封裝基板構造制造技術

本實用新型專利技術公開一種封裝基板構造，所述封裝基板構造包含：一介電層，具有一第一表面及第二表面；一電路層，嵌埋于所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低于所述第一表面；以及至少一導電柱，設置于所述介電層內，且與所述電路層電性連接。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種封裝基板構造，特別是有關于一種最外層的電路內埋于介電層的封裝基板構造。
技術介紹
現今，半導體封裝產業為了滿足各種高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封裝需求，以供更多有源無源組件及線路連接，半導體封裝基板逐漸由雙層電路板演變成多層電路板(mult1-layer circuit board),以在有限的空間下運用層間連接技術(interlayer connection)以擴大半導體封裝基板(substrate)上可供運用的電路布局面積，以達到高電路密度的積體電路需要，降低封裝基板的厚度，以在相同基板單位面積下容納更大量的電路及電子組件。—般多層電路封裝基板主要由多個電路層(circuit layer)及多個介電層(dielectric layer)交替迭合所構成。通常電路層是由銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝所制成，一般具有至少一電路及至少一連接墊；而介電層形成于電路層之間，用以保護并隔開各個電路層；通常最外層電路層會另外形成阻焊層于外層電路層上以供保護，僅裸露出所述連接墊以供后續芯片或電子組件以連接。在以現有的基板工藝制作的基板構造中，最外層的電路層通常是凸出形成在最外層介電層的外表面上，一方面會增加多層電路板的整體厚度，另一方面由于電路層凸起狀的露出在介電層的表面上，在運輸過程中或是后續制作過程時都較容易受外界的撞擊或磨擦力而受到磨耗破壞或剝落，因而影響多層電路板的電性作用。故，有必要提供一種封裝基板構造，以解決現有技術所存在的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本技術提供一種封裝基板構造，以解決現有技術所存在的最外層電路外露而造成降低電性連接性能的問題。本技術的主要目的在于提供一種封裝基板構造，其可以利用將最外層電路層內埋在介電層內，以達到保護電路并確保最外層電路電性連接效能的目的。為達成本技術的前述目的，本技術一實施例提供一種封裝基板構造，其中所述封裝基板構造包含:一介電層、一電路層以及至少一導電柱。所述介電層具有一第一表面及第二表面。所述電路層嵌埋于所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低于所述第一表面。所述導電柱設置于所述介電層內，且與所述電路層電性連接。再者，本技術另一實施例提供另一種封裝基板構造，其中所述封裝基板構造包含:一介電層、一電路層、至少一導電柱、一增層介電層、一增層電路層以及至少一增層導電柱。所述介電層具有一第一表面及第二表面。所述電路層嵌埋于所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低于所述第一表面。所述導電柱設置于所述介電層內，且與所述電路層電性連接。所述增層介電層設置于所述介電層的第二表面。所述增層電路層位于所述增層介電層內，并電性連接所述導電柱。所述增層導電柱設置于所述增層介電層內，且與所述增層電路層電性連接。與現有技術相比較，本技術的封裝基板構造，不但可保護最外層電路免于外力的撞擊或磨耗作用，進而確保基板電性連接的效能，還可以使得基板構造更輕薄。附圖說明圖1A是本技術一實施例封裝基板構造的剖面示意圖。圖1B是本技術一實施例封裝基板構造的最外層電路層的局部放大剖面圖。圖2是本技術另一實施例封裝基板構造的剖面示意圖。圖3A-3G是本技術一實施例封裝基板構造的制造方法的示意圖。圖4是本技術另一實施例封裝基板構造的剖面示意圖。具體實施方式為讓本技術上述目的、特征及優點更明顯易懂，下文特舉本技術較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本技術所提到的方向用語，例如「上」、「下、「頂」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」、「周圍」、「中央」、「水平」、「橫向」、「垂直」、「縱向」、「軸向」、「徑向」、「最上層」或「最下層」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本技術，而非用以限制本技術。請參照圖1A所示，揭示本技術一實施例的封裝基板構造主要包含:一介電層10、一電路層11以及至少一導電柱12。所述介電層10具有一第一表面101及相對應的第二表面(未標示)。所述電路層11嵌埋于所述介電層10內，其中所述介電層10的第一表面101裸露所述電路層11的一外表面111，所述電路層11的外表面111與所述介電層10的第一表面101平齊或低于所述第一表面101。