半導體封裝構造及其制造方法技術

一種半導體封裝構造及其制造方法，所述方法包含：提供一晶圓；于所述晶圓的一第一表面進行第一次切割，以形成數個切槽，所述切槽將所述晶圓分成數個芯片單元，所述芯片單元包含第一表面，背對第一表面的第二表面及位于切槽內的側面；形成一導電遮罩層于所述晶圓上，使所述導電遮罩層覆蓋所述芯片單元的第一表面及側面并填滿所述切槽；對應所述切槽的位置對所述遮罩層進行第二次切割；以及于每一芯片單元未覆蓋遮罩層的第二表面設置一接地導線連接所述遮罩層。所述制造方法可避免遮罩層附著于底膠，提供良好的抗翹曲能力與散熱效果。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種封裝構造，特別是有關于一種可避免電磁干擾的。
技術介紹
現今，半導體封裝產業發展出各種不同型式的封裝構造，以滿足各種需求。一般的半導體封裝構造是在一芯片的有源表面設置多個導電凸塊，使有源表面通過導電凸塊設置于一基板上，接著再從所述芯片側邊將底膠(under fill)填充于所述芯片與所述基板之間，以增強整體連接結構。由于靜電或是外部電磁波的影響會干擾半導體封裝構造內部芯片的電子訊號，因·此，半導體封裝構造的外部通常會再設置一接地的金屬蓋(metal cap)以包圍芯片的外側及上側，或是通過濺鍍或電鍍等的方式形成一金屬鍍膜來覆蓋芯片的背面，以通過上述方式達到金屬遮罩的效果，也稱作電磁波遮蔽效應，可降低外界電荷、電磁波的影響。然而，前述金屬蓋的材料成本高，且占據空間。若使用目前金屬鍍膜，由于金屬鍍膜是形成在底膠填入芯片與基板之間以后，為了接地，金屬鍍膜將不可避免的延伸覆蓋于底膠上以便電性連接到基板上的接地電路。由于金屬鍍膜與底膠的材質迥異，熱膨脹系數(CTE)不同，使得金屬鍍膜在底膠表面的附著力不佳，導致金屬鍍膜在冷熱交替下容易出現裂痕甚至與底膠分離的情況，造成接地線路產生斷路，因此電磁波遮蔽效果的可靠度不佳。故，有必要提供一種，以解決現有技術所存在的問題。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于提供一種半導體封裝構造的制造方法，其在芯片單元設置于基板前先設置導電遮罩層，可解決現有技術因為導電遮罩層與底膠之間的附著力不佳導致導電遮罩層與底膠分離的技術問題。為達成前述目的，本專利技術一實施例提供一種半導體封裝構造的制造方法，所述半導體封裝構造的制造方法包含下列步驟s1:提供一晶圓；S2 :于所述晶圓的一第一表面進行第一次切割，以形成數個切槽，所述切槽將所述晶圓分成數個芯片單元，所述芯片單元包含第一表面，背對第一表面的第二表面及位于切槽內的側面；S3:形成一導電遮罩層于所述數個芯片單元上，以使所述導電遮罩層覆蓋所述芯片單元的第一表面及側面并填滿所述切槽；S4 :對應所述切槽的位置對所述導電遮罩層進行第二次切割；以及S5 :于每一芯片單元未覆蓋導電遮罩層的一第二表面形成一接地導線連接所述導電遮罩層。本專利技術另一實施例提供一種半導體封裝構造，其包含一基板、一芯片單元、一底膠、一導電遮罩層及一接地導線。所述芯片單兀包含第一表面，背對第一表面的第二表面及位于第一表面及第二表面之間的側面，通過多個導電凸塊設于所述基板的第二表面上，所述導電凸塊連接所述芯片單元第二表面的一有源表面；所述底膠涂布于所述芯片單元與所述基板之間；所述導電遮罩層設置于所述芯片單元的第一表面及側面，所述遮罩層用于覆蓋所述芯片單元的一側面的側部具有一切割表面，所述切割表面比所述導電遮罩層的頂部的表面粗糙；以及所述接地導線連接于所述遮罩層的側部與其中一所述導電凸塊之間。由于在底膠尚未設置的時候即完成遮罩層的設置，不需要附著于底膠上而通過導電凸塊達到接地的目的，因此，本專利技術可解決現有技術因為導電遮罩層與底膠之間的附著力不佳導致導電遮罩層與底膠分離的技術問題。附圖說明圖1是本專利技術一實施例的半導體封裝構造的結構示意圖。圖2是圖1的芯片單元的設有導電凸塊的有源表面的正面示意圖。圖3是本專利技術另一實施例的半導體封裝構造的結構示意圖。 圖4是本專利技術又一實施例的半導體封裝構造的結構示意圖。圖5A 5H是本專利技術一實施例的半導體封裝構造的制造流程示意圖。圖6A 6F是本專利技術另一實施例的半導體封裝構造的制造流程示意圖。