一種TO系列的功率二極管引線框架結構制造技術

本實用新型專利技術公開了一種TO系列的功率二極管引線框架結構，包括框架本體以及與框架本體相連的引線管腳，所述框架本體上設置有載片區(qū)，所述載片區(qū)外部設置有隔離槽，隔離槽設置在框架本體上，且隔離槽沿著載片區(qū)的外廓環(huán)繞后首尾兩端相互連接。該框架結構通過對載片區(qū)設置一個矩形隔離槽，有效防止焊料的溢出和防滲透作用；引線管腳設計為一個焊接管腳，減少鍵合工序對另一個引線管腳的焊接作業(yè)，中間極連接直接轉為連接管腳連接；此類引線框架起到防滲透作用，增加樹脂與載片的結合強度，同時節(jié)約鍵合工序工時和鍵合成本，確保TO系列二極管產品質量和器件可靠性。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及一種TO系列的功率二極管引線框架結構，屬于半導體封裝
，用于確保TO系列二極管產品質量和器件可靠性。
技術介紹
半導體封裝行業(yè)是一個大規(guī)模的電子行業(yè)，半導體器件在我們的實際生活中應用極為廣泛。隨著功率半導體器件使用的日益增多，很多的企業(yè)都在考 慮成本控制和產品可靠性提升。新時期企業(yè)的競爭力的高低就在于產業(yè)化創(chuàng)新，產品設計的優(yōu)化改良，成本的節(jié)省，產品的可靠性能等。目前TO系列的功率二極管所使用的引線框架是普通的三極管框架，為滿足器件成型后的管腳位置，其在鍵合時要在引線框架的連接管腳鍵合處焊接管腳一樣數(shù)量和線徑的內引線來起導通作用，中心管腳的連接C極就多余，這樣既浪費了框架的原材料，浪費了鍵合工時，同時多一次鍵合對產品質量也存在潛在隱患。
技術實現(xiàn)思路
本技術的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的缺點和不足，提供一種TO系列的功率二極管引線框架結構，該框架結構通過對載片區(qū)設置一個矩形隔離槽，有效防止焊料的溢出和防滲透作用；引線管腳設計為一個焊接管腳，減少鍵合工序對另一個引線管腳的焊接作業(yè)，中間極連接直接轉為連接管腳連接；此類引線框架起到防滲透作用，增加樹脂與載片的結合強度，同時節(jié)約鍵合工序工時和鍵合成本，確保TO系列二極管產品質量和器件可靠性。本技術的目的通過下述技術方案實現(xiàn)一種TO系列的功率二極管引線框架結構，包括框架本體以及與框架本體相連的引線管腳，所述框架本體上設置有載片區(qū)，所述載片區(qū)外部設置有隔離槽，隔離槽設置在框架本體上，且隔離槽沿著載片區(qū)的外廓環(huán)繞后首尾兩端相互連接。進一步地，所述引線管腳包括同時互相連接的連接管腳、焊接管腳以及中心管腳，中心管腳設置在連接管腳和焊接管腳之間，且連接管腳與框架本體連接。中心管腳以及焊接管腳均未直接與框架本體連接。進一步地，所述隔離槽的軌跡為矩形。隔離槽的軌跡形狀有多種，只要能將載片區(qū)包裹在其中即可。綜上所述，本技術的有益效果是該框架結構通過對載片區(qū)設置一個矩形隔離槽，有效防止焊料的溢出和防滲透作用；引線管腳設計為一個焊接管腳，減少鍵合工序對另一個引線管腳的焊接作業(yè)，中間極連接直接轉為連接管腳連接；此類引線框架起到防滲透作用，增加樹脂與載片的結合強度，同時節(jié)約鍵合工序工時和鍵合成本，確保TO系列二極管產品質量和器件可靠性。附圖說明圖I是本技術的結構示意圖；圖2是本技術的工作狀態(tài)圖。附圖中標記及相應的零部件名稱1 一載片區(qū)；2—框架本體；3—隔離槽；4一焊接管腳；5—連接管腳；6—中心管腳。具體實施方式下面結合實施例及附圖，對本技術作進一步的詳細說明，但本技術的實施方式不僅限于此。實施例如圖I、圖2所示，將本技術引線框架命名為T0-220AC，包括框架本體2以及與框架本體2相連的引線管腳，所述框架本體2上設置有框架本體1，所述載片區(qū)I外部設置有隔離槽3，隔離槽3設置在框架本體2上，且隔離槽3沿著載片區(qū)I的外廓環(huán)繞后首尾兩端相互連接；所述隔離槽3的軌跡為矩形。