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    一種新型引線框架制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):8149868 閱讀:128 留言:0更新日期:2012-12-28 21:14
    本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種新型引線框架,由多個(gè)水平并排設(shè)置若干個(gè)框架單元組成,框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū),芯片區(qū)上方連接帶散熱通孔的散熱區(qū),芯片區(qū)下方連接引腳區(qū),所述散熱通孔兩側(cè)的散熱區(qū)上分別對(duì)稱設(shè)有至少一條以上連通芯片區(qū)和散熱通孔的第一凹槽。本實(shí)用新型專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便,密著性強(qiáng),產(chǎn)品質(zhì)量好,安全性能高。(*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體元件,尤其涉及一種新型引線框架
    技術(shù)介紹
    引線框架作為集成電路的芯片載體,是一種借助于鍵合金絲實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接,形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件,它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用,絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架,引線框架是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。弓I線框架需要在其芯片區(qū)表面安裝芯片,再利用樹脂塑封芯片固定成一整體的半導(dǎo)元件。傳統(tǒng)芯片部為平面結(jié)構(gòu),采用條狀電鍍方式,容易留下不平整凸出的小焊點(diǎn),當(dāng)引線框架疊放在一起時(shí)之間會(huì)產(chǎn)生摩擦,導(dǎo)致芯片部電鍍區(qū)域產(chǎn)生劃傷,影響產(chǎn)品品質(zhì);引線框架芯片區(qū)承載和連接芯片,芯片通常是粘合至芯片區(qū)的,芯片區(qū)表面光滑,在粘合銀漿滴在芯片區(qū)上時(shí),芯片區(qū)和芯片間易殘留空氣,樹脂封裝引線框架后,產(chǎn)品工作發(fā)熱使樹 月旨、空氣熱膨脹,由于兩者熱膨脹系數(shù)不同,從而損壞產(chǎn)品,且樹脂封裝表面光滑的引線框架密著性不強(qiáng),易產(chǎn)生剝離脫落現(xiàn)象,影響正常、安全使用;在單個(gè)框架單元切分時(shí),整體結(jié)構(gòu)的連接板切除操作困難、費(fèi)時(shí)費(fèi)力,同時(shí)易導(dǎo)致引線框架損傷和變形,無法使用。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    為了解決上述問題,本技術(shù)提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便,密著性強(qiáng),產(chǎn)品質(zhì)量好,安全性能高的芯片區(qū)域帶凹槽的引線框架。為解決上述技術(shù)問題,本技術(shù)采用如下技術(shù)方案一種新型引線框架,由多個(gè)水平并排設(shè)置若干個(gè)框架單元組成,框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū),芯片區(qū)上方連接帶散熱通孔的散熱區(qū),芯片區(qū)下方連接引腳區(qū),其特征在于所述散熱通孔兩側(cè)的散熱區(qū)上分別對(duì)稱設(shè)有至少一條以上連通芯片區(qū)和散熱通孔的第一凹槽。進(jìn)一步地,所述芯片區(qū)上設(shè)有一圈以上與所載芯片輪廓相同的第二凹槽,一圈以上的第二凹槽依次等比向內(nèi)縮小。進(jìn)一步地,所述最內(nèi)圈第二凹槽內(nèi)的芯片區(qū)上設(shè)有一條以上平行于芯片區(qū)長(zhǎng)邊或短邊的第三凹槽。進(jìn)一步地,所述芯片區(qū)兩側(cè)邊均設(shè)有一層以上朝向芯片區(qū)正面或背面的階梯邊。進(jìn)一步地,其特征是所述芯片區(qū)平面低于引腳區(qū)平面1-1. 5_。