨使用或組合兩種以上使用。并且，也可以通過使中間樹脂層2具有放射線固化性，在切割后通過放射線固化使中間樹脂層2固化收縮來提高芯片的拾取性。中間樹脂層2的厚度優選為至少5 μ m，更優選為10 μ m以上。粘合劑層3沒有特別限制，只要具有在切割時不產生與粘接劑層4的芯片飛散等的不良的程度的保持性、和在拾取時容易與粘接劑層4剝離的特性即可。為了提高切割后的拾取性，粘合劑層3優選為放射線本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：建部一貴，
申請(專利權)人：古河電氣工業株式會社，
類型：
國別省市：