隔離槽3是一道矩形凹槽，用于防滲透和防護焊料溢出。矩形隔離槽3距載片四周的距離為(4. 5-8. O) ±O. 05mm。所述引線管腳包括同時互相連接的連接管腳5、焊接管腳4以及中心管腳6，中心管腳6設置在連接管腳5和焊接管腳4之間，且連接管腳5與框架本體2連接。引線框架連接管腳5和焊接管腳4的優(yōu)化改良后，連接管腳5起到了連接芯片C極的作用，中心管腳6就不需要連接載片區(qū)，又為給連接管腳5的改良提供條件和空間，但涉及到其對塑封體散熱的作用和增加框架整體的韌性，此中心管腳6是不能省掉的。因TO系列功率二極管其只有兩個極性，所以二極管芯片上的A極只需要鍵合內引線連接到一個管腳就能達到導通電流的作用，而芯片的C極是直接粘接在框架載片上的，原TO系列的框架中心管腳相當于的連接了 C極，但對于封裝成型后對管腳的排列位置的要求，中心管腳6必須切掉，但又必須保留其對框架本體2的韌性和成型后給塑封體的散熱作用，先前的技術方案就是將框架的連接管腳5作為C極的連接，這樣就必須要在框架的載片上和連接管腳5之間用內引線鍵合連接起來，這樣才能滿足電流的導通作用和成型的要求，但是這樣的處理方式浪費了中心管腳6的連接部位所用的銅材，再就是連接管腳5必須鍵合內引線來滿足電流導通，在鍵合載片上的鍵合點時，焊接工藝要求和芯片上的鍵合工藝不一樣，所以要分開執(zhí)行鍵合作業(yè)，造成工序共時的增加；載片上連接芯片C極的焊錫對載片上的鍵合又會產生干擾，所以這樣對生產來說是諸多的不便和浪費。基于這種情況，將先前框架載片和管腳的連接部位由中心管腳6轉移到連接管腳5，這樣中心管腳6不需要連接到載片區(qū)1，減少銅材的使用，原連接管腳的焊接區(qū)也取消，轉化為與載片區(qū)I的連接部位，這樣連接管腳5就成了芯片C極的連接管腳，滿足成型的要求，同時也起到導通電流的作用，去除C極用內引線來連接的作業(yè)步驟，節(jié)約工時，還增強C極連接的可靠性。因考慮到大功率二極管的引線鍵合在執(zhí)行時，所述的引線框架的焊接管腳4需要焊接2條、3條、4條、甚至更多條數(shù)的鍵合引線，鍵合引線一般是粗鋁線，涉及到內引線的線徑較大，一般在300 μ m及以上尺寸的線徑，在這種內引線數(shù)量眾多且鍵合線徑較大的情況下，原常規(guī)引線框架所能達到的承載能力有限制了，迫使需要加大引線管腳的焊接管腳4的焊接面積，在保持引線框架焊接管腳4外邊緣不變的情況下，將引線框架的焊接管腳4內邊緣向引線中心管腳6方向擴進。伸進量要求焊接管腳4左邊緣達到與中心管腳6正中位置齊平，具體尺寸視不同封裝引線而定。本技術適合于半導體封裝行業(yè)的TO系列功率二極管各類封裝形式，同時對半導體封裝行業(yè)來說是也是一項優(yōu)化改良。 采取上述方式，就能較好地實現(xiàn)本技術。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種TO系列的功率二極管引線框架結構，包括框架本體（2）以及與框架本體（2）相連的引線管腳，所述框架本體（2）上設置有載片區(qū)（1），其特征在于：所述載片區(qū)（1）外部設置有隔離槽（3），隔離槽（3）設置在框架本體（2）上，且隔離槽（3）沿著載片區(qū)（1）的外廓環(huán)繞后首尾兩端相互連接。

【技術特征摘要】
1.一種TO系列的功率二極管引線框架結構，包括框架本體(2)以及與框架本體(2)相連的引線管腳，所述框架本體(2)上設置有載片區(qū)(1)，其特征在于所述載片區(qū)(I)外部設置有隔離槽(3)，隔離槽(3)設置在框架本體(2)上，且隔離槽(3)沿著載片區(qū)(I)的外廓環(huán)繞后首尾兩端相互連接。2.根據(jù)權利要求I所述的一種TO系列的...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李科，蔡少峰，
申請(專利權)人：四川立泰電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：