封裝基板的構(gòu)造制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開一種封裝基板的構(gòu)造，所述封裝基板包含：一電路層，所述電路層上具有至少一連接墊；至少一導(dǎo)電柱，形成在所述連接墊上，所述導(dǎo)電柱具有一第一表面、一第二表面及一側(cè)壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結(jié)合于所述連接墊；以及一介電層，覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導(dǎo)電柱。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種封裝基板的構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種可增加層間導(dǎo)通孔結(jié)合可靠度的的封裝基板的構(gòu)造。
技術(shù)介紹
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度及微型化的封裝需求，以供更多有源、無源元件及電路載接，半導(dǎo)體封裝亦逐漸由雙層電路發(fā)展出多層電路板(mult1-layercircuit board),在有限空間下利用層間連接技術(shù)(Interlayer connection)以擴(kuò)大半導(dǎo)體封裝基板(substrate)上可供運(yùn)用的電路布局面積，以達(dá)到高電路密度的積體電路需要，降低封裝基板的厚度，以在相同基板單位面積下容納更大量的電路及電子元件。一般多層電路電路封裝基板主要由多個電路層(circuit layer)及多個介電層(dielectric layer)交替迭合所構(gòu)成。通常電路層是由銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝所制成，一般具有至少一電路及至少一連接墊；而介電層形成于電路層之間，用以保護(hù)并隔開各個電路層；且一般各電路層是利用激光鉆孔在介電層上形成激光燒灼孔，之后再用金屬材料將孔填起形成導(dǎo)通孔(via)結(jié)構(gòu)。但由于激光照射加熱的特性，所形成的激光燒灼孔徑通常是一上寬下窄的倒錐狀孔，造成導(dǎo)通孔與連接墊所接觸結(jié)合的面積較小。此種結(jié)合面積較小的導(dǎo)通孔對于高電流的應(yīng)用，可能會造成高電阻的限制，因而影響電磁信號傳遞性能，甚至影響導(dǎo)體的可靠性和產(chǎn)品壽命。再者，另一種形成層間導(dǎo)通的方式則是以圖案化光刻膠搭配電鍍的方式，在圖案化光刻膠裸露的電路層上電鍍形成銅柱(copper pillar)，接著再移除圖案化光刻膠及壓合介電層，所述銅柱可以是圓柱形或可為其他形狀的柱狀體。此種銅柱通常是有等寬的孔徑，雖較激光鉆孔技術(shù)所形成的接觸面積相對較大些，但為了更進(jìn)一步降低與連接墊之間的結(jié)合接觸面的電阻，并提高電磁信號的性能，故仍有必要提供一種封裝基板的構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，本技術(shù)提供一種封裝基板的構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的電路基板接觸結(jié)合面可靠度的問題。本技術(shù)的主要目的在于提供一種封裝基板的構(gòu)造，其可以通過可調(diào)控激光照射搭配圖案化光刻膠層的工藝，實(shí)現(xiàn)封裝基板層間結(jié)合接觸面積的擴(kuò)增，進(jìn)而降低與電路層之間的結(jié)合接觸面的電阻，以提高電磁信號的性能。為達(dá)成本技術(shù)的前述目的， 本技術(shù)一實(shí)施例提供一種封裝基板的構(gòu)造，其中所述封裝基板的構(gòu)造包含一電路層、至少一導(dǎo)電柱及一介電層。所述電路層具有至少一連接墊。所述導(dǎo)電柱形成于所述連接墊上，所述導(dǎo)電柱具有一第一表面、一第二表面及一側(cè)壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結(jié)合于所述連接墊。所述介電層覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導(dǎo)電柱。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本技術(shù)的封裝基板的構(gòu)造，這樣不但可使電路層及導(dǎo)電柱之間的電性連接結(jié)構(gòu)更可靠，還可以確保芯片的信號傳輸效果。附圖說明圖1是本技術(shù)一實(shí)施例封裝基板的剖面示意圖。圖1A是本技術(shù)另一實(shí)施例封裝基板的導(dǎo)電柱的局部放大剖面示意圖。圖1B是本技術(shù)又一實(shí)施例封裝基板的導(dǎo)電柱的局部放大剖面示意圖。圖2是本技術(shù)再一實(shí)施例封裝基板的剖面示意圖。圖3A-3H是以剖面示意圖的方式表示本技術(shù)一實(shí)施例制造方法的步驟。具體實(shí)施方式以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本技術(shù)可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本技術(shù)所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「頂」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」、「周圍」、「中央」、「水平」、「橫向」、「垂直」、「縱向」、「軸向」、「徑向」、「最上層」或「最下層」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本技術(shù) ，而非用以限制本技術(shù)。請參照圖1所示，本技術(shù)一實(shí)施例的封裝基板I主要包含一電路層11’、至少一連接墊111’，至少一導(dǎo)電柱12及一介電層13。所述電路層11’具有至少一連接墊111’。所述導(dǎo)電柱12形成于所述連接墊111’上，具有一第一表面121、一第二表面122及一側(cè)壁123連接所述第一表面121和所述第二表面122，所述第二表面122的面積大于所述第一表面121的面積，所述第二表面122結(jié)合于所述連接墊111’。