本發明專利技術公開了一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設于上下夾層中間的絲網，所述絲網采用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。本發明專利技術的高屏效夾絲網屏蔽視窗不僅在高頻段具有高的屏效，而且在低頻段也具有較高的屏效；保持了較高的透光率，可作為電磁屏蔽視窗，用于低輻射計算機、屏蔽機柜以及各類屏蔽工程。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種電磁屏蔽視窗，具體地說，涉及一種高屏效夾絲網屏蔽視窗。
技術介紹
夾絲網屏蔽視窗是各類電磁屏蔽設備和屏蔽工程的重要組成部分，在國內外電磁屏蔽與電磁兼容行業普遍應用。夾絲網屏蔽視窗是各類電磁屏蔽設備和屏蔽工程的重要組成部分，一般結構形式為金屬絲網夾于兩層普通玻璃之間，它對電磁波具有較高的屏蔽性能，同時具有一定的透光率。其中玻璃可用亞克力、PET、PC等多種透明高分子材料代替，而金屬絲網國內外普遍采用的是不銹鋼網、銅網兩種，在絲網表面加鍍層然后黑化而成。也有產品采用普通非金屬纖維絲，然后鍍金屬黑化處理。目前這類視窗通常存在一個缺點，即高 頻段具有良好的屏效，但在低頻段屏效較差。現有夾絲網屏蔽視窗在低頻段屏效較低，一般14kHz時屏效在IOdB左右，200kHz時屏效在20dB左右。這在一定程度上限制了其使用，尤其是新軍標B級、C級對低頻段提出了更高的屏效要求。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，不僅高頻段屏效良好，而且低頻段的屏蔽效能也大幅提高。本專利技術的技術方案如下一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設于上下夾層中間的絲網，所述絲網采用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。進一步所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、銀層和鎳層。進一步所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鐵層、銀層和鎳層。進一步所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、鑰層和鎳層。進一步所述絲網的目數為250目。進一步所述金屬絲為不銹鋼或者銅。進一步所述三層鍍層的厚度分別為5 μ m。進一步所述上下夾層的厚度分別為2mm。進一步所述上下夾層為玻璃或透明高分子材料。進一步所述透明高分子材料為亞克力、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。本專利技術的技術效果如下I、本專利技術的高屏效夾絲網屏蔽視窗不僅在高頻段具有高的屏效，而且在低頻段也具有較高的屏效。2、本專利技術的高屏效夾絲網屏蔽視窗保持了較高的透光率，可作為電磁屏蔽視窗，用于低輻射計算機、屏蔽機柜以及各類屏蔽工程。附圖說明圖I為本專利技術的實施例I的鍍三層鍍層后絲網的示意圖；圖2為本專利技術的實施例I的鍍三層鍍層后絲網的單根絲的截面圖。具體實施例方式下面結合實施例對本專利技術的具體實施方式進行說明。實施例I 本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目不銹鋼絲網。在該不銹鋼絲網上采用化學鍍工藝從內到外依次鍍鎳、銀和鎳。鎳具有高磁導率，銀具有高電導率。不銹鋼絲網鍍三層鍍層前直徑為25 μ m。為了保證透光率，兩層鍍鎳層和鍍銀層的厚度分別為5 μ m，使透光率在25%以上。如圖I所示，是本專利技術的實施例I的鍍三層鍍層后絲網的示意圖。當完整絲網成型后，單根絲直徑為45 μ m,網孔邊長為70 μ m。上下夾層采用單塊厚度為2mm的兩塊玻璃與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. Γ4. 6mm。如圖2所示，是本專利技術的實施例I的鍍三層鍍層后絲網的單根絲的截面圖。單根絲和其上的三層鍍層清晰可見，并且鎳一銀一鎳三層鍍層相互依附，結合力較強。如表I所示為本專利技術實施例I的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效采用GB/T5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例I的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達30dB以上，200kHz時屏效達到40dB以上。在高頻450MHz、950Hz頻點可達90dB以上，3GHz、6GHz頻段可達80dB以上。實施例2本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目不銹鋼絲網。在該不銹鋼絲網上采用電鍍工藝從內到外依次鍍鐵、銀和鎳。鐵和鎳具有高磁導率，銀具有高電導率。不銹鋼絲網鍍三層鍍層前直徑為25μπι。為了保證透光率，鍍鐵層、鍍鎳層和鍍銀層的厚度分別為5 μ m,使透光率在25%以上。上下夾層采用單塊厚度為2mm的兩塊亞克力與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. 1^4. 6_。