封裝基板的構造及其制造方法技術

本發明專利技術公開一種封裝基板的構造及其制造方法，所述封裝基板包含：一電路層，所述電路層上具有至少一連接墊；至少一導電柱，形成在所述連接墊上，所述導電柱具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊；以及一介電層，覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導電柱。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術是有關于一種封裝基板的構造及其制造方法，特別是有關于一種可增加層間導通孔結合可靠度的的封裝基板的構造及其制造方法。
技術介紹
現今，半導體封裝產業為了滿足各種高密度及微型化的封裝需求，以供更多有源、無源元件及電路載接，半導體封裝亦逐漸由雙層電路發展出多層電路板(multi-layercircuit board),在有限空間下利用層間連接技術(Interlayerconnection)以擴大半導體封裝基板(substrate)上可供運用的電路布局面積，以達到高電路密度的積體電路需要，降低封裝基板的厚度，以在相同基板單位面積下容納更大量的電路及電子元件。一般多層電路電路封裝基板主要由多個電路層(circuit layer)及多個介電層 (dielectric layer)交替迭合所構成。通常電路層是由銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝所制成，一般具有至少一電路及至少一連接墊；而介電層形成于電路層之間，用以保護并隔開各個電路層；且一般各電路層是利用激光鉆孔在介電層上形成激光燒灼孔，之后再用金屬材料將孔填起形成導通孔(via)結構。但由于激光照射加熱的特性，所形成的激光燒灼孔徑通常是一上寬下窄的倒錐狀孔，造成導通孔與連接墊所接觸結合的面積較小。此種結合面積較小的導通孔對于高電流的應用，可能會造成高電阻的限制，因而影響電磁信號傳遞性能，甚至影響導體的可靠性和產品壽命。再者，另一種形成層間導通的方式則是以圖案化光刻膠搭配電鍍的方式，在圖案化光刻膠裸露的電路層上電鍍形成銅柱(copper pillar)，接著再移除圖案化光刻膠及壓合介電層，所述銅柱可以是圓柱形或可為其他形狀的柱狀體。此種銅柱通常是有等寬的孔徑，雖較激光鉆孔技術所形成的接觸面積相對較大些，但為了更進一步降低與連接墊之間的結合接觸面的電阻，并提高電磁信號的性能，故仍有必要提供一種封裝基板的構造及其制造方法，以解決現有技術所存在的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供一種封裝基板的構造，以解決現有技術所存在的電路基板接觸結合面可靠度的問題。本專利技術的主要目的在于提供一種封裝基板的構造及其制造方法，其可以通過可調控激光照射搭配圖案化光刻膠層的工藝，實現封裝基板層間結合接觸面積的擴增，進而降低與電路層之間的結合接觸面的電阻，以提高電磁信號的性能。為達成本專利技術的前述目的，本專利技術一實施例提供一種封裝基板的構造，其中所述封裝基板的構造包含一電路層、至少一導電柱及一介電層。所述電路層具有至少一連接墊。所述導電柱形成于所述連接墊上，所述導電柱具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊。所述介電層覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導電柱。再者，本專利技術另一實施例提供另一種封裝基板的制造方法，其中所述制造方法包含以下步驟提供一電路層；形成一光刻膠層于所述電路層上；以一可調控光源照射所述光刻膠層以形成至少一開孔，其中所述開孔具有一小孔部，一大孔部及一側孔壁連接所述小孔部和所述大孔部，所述大孔部的面積大于所述小孔部的面積，所述大孔部相對接近所述連接墊；在所述開孔中電鍍上一導電材料，以形成至少一導電柱在所述連接墊上，所述導電柱各具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊；移除所述光刻膠層；以及形成一介電層于所述電路層上，并包覆所述導電柱。與現有技術相比較，本專利技術的封裝基板的構造，這樣不但可使電路層及導電柱之間的電性連接結構更可靠，還可以確保芯片的信號傳輸效果。為讓本專利技術的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作 詳細說明如下附圖說明圖I是本專利技術一實施例封裝基板的剖面示意圖。圖IA是本專利技術另一實施例封裝基板的導電柱的局部放大剖面示意圖。圖IB是本專利技術又一實施例封裝基板的導電柱的局部放大剖面示意圖。圖2是本專利技術再一實施例封裝基板的剖面示意圖。圖3A-3H是以剖面示意圖的方式表示本專利技術一實施例制造方法的步驟。具體實施例方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本專利技術可用以實施的特定實施例。再者，本專利技術所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「頂」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」、「周圍」、「中央」、「水平」、「橫向」、「垂直」、「縱向」、「軸向」、「徑向」、「最上層」或「最下層」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術，而非用以限制本專利技術。