堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開一種堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造，其包含一載板具有一上表面。至少一芯片，位于所述載板的上表面并電性連接至所述載板。數(shù)個焊墊，位于所述載板的上表面。一強化金屬環(huán)，位于所述載板的上表面，并設(shè)置于所述芯片及所述焊墊之間。所述強化金屬環(huán)用以防止所述堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造因熱脹冷縮發(fā)生翹曲。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及ー種封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于ー種堆疊封裝的下封裝體的封裝構(gòu)造。
技術(shù)介紹
現(xiàn)今，隨著電子裝置的尺寸減小，半導體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝設(shè)計，其中各種不同的系統(tǒng)封裝(system in package,SIP)設(shè)計概念常用于架構(gòu)高密度封裝產(chǎn)品。近年來，針對各種電子設(shè)備應用等已經(jīng)引入了堆疊式半導體(package on package, POP)封裝。此種堆疊式半導體封裝是將已經(jīng)分別完成封裝エ藝的多個半導體封裝構(gòu)造經(jīng)過堆疊形成一個封裝整體，從而減小了整體的封裝尺 寸。然而，所述堆疊式半導體封裝在實際使用上仍具有下述問題，例如為了降低整體的封裝高度(例如小于I毫米)，此種堆疊式封裝構(gòu)造所使用的載板，特別是下封裝體的載板，其厚度亦需符合薄型化的趨勢。由于下封裝體的載板本身材料與載板上方的封膠體材料兩者之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配，因此在制造過程中以及在使用過程中產(chǎn)生高溫時，下封裝體的載板即容易熱脹冷縮而發(fā)生翹曲(warpage)，從而導致如芯片崩裂(crack)、載板線路斷裂等問題，并嚴重的影響芯片的可靠性與封裝加工的質(zhì)量及良品率(yield) ο故，有必要提供ー種封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此，本技術(shù)提供ー種封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的堆疊封裝下封裝體翹曲問題。本技術(shù)的主要目的在于提供一種堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造，其可以平衡堆疊封裝下封裝體的載板與封膠體兩者材料之間的熱膨脹系數(shù)，減小載板翹曲的機率，以增加封裝體的可靠度與穩(wěn)定性，并提高封裝加工的質(zhì)量及良品率。為達成本技術(shù)的前述目的，本技術(shù)一實施例提供一種堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造，其中所堆疊封裝下封裝體構(gòu)造包含ー載板、至少ー芯片、數(shù)個焊墊以及ー強化金屬環(huán)。所述載板包含一上表面。所述至少一芯片位于所述載板的上表面并電性連接至所述載板。所述數(shù)個焊墊位于所述載板的上表面。所述強化金屬環(huán)位于所述載板的上表面，并設(shè)置于所述芯片及所述焊墊之間。再者，本技術(shù)一實施例提供另ー種堆疊封裝構(gòu)造，其中所述堆疊封裝構(gòu)造包含一下封裝體以及ー上封裝體。所述下封裝體包含ー載板、至少ー芯片、數(shù)個焊墊以及一強化金屬環(huán)。所述載板包含一上表面。所述至少一芯片位于所述載板的上表面并電性連接至所述載板。所述數(shù)個焊墊位于所述載板的上表面。所述強化金屬環(huán)位于所述載板的上表面，并設(shè)置于所述芯片及所述焊墊之間。所述上封裝體通過所述焊墊電性連接至所述下封裝體的載板。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本技術(shù)的封裝構(gòu)造，這樣可以平衡堆疊封裝下封裝體的載板與封裝膠兩者材料之間的熱膨脹系數(shù)，從而減小堆疊封裝下封裝體的載板翹曲機率，増加封裝體的可靠度與穩(wěn)定性，并提高封裝加工的質(zhì)量及良品率。附圖說明圖I是本技術(shù)一實施例堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造的示意圖。圖IA是本技術(shù)一實施例堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造的局部放大示意圖。圖2是本技術(shù)一實施例堆疊封裝構(gòu)造組裝前的示意圖。圖3是本技術(shù)一實施例堆疊封裝構(gòu)造的示意圖。 圖4是本技術(shù)另ー實施例堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造的局部放大示意圖。