有關(guān)未被抽樣的工件的數(shù)據(jù)表示制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及有關(guān)未被抽樣的工件的數(shù)據(jù)表示。本發(fā)明專利技術(shù)揭示了一種提供與未被抽樣的工件相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)表示之方法、裝置、及系統(tǒng)。接收與第一工件有關(guān)的所測量之量測數(shù)據(jù)(metrology?data)。根據(jù)與該第一工件有關(guān)的量測數(shù)據(jù)，而求與第二工件對應的量測數(shù)據(jù)之近似值，以便提供與該第二工件有關(guān)的預計(projected)量測數(shù)據(jù)。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)系大致有關(guān)半導體制造，且詳而言之，系有關(guān)一種用來提供與先前并未被抽樣的工件相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)表示之方法及裝置。
技術(shù)介紹
制造業(yè)中技術(shù)的急速發(fā)展已導致了許多新穎且創(chuàng)新的制程。現(xiàn)今的制程(尤其是半導體制程)需要許多的重要步驟。這些制程步驟通常是極其重要的，因而需要通常被精 細調(diào)整的一些輸入，以便保持適當?shù)闹圃炜刂啤０雽w裝置的制造需要若干獨立的制程步驟，以便從半導體原料作出封裝的半導體裝置。自半導體材料的起始生長、將半導體晶體切割成個別的晶圓、制造階段(蝕刻、摻雜、或離子植入等的階段)至成品裝置的封裝及最后測試之各種制程都是互不相同且專業(yè)化，因而可能在包含不同控制架構(gòu)的不同制造場所中執(zhí)行該等制程。—般而言，系對一組半導體晶圓(有時被稱為一批(a lot)半導體晶圓)執(zhí)行一組制程步驟。例如，可在半導體晶圓上形成由各種不同材料構(gòu)成的制程層。然后可利用習知的微影技術(shù)在該制程層之上形成有圖案的光阻層。一般隨即利用該有圖案的光阻層作為屏蔽，而對該制程層執(zhí)行蝕刻制程。該蝕刻制程使得在該制程層中形成各種特征部位或物體。可將此種特征部位用于諸如晶體管的閘電極結(jié)構(gòu)。經(jīng)常也在半導體晶圓之基板中形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以便隔離半導體晶圓中之一些電性區(qū)域。可被使用的隔離結(jié)構(gòu)的一個例子是淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation ;簡稱STI)結(jié)構(gòu)。半導體制造廠內(nèi)的制造工具通常系連接到制造架構(gòu)或網(wǎng)絡(luò)的制程模塊。每一制造工具通常被連接到設(shè)備接口。該設(shè)備接口被連接到制造網(wǎng)絡(luò)所連接的機器接口，因而有助于該制造工具與該制造架構(gòu)間之通訊。該機器接口通常可能是先進制程控制(AdvancedProcess Control ;簡稱APC)系統(tǒng)中的部分。該APC系統(tǒng)激活控制描述語言程序，該控制描述語言程序可以是用來自動擷取制程執(zhí)行所需的的數(shù)據(jù)之軟件程序。圖I示出典型的半導體晶圓(105)。半導體晶圓(105)通常包含復數(shù)個被配置成格子形(150)之個別半導體晶粒(103)。可使用習知的微影制程及設(shè)備，而在將要產(chǎn)生圖案的一個或多個制程層上形成有圖案的光阻層。根據(jù)所采用特定光罩的情形，通常系利用步進機(stepper)而一次對單一或多個晶粒(103)位置執(zhí)行曝光制程，作為該微影制程的部分。在對一層或多層下層材料(例如，多晶硅層、金屬層、或絕緣材料層)執(zhí)行濕式或干式蝕刻制程期間，可將該有圖案的光阻層用來作為屏蔽，以便將所需的圖案轉(zhuǎn)移到下方層。系由將在下方制程層中復制的諸如直線類型的特征部位或開孔類型的特征部位等的復數(shù)個特征部位構(gòu)成該有圖案的光阻層。現(xiàn)在請參閱圖2，圖中示出例示先前技術(shù)的流程之流程圖。在步驟(210)中，制造系統(tǒng)可處理一個或多個半導體晶圓(105)。這些晶圓可以是一批次(a batch)或一批的部分。于對復數(shù)個晶圓執(zhí)行至少一制程時，該制造系統(tǒng)可在步驟(220)中取得與自一批次或一批晶圓選擇的晶圓有關(guān)之量測數(shù)據(jù)。可將與該等被抽樣的晶圓有關(guān)之數(shù)據(jù)用來計算對該等晶圓執(zhí)行的制程步驟之修改值。在步驟(230)中，根據(jù)所計算的調(diào)整值，可對后續(xù)晶圓執(zhí)行的制程實施回授調(diào)整。可能存在與處理半導體晶圓有關(guān)的現(xiàn)有方法相關(guān)聯(lián)之數(shù)個問題。其中一個問題包括可能無法取得被處理的大致每一晶圓之量測數(shù)據(jù)。因而在分析制程結(jié)果時可能造成數(shù)據(jù)的遺漏點。可能因遺漏的數(shù)據(jù)而造成各種負面的牽連。