請參照圖I所示，本專利技術一實施例的封裝基板I主要包含一電路層11’、至少一連接墊111’，至少一導電柱12及一介電層13。所述電路層11’具有至少一連接墊111’。所述導電柱12形成于所述連接墊111’上，具有一第一表面121、一第二表面122及一側壁123連接所述第一表面121和所述第二表面122，所述第二表面122的面積大于所述第一表面121的面積，所述第二表面122結合于所述連接墊111’。所述介電層13覆蓋于所述電路層11’上，并包覆所述導電柱12，并且所述導電柱12的具有一圓形或者多邊形的橫截面，其中多邊形可能是三角形，四邊形或者其他形狀。在本實施例中，所述電路層11’是以銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝形成至少一圖案電路及至少一連接墊111’于一承載板或工作臺上，并與所述導電柱12電性連接。所述電路層11’的材質例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此。所述電路層11’在此可做為一外電路層使用，并可選擇再涂布一層阻焊層(未繪示)，僅由所述阻焊層裸露一部份所述電路層11’，以做為焊墊用途。請再參照圖I所示，一并參照圖IA及1B，在本實施例中，所述導電柱12是預先以圖案化光刻膠搭配電鍍的工藝形成的，接著才被包埋在所述介電層13內。并且所述導電柱12具有一第一表面121、一第二表面122及一側壁123連接所述第一表面121和所述第二表面122，并且所述第二表面122的面積大于所述第一表面121的面積，使所述導電柱12呈現一端大另一端小的柱體，例如，如圖IA所示，所述導電柱12的形狀為一段約為一等橫截面積直柱狀體部分與一段具有內凹弧面的柱狀體部分的結合，也就是所述側壁123具有一內凹弧面結構，所述內凹弧面結構的高度優選小于或等于所述導電柱12的高度的一半，如所述內凹弧面結構的高度等于所述導電柱12的高度的1/3，1/4或者更少；如圖IB所示，所述導電柱12的形狀亦可為一段約為一等橫截面積的直柱狀體部分與一段具有平直傾斜面的柱狀體部分的結合，也就是所述側壁123具有一平直傾斜面結構，所述平直傾斜面的高度優選小于或等于所述導電柱12的高度的一半，如所述平直傾斜面的高度等于所述導電柱12的高度的1/3，1/4或者更少。另外，所述導電柱12還可以是所述側壁123從所述第一表面121開始逐漸外擴至所述第二表面122，即具有一內凹弧面連續增大的內凹弧面結構，即所述內凹弧面結構的高度等于所述導電柱12的高度。所述第二表面122結合于所述連接墊111’，且所述第二表面的面積小于所述連接墊的上表面的面積(所述連接墊的上表面是指與所述第二表面122結合的表面)，所述第一表面121則相對遠本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種封裝基板的構造，其特征在于：所述封裝基板的構造包含：一電路層，所述電路層具有至少一連接墊；至少一導電柱，形成在所述連接墊上，所述導電柱具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊；以及一介電層，覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導電柱。

【技術特征摘要】
1.一種封裝基板的構造，其特征在于所述封裝基板的構造包含 一電路層，所述電路層具有至少一連接墊； 至少一導電柱，形成在所述連接墊上，所述導電柱具有一第一表面、一第二表面及一側壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結合于所述連接墊；以及一介電層，覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導電柱。2.如權利要求I所述的封裝基板的構造，其特征在于所述導電柱的材料為銅。3.如權利要求I所述的封裝基板的構造，其特征在于所述第二表面的面積小于所述連接墊的一上表面的面積。4.如權利要求I所述的封裝基板的構造，其特征在于所述側壁具有一內凹弧面結構。5.如權利要求4所述的封裝基板的構造，其特征在于所述內凹弧面結構的高度等于所述導電柱的高度。6.如權利要求4所述的封裝基板的構造，其特征在于所述內凹弧面結構的高度小于或等于所述導電柱的高度的一半。7.如權利要求I所述的封裝基板的構造，其特征在于所述導電柱的高度大于40微米。8.如權利要求I所述的封裝基板的構造，其特征在于所述導電柱的橫截面為圓形。9.如權利要求8所述的封裝基板的構造，其特征在于所述導電柱的第一表面的直徑大于50微米。10.如權利要求8所述的封裝基板的構造，其特征在于所述導電柱的第二表面的直徑與所述第一表面的直徑相差大于30微米。11.一種封裝基板的制造方法，其特征在于所述制造方法包含步驟 (a)...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陸松濤，黃建華，王德峻，羅光淋，方仁廣，
申請(專利權)人：日月光半導體上海股份有限公司，
類型：發明
國別省市：