進(jìn)一步地,所述引腳區(qū)包括左側(cè)引腳、中間引腳和右側(cè)引腳,所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳相互對(duì)稱通過中筋相連位于中間引腳的兩側(cè),所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的上方伸出中筋且其末端連接焊接區(qū),左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的下方連接于下筋上,所述的中間引腳向上延伸連接所述的芯片區(qū)。進(jìn)一步地,所述下筋上設(shè)有位置于中間引腳對(duì)應(yīng)的圓形通孔。進(jìn)一步地,所述下筋上端或下端設(shè)有多個(gè)對(duì)應(yīng)相臨框架單元間中心位置的豁口。進(jìn)一步地,所述相臨兩框架單元的引腳區(qū)經(jīng)下連接板相連,下連接板上設(shè)有通孔。進(jìn)一步地,所述散熱區(qū)上端兩角均設(shè)有帶臺(tái)階的倒角;在散熱區(qū)正面或背面的散熱通孔內(nèi)均設(shè)有一層以上的同心圓臺(tái)。采用以上技術(shù)特征,本技術(shù)的有益效果是I、芯片區(qū)低于引腳區(qū),能夠保證疊放引線框架時(shí),減少層與層之間摩擦,芯片區(qū)不會(huì)產(chǎn)生劃傷,進(jìn)以步提高產(chǎn)品品質(zhì);芯片區(qū)的第二、三凹槽,能增強(qiáng)芯片與芯片區(qū)的密著性,提聞使用性能;2、芯片區(qū)與散熱區(qū)散熱通孔之間的第一凹槽,在封裝引線框架時(shí),能增強(qiáng)封裝材料與引線框架間的密著性,防止封裝脫落,確保結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,產(chǎn)品質(zhì)量好;3、散熱區(qū)上設(shè)有散熱通孔,配合同心圓臺(tái)、第一凹槽,增大樹脂封裝接觸面積,提高散熱效率,進(jìn)一步延長(zhǎng)使用壽命;`4、連接引線框架的下連接板上開設(shè)通孔以及下筋的豁口,在分割框架單元時(shí),便于操作,省時(shí)省力,提高工作效率,同時(shí)確保安裝質(zhì)量。附圖說明附圖I是本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖;附圖2是附圖I左視圖。附圖中散熱區(qū)1,散熱通孔11,同心圓臺(tái)12,第一凹槽13,倒角14,臺(tái)階15,芯片區(qū)2,第二凹槽21,第二凹槽22,階梯邊23,引腳區(qū)3,中間引腳31,左側(cè)引腳32,右側(cè)引腳33,焊接區(qū)34,中筋4,下筋5,圓形通孔6,下連接板7,豁口 8,通孔9。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本技術(shù)的技術(shù)方案作以下詳細(xì)描述圖1、2所示,一種新型引線框架由多個(gè)水平并排設(shè)置若干個(gè)框架單元組成,每個(gè)框架單元包括散熱區(qū)I、芯片區(qū)2和引腳區(qū)3,芯片區(qū)2上方連接帶散熱通孔11的散熱區(qū)1,芯片區(qū)2下方連接引腳區(qū)3。散熱通孔11兩側(cè)的散熱區(qū)I上分別對(duì)稱設(shè)有至少一條以上連通芯片區(qū)2和散熱通孔11的第一凹槽13,散熱區(qū)上端兩角均設(shè)有帶臺(tái)階15的倒角14,在散熱區(qū)I正面或背面的散熱通孔11內(nèi)均設(shè)有一層以上的同心圓臺(tái)12;芯片區(qū)2上設(shè)有一圈以上與所載芯片輪廓相同的第二凹槽21,一圈以上的第二凹槽依次等比向內(nèi)縮小,最內(nèi)圈第二凹槽內(nèi)的芯片區(qū)上設(shè)有一條以上平行于芯片區(qū)長(zhǎng)邊或短邊的第三凹槽22,芯片區(qū)2的兩側(cè)或底邊設(shè)有朝向芯片區(qū)正面或被面的階梯邊23,芯片區(qū)2平面低于引腳區(qū)3平面1-1. 5mm ;引腳區(qū)3包括左側(cè)引腳32、中間引腳31和右側(cè)引腳33,左側(cè)引腳和右側(cè)弓I腳相互對(duì)稱通過中筋4相連位于中間引腳的兩側(cè),左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的上方伸出中筋且其末端連接焊接區(qū)34,左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的下方連接于下筋5上,中間引腳向上延伸連接所述的芯片區(qū)2,下筋5上設(shè)有位置于中間引腳31對(duì)應(yīng)的圓形通孔6,下筋6上端或下端設(shè)有多個(gè)對(duì)應(yīng)相臨框架單元間中心位置的豁口 8,相臨兩框架單元的引腳區(qū)3經(jīng)下連接板7相連,下連接板上設(shè)有通孔9。