具體實施例方式為讓本專利技術上述目的、特征及優點更明顯易懂，下文特舉本專利技術較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本專利技術所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術，而非用以限制本專利技術。請參照圖1所示，圖1是本專利技術一實施例的半導體封裝構造的結構示意圖。本專利技術所揭示的半導體封裝構造包含一基板10、一芯片單元11、底膠12、一導電遮罩層13及一接地導線14。所述基板10包括至少一線路層10a。當基板10包括多層線路層，此些線路層IOa可以導電孔電性連接?；?0更包括至少一接地部10b，其電性連接于基板10的線路層10a?；蹇蔀樘沾?、硅晶、高分子樹脂或復合材料為主體，本專利技術一實施例為一封裝等級的小型多層印刷電路板，且可由玻璃纖維及環氧樹脂先構成其絕緣層，再由絕緣層與電路層交替堆疊而成。所述芯片單元11包含第一表面，背對第一表面且面向基板10的第二表面及位于第一表面及第二表面之間的側面，并具有一位于第二表面的有源表面，所述有源表面包含至少一電路層，電路層上具有數個焊墊103，焊墊103上有導電凸塊100，所述導電凸塊100可以是選自銅、金、錫或鎳的金屬球狀或柱狀凸塊結構，或者是選自銅、金、錫及鎳的任一組合的金屬復合凸塊結構，芯片單元11可透過導電凸塊或是于導電凸塊上再上焊球的復合凸塊結構與基板10形成機械以及電性連結。再者，所述電路層還包含所述接地導線14，所述接地導線14與導電凸塊100彼此電性連結。所述底膠12是涂布于所述芯片單元11與所述基板10之間。所述底膠12可以是熱固性材料，例如環氧樹脂(Epoxy)。 所述導電遮罩層13是金屬材質，設置于所述芯片單元11的第一表面及側面，所述導電遮罩層13用于覆蓋所述芯片單元11側面的側部具有一切割表面。值得注意的是，所述導電遮罩層13的側部厚度是相對薄于所述導電遮罩層13的頂部厚度；且所述切割表面比所述導電遮罩層13的頂部表面具有更高的表面粗糙度。進一步參考圖2所示，圖2是圖1的芯片單元的設有導電凸塊的有源表面的正面示意圖，所述接地導線14是連接于所述導電遮罩層13的側部底緣與其中一所述導電凸塊100之間。再者，所述導電凸塊100的周邊還設有一密封圈101(seal ring)，所述密封圈101為點膠至所述芯片單元11的有源表面上并加以固化處理的絕緣膠體，以防止所述導電遮罩層13與有源表面的電路意外導通。請參照圖3所示，所述半導體封裝構造可進一步包含一封裝膠體15，所述封裝膠體15包覆所述導電遮罩層13與所述芯片單元11。或者，如圖4所示，所述封裝膠體15a可包覆所述導電遮罩層13的側部，并使所述導電遮罩層13的頂面裸露出，以對所述芯片單元11提供散熱作用。有關上述本專利技術的半導體封裝構造的制造方法，請參考圖5A 5H所示，其概要揭 示本專利技術一實施例的半導體封裝構造的制造流程示意圖。本專利技術的半導體封裝構造的制造方法主要包含下列步驟S1:提供一晶圓I ;S2 :于所述晶圓I的一第一表面(即相對有源表面的背面)進行第一次切割，以形成數個切槽102，所述切槽102將所述晶圓I分成數個芯片單元11，其中如圖5A所示，所述切槽102并不貫穿晶圓，所述切槽的深度是小于所述晶圓I的厚度；S3 :形成一導電遮罩層13于所述晶圓I上，使所述導電遮罩層13覆蓋所述芯片單元11并填滿所述切槽102，如圖5B所示，本專利技術的一實施方式是通過金屬鍍膜形成導電遮罩層13，例如電鍍方法；S4 :對應所述切槽102的位置對所述導電遮罩層13進行第二次切割，如圖5C所示，其中，所述導電遮罩層13在所述切槽102的切割本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步驟：S1：提供一晶圓；S2：于所述晶圓的一第一表面進行第一次切割，以形成數個切槽，所述切槽將所述晶圓分成數個芯片單元，所述芯片單元包含第一表面，背對第一表面的第二表面及位于切槽內的側面；S3：形成一導電遮罩層于所述數個芯片單元上，以使所述導電遮罩層覆蓋所述芯片單元的第一表面及側面并填滿所述切槽；S4：對應所述切槽的位置對所述導電遮罩層進行第二次切割；以及S5：于每一芯片單元未覆蓋導電遮罩層的第二表面形成一接地導線連接所述導電遮罩層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：洪嘉臨，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：