一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法技術

本發(fā)明專利技術提出一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法，包括：掃描線；信號線，與掃描線縱橫交叉，像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與TFT柵極、TFT源極、以及TFT漏極，所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；第一絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上。本發(fā)明專利技術以金屬氧化物作為TFT溝道半導體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法。
技術介紹
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有 一定間隔和互相正對。形成在兩個基板上的多個電極相互正對。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因為如上所述液晶顯示裝置不發(fā)射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖I所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。在陣列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT) 114、陣列子像素111、掃描線110、信號線112等。信號線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級，掃描線110連接到柵極。背光源113發(fā)出的光線經(jīng)過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應的顏色；電場強度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過的光強不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍三種顏色的不同光強的組合來顯示五顏六色的圖像。近年來隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優(yōu)點在于氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術，節(jié)省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡單，采用傳統(tǒng)的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強化學氣相沉積和干刻技術。另外，目前的激光晶化技術還達不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因為不需要激光晶化，則沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優(yōu)勢，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關注，成為近幾年研究的熱點。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的在于提供一種提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝的金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法。本專利技術提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，包括掃描線；信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上；第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上；第三絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極及像素電極之上。本專利技術又提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，包括掃描線，位于頂層；信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與柵格狀像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層；共通電極；共通電極線，位于所述共通電極線電性連接；第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上；第二絕緣層，覆蓋在信號線 、掃描線及共通電極線之上。第三絕緣層，覆蓋在信號線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。本專利技術又提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線，再形成第一絕緣層；第二步在形成第一步圖案的基礎以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線與TFT柵極的圖案；第三步在形成第二步圖案的基礎上形成第二絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線、源漏極連接線的相應位置上形成接觸孔圖形；第四步在第二絕緣層以透明ITO層形成信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT漏極、與TFT漏極連接的像素電極、與共通電極線連接的共通電極線端子連接線、以及與掃描線連接的掃描線端子連接線；第五步在形成第四步圖案的基礎上形成第三絕緣層，并共通電極線的相應位置上形成接觸孔圖形；第六步在第三絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線上的接觸孔連接柵格狀共通電極與共通電極線。本專利技術又提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線，再形成第一絕緣層；第二步在形成第一步圖案的基礎以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案；第三步在形成第二步圖案的基礎上形成第二絕緣層，并在共通電極線40’的相應位置上形成接觸孔圖形；第四步在第二絕緣層上形成共通電極圖形，該共通電極通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線；第五步在形成第四步圖案的基礎上形成第三絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線和源漏極連接線的相應位置上形成接觸孔圖形；第六步在第三絕緣層以透明ITO層形成信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT漏極、與TFT漏極連接的柵格狀像素電極、與共通電極線連接的共通電極線端子連接線、以及與掃描線連接的掃描線端子連接線。本專利技術以金屬氧化物作為TFT溝道半導體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。附圖說明圖I為現(xiàn)有液晶顯不(IXD)裝置的結(jié)構不意 圖2為本專利技術液晶顯示面板第一實施例的結(jié)構示意圖；圖2A為圖I所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖3為圖I所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖3A為圖3所示在A-A’方向的剖視圖；圖4為圖I所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖4A為圖4所示在A-A’方向的剖視圖；圖5為圖I所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖5A為圖5所示在A-A’方向的剖視圖；圖6為圖I所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖6A為圖6所示在A-A’方向的剖視圖；圖7為圖I所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖7A為圖7所示在A-A’方向的剖視圖；圖8為圖I所示液晶顯示面板的第六步制造方法的示意圖；圖8A為圖8所示在A-A’方向的剖視圖；圖9為本專利技術液晶顯示面板第二實施例的結(jié)構示意圖；圖9A為圖9所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖10為圖9所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖IOA為圖10所示在A-A’方向的剖視圖；圖11為圖9所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖IlA為圖11所示在A-A’方向的剖視圖；圖12為圖9所示液晶顯示面板的第三步制造本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：掃描線；信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上；第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上；第三絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極及像素電極之上。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：焦峰，
申請(專利權)人：南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：