所述介電層13覆蓋于所述電路層11’上，并包覆所述導(dǎo)電柱12，并且所述導(dǎo)電柱12的具有一圓形或者多邊形的橫截面，其中多邊形可能是三角形，四邊形或者其他形狀。在本實(shí)施例中，所述電路層11’是以銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝形成至少一圖案電路及至少一連接墊111’于一承載板或工作臺上，并與所述導(dǎo)電柱12電性連接。所述電路層11’的材質(zhì)例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此。所述電路層11’在此可做為一外電路層使用，并可選擇再涂布一層阻焊層(未繪示)，僅由所述阻焊層裸露一部份所述電路層11’，以做為焊墊用途。請再參照圖1所示，一并參照圖1A及1B，在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電柱12是預(yù)先以圖案化光刻膠搭配電鍍的工藝形成的，接著才被包埋在所述介電層13內(nèi)。并且所述導(dǎo)電柱12具有一第一表面121、一第二表面122及一側(cè)壁123連接所述第一表面121和所述第二表面122，并且所述第二表面122的面積大于所述第一表面121的面積，使所述導(dǎo)電柱12呈現(xiàn)一端大另一端小的柱體，例如，如圖1A所示，所述導(dǎo)電柱12的形狀為一段約為一等橫截面積直柱狀體部分與一段具有內(nèi)凹弧面的柱狀體部分的結(jié)合，也就是所述側(cè)壁123具有一內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)的高度優(yōu)選小于或等于所述導(dǎo)電柱12的高度的一半，如所述內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)的高度等于所述導(dǎo)電柱12的高度的1/3，1/4或者更少；如圖1B所示，所述導(dǎo)電柱12的形狀亦可為一段約為一等橫截面積的直柱狀體部分與一段具有平直傾斜面的柱狀體部分的結(jié)合，也就是所述側(cè)壁123具有一平直傾斜面結(jié)構(gòu)，所述平直傾斜面的高度優(yōu)選小于或等于所述導(dǎo)電柱12的高度的一半，如所述平直傾斜面的高度等于所述導(dǎo)電柱12的高度的1/3，1/4或者更少。另外，所述導(dǎo)電柱12還可以是所述側(cè)壁123從所述第一表面121開始逐漸外擴(kuò)至所述第二表面122，即具有一內(nèi)凹弧面連續(xù)增大的內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)，即所述內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)的高度等于所述導(dǎo)電柱12的高度。所述第二表面122結(jié)合于所述連接墊111’，且所述第二表面的面積小于所述連接墊的上表面的面積(所述連接墊的上表面是指與所述第二表面122結(jié)合的表面)，所述第一表面121則相對遠(yuǎn)離所述連接墊111’。這些特殊形狀的導(dǎo)電柱12可通過一可調(diào)控的激光照射光刻膠層及電鍍等工藝加以實(shí)現(xiàn)。再者，所述介電層13內(nèi)的導(dǎo)電柱12的材質(zhì)例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此。所述第二表面122的面積小于所述連接墊111’的面積。所述側(cè)壁123可具有一內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)(如圖1所示)，所述內(nèi)凹弧面結(jié)構(gòu)的高度優(yōu)選小于或等于所述導(dǎo)電柱12的高度的一半。所述導(dǎo)電柱12的高度大于40微米，但并不限于此。當(dāng)所述導(dǎo)電柱12的橫截面積是圓形時，所述導(dǎo)電柱12的第一表面121的直徑大于50微米。所述導(dǎo)電柱12的第二表面122的直徑與所述第一表面121的直徑相差大于30微米，如所述導(dǎo)電柱12的第二表面122的直徑比所述第一表面121的直徑大50微米或100微米。所本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種封裝基板的構(gòu)造，其特征在于：所述封裝基板的構(gòu)造包含：一電路層，所述電路層具有至少一連接墊；至少一導(dǎo)電柱，形成在所述連接墊上，所述導(dǎo)電柱具有一第一表面、一第二表面及一側(cè)壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結(jié)合于所述連接墊；以及一介電層，覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導(dǎo)電柱。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝基板的構(gòu)造，其特征在于所述封裝基板的構(gòu)造包含 一電路層，所述電路層具有至少一連接墊； 至少一導(dǎo)電柱，形成在所述連接墊上，所述導(dǎo)電柱具有一第一表面、一第二表面及一側(cè)壁連接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面積大于所述第一表面的面積，所述第二表面結(jié)合于所述連接墊；以及 一介電層，覆蓋于所述電路層上，并包覆所述導(dǎo)電柱。2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板的構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)電柱的材料為銅。3.如權(quán)利要求1所述的封裝基板的構(gòu)造，其特征在于所述第二表面的面積小于所述連接墊的一上表面的面積。4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板的構(gòu)造，其特征在于所述側(cè)壁具...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陸松濤，黃建華，王德峻，羅光淋，方仁廣，
申請(專利權(quán))人：日月光半導(dǎo)體上海股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：