所述導電柱12設置于所述介電層10內，且與所述電路層11電性連接。請參照圖1B所示，揭示本技術一實施例封裝基板構造的最外層電路層11的局部放大剖面圖，可以更清楚看見在本實施例中，所述電路層11的外表面111的水平面可以略低于所述介電層10的第一表面101的水平面，所述電路層11的外表面111約呈平坦的二維水平面狀。這樣可以達到保護所述電路層11以避免其受到外力碰撞或摩擦。請參照圖2所示，本技術另一實施例的封裝基板構造相似于本技術一實施例，并大致沿用相同組件名稱及圖號，但另一實施例的差異特征在于:所述另一實施例的封裝基板構造進一步增設一增層電路構造，包含一增層介電層10’、一增層電路層11’以及至少一增層導電柱12’。所述增層介電層10’設置于所述介電層10的第二表面(上表面)。所述增層電路層11’位于所述增層介電層10’內，并電性連接所述導電柱12。所述增層導電柱12’設置于所述增層介電層10’內，且與所述增層電路層11’電性連接。上述特征的優點在于:即使增層，其最外層的電路層11仍舊嵌埋于所述介電層10內。因此，不但可保護最外層的電路層11免于受到外力破壞或摩擦力作用，并可減少基板厚度，因而進一步增加電性連接性能及基板輕薄的效果。在上述實施例中，所述介電層10的材料可為絕緣樹脂材料，例如玻璃纖維層經過含浸環氧樹脂(epoxy)并干燥硬化后所制成的B階化膠片(B_stage prepreg),其利用其在高溫高壓中的再熔膠以及流膠特性，壓合在所述電路層11，加熱固化即可得到所述介電層10，所述介電層10的高度約介于30至150微米之間，但并不限于此。此外，所述電路層11是以銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝形成至少一圖案電路，并與所述導電柱12電性連接。所述電路層11的材質例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此本技術將于下文利用圖3A至3G圖逐一詳細說明本技術一實施例的制作方法，其主要包含下列步驟:首先，請參照圖3A所示，先提供一載板20，在所述載板20的上表面具有一薄金屬層30可作種子層，以便后續工藝電鍍電路層及電鍍導通柱使用；接著，請參閱圖3B所示，利用一圖案化的第一光刻膠膜40a形成一圖案化電路層11，其與所述種子層30有一接觸外表面111;然后，不需移除所述第一光刻膠膜40a，請參閱圖3C所示，直接再迭合一圖案化的第二光刻膠膜40b形成至少一導電柱12與部分所述電路層11電性連接，此處為了簡化圖示，并未繪示所述第一光刻膠膜40a，但所述第二光刻膠膜40b實際上包埋了所述第一光刻膠膜40a ；之后，請參閱圖3D所示，移除所述第二光刻膠膜40b ；接著，請參閱圖3E所示，壓本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種封裝基板構造，其特征在于：所述封裝基板構造包含：一介電層，具有一第一表面及第二表面；一電路層，嵌埋于所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低于所述第一表面；以及至少一導電柱，設置于所述介電層內，且與所述電路層電性連接。

【技術特征摘要】
1.一種封裝基板構造，其特征在于:所述封裝基板構造包含: 一介電層，具有一第一表面及第二表面； 一電路層，嵌埋于所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低于所述第一表面；以及至少一導電柱，設置于所述介電層內，且與所述電路層電性連接。2.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特征在于:所述封裝基板構造還包含: 一阻焊層，設置在所述介電層的第一表面上，并裸露出部分所述電路層的外表面以作為至少一連接墊。3.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特征在于:所述電路層的外表面低于所述介電層的第一表面，所述電路層的外表面呈水平狀。4.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特征在于:所述導電柱為銅柱。5.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特征在于:所述封裝基板構造還包含: 至少一芯片，設置在所述介電層的第一表面，具有至少一金屬線或金屬球與所述電路層電性連接。6.如權利要求2所述的封裝基板構造，其特征在于:所述封裝基板構造還包含: 至少一芯片，設置在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅光淋，王德峻，
申請(專利權)人：日月光半導體上海股份有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31