圖5是本技術(shù)又一實施例堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造的局部放大示意圖。具體實施方式為讓本技術(shù)上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本技術(shù)較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本技術(shù)所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本技術(shù)，而非用以限制本技術(shù)。圖I為本技術(shù)一實施例的堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造的示意圖，圖IA為圖I的局部放大圖。請參照圖I及圖IA所示，本技術(shù)一實施例的下封裝體構(gòu)造100主要包含載板110、芯片120、凸塊(bumps) 130、底膠140、第一金屬球150、封膠體160、強化金屬環(huán)170以及錫球180。在本實施例中，載板110用以承載芯片120，芯片120通過凸塊130以倒裝芯片(flip chip)方式電性連接至載板110，底膠140用以填充芯片120與載板110之間的間隙。第一金屬球150位于載板110的上表面115,強化金屬環(huán)170也位于載板110的上表面115，且封膠體160包覆芯片120、強化金屬環(huán)170，并在第一金屬球150的位置形成凹槽190曝露出第一金屬球150用以與ー上封裝體電性連接。更詳細來說，在本實施例中，載板110可為一有機基板(organic substrate),包含線路層111、核心層112、阻焊層113、導通孔114、絕緣層117以及焊墊118，其中核心層112為一中間層，線路層111位于核心層112的上下兩面用以導電、傳導信號或接地，一般由銅箔層蝕刻而成，并且上下兩面的線路層111通過導通孔114電性連接，導通孔114中一般鍍有導電材質(zhì)，如銅等。在核心層112的上表面或下表面，線路層111可能有兩層或以上，此時相鄰的兩層線路層111之間可以另外夾設(shè)有絕緣層117。同一線路層111的相鄰線路之間則具有阻焊層113，用以進行絕緣以及保護。焊墊118于上表面115曝露出來，用以放置第一導電金屬球150，第一導電金屬球150通過焊墊118電性連接至載板110。在圖I及圖IA中線路層111及阻焊層113僅是用以示意，并不代表其實際布局的圖案設(shè)計。載板110下表面上116上形成數(shù)個錫球180對外進行電性連接。但是本專利技術(shù)并不限于此，載板110亦可是其它類型的載板，如陶瓷載板(ceramic substrate)或引線框架(Ieadframe),亦可通過引腳(lead)或針腳(pin)等方式對外進行電性連接。在本實施例中，芯片120通過凸塊130以倒裝方式與載板110進行電性連接，底膠140用以填充芯片120與載板110之間的間隙，但是并不限于此，例如亦可采用如打線方式(wire bonding)接合。同時,下封裝體構(gòu)造100中也可以包含多個芯片120,并可選擇以上下堆疊或水平鄰接的方式放置于載板110的上表面115上。在本實施例中，焊墊118位于載板110上表面115的邊緣位置，并圍繞(環(huán)繞)芯片120所在的區(qū)域，其中焊墊118例如可以用數(shù)組(array)的方式排列在芯片120所在的區(qū)域的周圍。但是，本專利技術(shù)并不限于此種布局方式，焊墊118的數(shù)量以及環(huán)繞的層數(shù)亦可根據(jù)設(shè)計的需求做相應的調(diào)整，并且焊墊118可以根據(jù)設(shè)計需要位于載板110的上表面115的任何位置。再者，封膠體160位于載板110上表面115側(cè)，用以包覆芯片120、強化金屬環(huán)170，并在焊墊118的位置形成凹槽190，以曝露出焊墊118，用以通過焊墊118與放置于其上的第一金屬球150與一上封裝體電性連接。在本實施例中，強化金屬環(huán)170位于載板110上表面115,并設(shè)置于焊墊118與芯 片120之間的區(qū)域，此種布局可以更好的平衡下封裝體構(gòu)造100的整體應カ分布。本專利技術(shù)可根據(jù)焊墊118在載板110的上表面115上的布局需要，對強化金屬環(huán)170做相應的布局位置及形狀的調(diào)整。本實施例中，強化金屬環(huán)170的高度不限，可以高于、低于或等于芯片120放置于載板110上的高度，在后述的實施例中將針對ー些不同本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造，其特征在于：所述堆疊封裝的下封裝體構(gòu)造包含：一載板，包含一上表面；至少一芯片，位于所述載板的上表面并電性連接至所述載板；數(shù)個焊墊，位于所述載板的上表面；以及一強化金屬環(huán)，位于所述載板的上表面，并設(shè)置于所述芯片及所述焊墊之間。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃東鴻，唐和明，李英志，
申請(專利權(quán))人：日月光半導體股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：