本發(fā)明專利技術(shù)提出一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法，包括：掃描線，位于底層；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。本發(fā)明專利技術(shù)以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法。
技術(shù)介紹
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來(lái)顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對(duì)。形成在兩個(gè)基板上的多個(gè)電極相互正對(duì)。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因?yàn)槿缟纤鲆壕э@示裝置不發(fā)射光，它需要光源來(lái)顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖I所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。在陣 列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT) 114、陣列子像素111、掃描線110、信號(hào)線112等。信號(hào)線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級(jí)，掃描線110連接到柵極。背光源113發(fā)出的光線經(jīng)過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來(lái)控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應(yīng)的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應(yīng)的顏色；電場(chǎng)強(qiáng)度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過的光強(qiáng)不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍(lán)三種顏色的不同光強(qiáng)的組合來(lái)顯示五顏六色的圖像。近年來(lái)隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動(dòng)電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復(fù)雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術(shù)，節(jié)省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡(jiǎn)單，采用傳統(tǒng)的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和干刻技術(shù)。另外，目前的激光晶化技術(shù)還達(dá)不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因?yàn)椴恍枰す饩Щ瑒t沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優(yōu)勢(shì)，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關(guān)注，成為近幾年研究的熱點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝的金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法。本專利技術(shù)提供一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線，位于底層；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。本專利技術(shù)提供又一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線，位于底層；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；柵格狀共通電極，位于頂層，且與所述共通電極線電性連接，其中，第二絕緣層，位于柵格狀共通電極之上；所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，且所述第一絕緣層位于像素電極之上。本專利技術(shù)提供又一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；第二步在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層，并在共通電極線上的第 一絕緣層上形成第一接觸孔圖形；第三步在第一絕緣層的圖案基礎(chǔ)上形成位于像素區(qū)域內(nèi)的共通電極圖形，并通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線；第四步在形成第三步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在第一信號(hào)線、第二信號(hào)線、掃描線、共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第五步在第二絕緣層圖案上形成透明ITO層，具體形成圖案為信號(hào)線連接線、TFT源極、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、以及位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道；第六步在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形和溝道保護(hù)層圖形。本專利技術(shù)提供又一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號(hào)線、相鄰像素單元的第二信號(hào)線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；第二步在形成第一步的圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣層，并在第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上的第一絕緣層上分別形成第一接觸孔和第二接觸孔的圖形；第三步在第一絕緣層上形成透明ITO層，具體形成在第一接觸孔和第二接觸孔之間形成信號(hào)線連接線、與第二信號(hào)線的第二接觸孔連接形成的TFT源極、位于像素區(qū)域內(nèi)形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道；第四步在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形；第五步在形成第四步的圖案基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第六步在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線的接觸孔電連接?xùn)鸥駹罟餐姌O與共通電極線。本專利技術(shù)以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動(dòng)能力和簡(jiǎn)化工藝。附圖說(shuō)明圖I為現(xiàn)有液晶顯不(IXD)裝置的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為本專利技術(shù)液晶顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為圖I所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖3為圖I所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖3A為圖3所示在A-A’方向的剖視圖；圖4為圖I所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖4A為圖4所示在A-A’方向的剖視 圖5為圖I所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖5A為圖5所示在A-A’方向的剖視圖；圖6為圖I所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖6A為圖6所示在A-A’方向的剖視圖；圖7為圖I所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖7A為圖7所示在A-A’方向的剖視圖；圖8為圖I所示液晶顯示面板的第六步制造方法的示意圖；圖8A為圖8所示在A-A’方向的剖視圖；圖9為本專利技術(shù)液晶顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9A為圖9所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖10為圖9所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖IOA為圖10所示在A-A’方向的剖視圖；圖11為圖9所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖IlA為圖11所示在A-A’方向的剖視圖；圖12為圖9所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖12A為圖12所示在A_A’方向的剖視圖；圖13為圖9所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖13A為圖13所示在A_A’方向的剖視圖；圖14為圖9所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖14A為圖14所示在A-A’方向的剖視圖；圖15為圖9所不液晶顯不面板的第TK步制造方法的不意圖；圖15A為圖15所示在AA’方向的剖視圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本專利技術(shù)，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本專利技術(shù)而不用于限制本專利技術(shù)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種金屬氧化物邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括：掃描線，位于底層；信號(hào)線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號(hào)線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：焦峰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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