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本技術(shù)而并非限制本技術(shù)所描述的技術(shù)方案;因此,盡管本說明書參照上述的各個(gè)實(shí)施例對(duì)本技術(shù)已進(jìn)行了詳細(xì)的說明,但是,本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,仍然可以對(duì)本技術(shù)進(jìn)行修改或等同替換;而一切不脫離本技術(shù)的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進(jìn),其均應(yīng)涵蓋在本技術(shù)的權(quán)利要求范圍中。權(quán)利要求1.一種新型引線框架,由多個(gè)水平并排設(shè)置若干個(gè)框架單元組成,框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū),芯片區(qū)上方連接帶散熱通孔的散熱區(qū),芯片區(qū)下方連接引腳區(qū),其特征在于所述散熱通孔兩側(cè)的散熱區(qū)上分別對(duì)稱設(shè)有至少一條以上連通芯片區(qū)和散熱通孔的第一凹槽。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型引線框架,其特征是所述芯片區(qū)上設(shè)有一圈以上與所載芯片輪廓相同的第二凹槽,一圈以上的第二凹槽依次等比向內(nèi)縮小。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型引線框架,其特征是所述最內(nèi)圈第二凹槽內(nèi)的芯片區(qū)上設(shè)有一條以上平行于芯片區(qū)長(zhǎng)邊或短邊的第三凹槽。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型引線框架,其特征是所述芯片區(qū)兩側(cè)邊均設(shè)有一層以上朝向芯片區(qū)正面或背面的階梯邊。5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3或4所述的一種新型引線框架,其特征是所述芯片區(qū)平面低于引腳區(qū)平面1-1. 5mm。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型引線框架,其特征是所述引腳區(qū)包括左側(cè)引腳、中間引腳和右側(cè)引腳,所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳相互對(duì)稱通過中筋相連位于中間引腳的兩偵牝所述的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的上方伸出中筋且其末端連接焊接區(qū),左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的下方連接于下筋上,所述的中間引腳向上延伸連接所述的芯片區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型引線框架,其特征是所述下筋上設(shè)有位置于中間引腳對(duì)應(yīng)的圓形通孔。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型引線框架,其特征是所述下筋上端或下端設(shè)有多個(gè)對(duì)應(yīng)相臨框架單元間中心位置的豁口。9.根據(jù)權(quán)利要求I或6所述的一種新型引線框架,其特征是所述相臨兩框架單元的引腳區(qū)經(jīng)下連接板相連,下連接板上設(shè)有通孔。10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型引線框架,其特征是所述散熱區(qū)本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種新型引線框架,由多個(gè)水平并排設(shè)置若干個(gè)框架單元組成,框架單元包括散熱區(qū)、芯片區(qū)和引腳區(qū),芯片區(qū)上方連接帶散熱通孔的散熱區(qū),芯片區(qū)下方連接引腳區(qū),其特征在于:所述散熱通孔兩側(cè)的散熱區(qū)上分別對(duì)稱設(shè)有至少一條以上連通芯片區(qū)和散熱通孔的第一凹槽。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:張軒
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:張軒
    類型:實(shí)用新型
    國(guó)別省市:

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