一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法技術

本發明專利技術提出一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法，包括：掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。本發明專利技術以金屬氧化物作為TFT溝道半導體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅動能力和簡化工藝。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法。
技術介紹
傳統的CRT顯示器依靠陰極射線管發射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對。形成在兩個基板上的多個電極相互正對。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因為如上所述液晶顯示裝置不發射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖I所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數各向異性的物質。在陣 列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT) 114、陣列子像素111、掃描線110、信號線112等。信號線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級，掃描線110連接到柵極。背光源113發出的光線經過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應的顏色；電場強度不同，液晶分子的偏轉角度也不同，透過的光強不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍三種顏色的不同光強的組合來顯示五顏六色的圖像。近年來隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅動電路的頻率不斷提高，現有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優點在于氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術，節省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡單，采用傳統的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強化學氣相沉積和干刻技術。另外，目前的激光晶化技術還達不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因為不需要激光晶化，則沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優勢，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關注，成為近幾年研究的熱點。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種提高TFT驅動能力和簡化工藝的金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法。本專利技術提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，包括掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。本專利技術提供又一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，包括掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；第二絕緣層；柵格狀共通電極，位于頂層，且與所述共通電極線電性連接，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，且所述第二絕緣層位于像素電極之上。本專利技術又一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案； 第二步在形成第一步的圖案的基礎上形成第一絕緣層，并在共通電極線上的第一絕緣層上形成第一接觸孔圖形；第三步在第一絕緣層的圖案基礎上形成共通電極圖形，并通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線；第四步在形成第三步的圖案基礎上形成第二絕緣層，并在第一信號線、第二信號線、掃描線、共通電極線相應位置上形成接觸孔圖形；第五步在第二絕緣層圖案上形成金屬氧化物層，金屬氧化物層連接在第一信號線與第二信號線之間的斷開連接起來形成信號線圖案；金屬氧化物在共通電極上方的第二絕緣層上形成柵格狀像素電極圖案；金屬氧化物層連接在第二信號線與柵格狀像素電極之間形成TFT源漏極層圖案；第六步在TFT柵極上方的TFT源漏極層上形成保護層圖案，再利用離子注入方式讓保護層圖案以外的金屬氧化物成為具有導體特性的透明電極。本專利技術又一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；第二步在形成第一步的圖案的基礎上形成第一絕緣層，并在第一信號線和第二信號線上的第一絕緣層上分別形成第一接觸孔和第二接觸孔和圖形；第三步在第一絕緣層上以金屬氧化物形成信號線連接線、TFT源漏極連接線和像素電極；第四步在TFT柵極上方的TFT源漏極連接線上形成保護層圖案，然后利用離子注入方式讓保護層圖案以外的金屬氧化物成為具有導體特性的透明電極；第五步在形成第四步的圖案基礎上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應位置上形成接觸孔圖形；第六步在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線上的接觸孔電連接柵格狀共通電極與共通電極線。本專利技術以金屬氧化物作為TFT溝道半導體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅動能力和簡化工藝。附圖說明圖I為現有液晶顯不(IXD)裝置的結構不意圖；圖2為本專利技術液晶顯示面板第一實施例的結構示意圖；圖2A為圖I所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖3為圖I所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖3A為圖3所示在A-A’方向的剖視圖；圖4為圖I所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意 圖；圖4A為圖4所示在A-A’方向的剖視圖；圖5為圖I所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖5A為圖5所示在A-A’方向的剖視圖；圖6為圖I所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖6A為圖6所示在A-A’方向的剖視圖；圖7為圖I所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖7A為圖7所示在A-A’方向的剖視圖；圖8為圖I所示液晶顯示面板的第六步制造方法的示意圖；圖8A為圖8所示在A-A’方向的剖視圖；圖9為本專利技術液晶顯示面板第二實施例的結構示意圖；圖9A為圖9所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖10為圖9所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖IOA為圖10所示在A-A’方向的剖視圖；圖11為圖9所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖IlA為圖11所示在A-A’方向的剖視圖；圖12為圖9所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖12A為圖12所示在A-A’方向的剖視圖；圖13為圖9所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖13A為圖13所示在A-A’方向的剖視圖；圖14為圖9所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖14A為圖14所示在A-A’方向的剖視圖；圖15為圖9所不液晶顯不面板的第TK步制造方法的不意圖；圖15A為圖15所示在A-A’方向的剖視圖。具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例，進ー步闡明本專利技術，應理解這些實施例僅用于說明本專利技術而不用于限制本專利技術的范圍，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：掃描線，位于底層；信號線，與掃描線縱橫交叉；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；共通電極線，位于底層；第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；共通電極，與所述共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：焦峰，王海宏，
申請(專利權)人：南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司，
類型：發明
國別省市：