如表2所示為本專利技術實施例2的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效采用GB/T 5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例2的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達20dB以上，200kHz時屏效達到40dB以上。在高頻450MHz、950Hz頻點可達70dB以上，3GHz、6GHz頻段可達60dB以上。實施例3本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目不銹鋼絲網。在該不銹鋼絲網上采用化學鍍工藝從內到外依次鍍鎳、鑰和鎳。鎳具有高磁導率，鑰具有高電導率。不銹鋼絲網鍍三層鍍層前直徑為25 μ m。為了保證透光率，兩層鍍鎳層和鍍鑰層的厚度分別為5 μ m，使透光率在25%以上。上下夾層采用單塊厚度為2mm的兩塊聚碳酸酯(PC)樹脂與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. Γ4. 6_。如表3所示為本專利技術實施例3的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效采用GB/T 5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例3的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達20dB，200kHz時屏效達到40dB。在高頻450MHz、950Hz頻點可達70dB以上，3GHz、6GHz頻段可達60dB以上。實施例4本實施例的高屏效夾絲網屏蔽視窗選用250目銅絲網。在該銅絲網上采用化學鍍工藝從內到外依次鍍鎳、銀和鎳。鎳具有高磁導率，銀具有高電導率。銅絲網鍍三層鍍層前直徑為25 μ m。為了保證透光率，兩層鍍鎳層和鍍銀層的厚度分別為5 μ m,使透光率在25%以上。上下夾層采用單塊厚度為2mm的兩塊聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料與絲網壓制，最終形成夾絲網屏蔽視窗，整個樣品厚度為4. Γ4. 6_。如表4所示為本專利技術實施例4的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效。該屏效采用GB/ T 5792-2006《軍用涉密信息系統電磁屏蔽體等級劃分和測量方法》中的屏蔽室測試方法測試。實施例4的高屏效夾絲網屏蔽視窗在低頻14kHz時屏效可達30dB，200kHz時屏效達到42dB。在高頻450MHz、950Hz頻點可達88dB以上，3GHz、6GHz頻段可達80dB以上。以上所述，僅為專利技術的具體實施方式。本專利技術的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本
的技術人員在本專利技術揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應當涵蓋在本專利技術的保護范圍之內。表I本專利技術實施例I的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效~14KHz 200KHz 450MHz 950MHz ~3GHz~ 5.8GHz~屏蔽前~ 90 76 113 106 117 110 ( Βμν)_______ 屏蔽后 58j211IS3226( Βμν)屏效(dB)Λ44102918584表2本專利技術實施例2的高屏效夾絲網屏蔽視窗的屏效^Wi~14KHz~ 200KHz 450MHz 950MHz ~3GHz~ 5.8GHz 屏蔽前 110 108 120 118 117 110 ( Βμν)_______ 屏蔽后 886430394445( Βμν) 屏效(本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設于上下夾層中間的絲網，其特征在于：所述絲網采用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。
【技術特征摘要】
1.一種高屏效夾絲網屏蔽視窗，包括上下夾層和設于上下夾層中間的絲網，其特征在于所述絲網采用金屬絲，所述金屬絲外圍鍍有三層鍍層，最內層鍍層和最外層鍍層為高磁導率層，中間層鍍層為高電導率層。2.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特征在于所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、銀層和鎳層。3.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特征在于所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鐵層、銀層和鎳層。4.如權利要求I所述的高屏效夾絲網屏蔽視窗，其特征在于所述三層鍍層的最內層鍍層、中間層鍍層和最外層鍍層依次為鎳層、...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張素偉，于天榮，郭林，
申請(專利權)人：安方高科電磁安全技術北京有限公司，
類型：發明
國別省市：
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