例如，可能因缺少與某些被處理的晶圓有關(guān)之數(shù)據(jù)，而阻礙了制程后分析(post process analysis)。經(jīng)常可能需要建立某些量測數(shù)據(jù)與制程后結(jié)果間之相關(guān)性，以便執(zhí)行制造分析。然而，現(xiàn)階段技術(shù)的方法可能只提供被抽樣的晶圓之量測數(shù)據(jù)。因此，可能在少于所需數(shù)據(jù)量的情形下執(zhí)行制程后分析，因而可能地造成制程后分析準確性的不足。此外，當執(zhí)行制程后分析時，于制程后階段，可能無法取得被分析以取得數(shù)據(jù)的某些被抽樣的晶圓。例如，先前被抽樣的晶圓可能因后續(xù)的制程錯誤而已被廢棄。因此，在對 晶圓執(zhí)行一系列制程線終止時，可能無法取得某些被抽樣的晶圓，以供進一步的制程后分析。因而在分析制程結(jié)果時可能留下顯著的缺口(gap)。此外，某些晶圓可能被轉(zhuǎn)移到重工(rework)階段或其它制程階段，因此，可能無法在制程線階段終止時取得被抽樣的晶圓。因而也可能不利的影響制程后分析。當無法取得來自大致所有的晶圓或晶圓上的晶粒區(qū)之數(shù)據(jù)時，與制程后分析有關(guān)的準確性可能會受到影響。然而，自每一被處理的晶圓取得量測數(shù)據(jù)可能不是一種有效率的制程，且可能延緩整體的制程階段。此外，當嘗試自每一被處理的晶圓取得量測數(shù)據(jù)時，可能會過度耗用工廠資源。因此，半導體業(yè)缺少一種由于缺少取得每一被處理的晶圓的量測數(shù)據(jù)之資源而造成的問題之有效率的解決方案。半導體業(yè)也缺少一種對與自抽樣一組被處理的晶圓的部分而得到量測數(shù)據(jù)中之差異相關(guān)聯(lián)的問題之有效率的解決方案。本專利技術(shù)系針對克服或至少減輕前文所述的一個或多個問題的影響之方法及裝置。
技術(shù)實現(xiàn)思路
下文中呈現(xiàn)了本專利技術(shù)的簡化概要，以提供對本專利技術(shù)的某些態(tài)樣的基本了解。該概要并不是本專利技術(shù)的徹底的概述。其目的并不是識別本專利技術(shù)的關(guān)鍵性或緊要的組件，也不是描述本專利技術(shù)的范圍。其唯一目的只是以簡化的形式呈現(xiàn)某些觀念，作為將于后文中更詳細說明之前言。在本專利技術(shù)的一態(tài)樣中，提供了一種用于求與未被抽樣的工件有關(guān)的量測值的近似值之方法。接收與第一工件有關(guān)的所測量之量測數(shù)據(jù)。根據(jù)與該第一工件有關(guān)的量測數(shù)據(jù)，而求與第二工件對應的量測數(shù)據(jù)之近似值，以便提供與該第二工件有關(guān)的預計量測數(shù)據(jù)。在本專利技術(shù)的另一態(tài)樣中，提供了一種用于求與未被抽樣的工件有關(guān)的量測值的近似值之方法。對第一工件執(zhí)行第一制程。取得因該第一制程而產(chǎn)生的與該第一工件有關(guān)的量測數(shù)據(jù)。對第二工件執(zhí)行該第一制程。將該第一制程及與該第一工件有關(guān)的量測數(shù)據(jù)間之關(guān)系模型化。決定因該第一制程而產(chǎn)生的與該第二工件有關(guān)的估計量測數(shù)據(jù)。該決定系根據(jù)該第一制程與該量測數(shù)據(jù)間之該關(guān)系之該模型化。在本專利技術(shù)的另一態(tài)樣中，提供了一種用于求與未被抽樣的工件有關(guān)的量測值的近似值之方法。對復數(shù)個工件執(zhí)行制程。自該復數(shù)個工件中選擇一組被抽樣的工件。取得與該等被抽樣的工件有關(guān)之實際量測數(shù)據(jù)。將該復數(shù)個工件與所取得的該制程的近似量測數(shù)據(jù)間之量測數(shù)據(jù)關(guān)系模型化。根據(jù)該被模型化的關(guān)系，而產(chǎn)生與未被抽樣的工件有關(guān)之預計量測數(shù)據(jù)。將該預計量測數(shù)據(jù)指定給該等未被抽樣的工件。在本專利技術(shù)的另一態(tài)樣中，提供了一種用于求與未被抽樣的工件有關(guān)的量測值的近似值之方法。對復數(shù)個工件執(zhí)行制程。自該復數(shù)個工件中選擇一組被抽樣的工件。取得與該等被抽樣的工件有關(guān)之實際量測數(shù)據(jù)。將該復數(shù)個工件與所取得的該制程的近似量測數(shù)據(jù)間之量測數(shù)據(jù)關(guān)系模型化。根據(jù)該被模 型化的關(guān)系，而產(chǎn)生與未被抽樣的工件有關(guān)之預計量測數(shù)據(jù)。儲存與未被抽樣的工件有關(guān)之該預計量測數(shù)據(jù)。在本專利技術(shù)的另一態(tài)樣中，提供了一種用于求與未被抽樣的工件有關(guān)的量測值的近似值之系統(tǒng)。本專利技術(shù)的該系統(tǒng)包含復數(shù)個工件、以及用來自該復數(shù)個工件中之樣本工件取得量測數(shù)據(jù)之量測工具。該系統(tǒng)亦包含控制器，用以根據(jù)與該被抽樣的工件有關(guān)的量測數(shù)據(jù)，而求與該復數(shù)個工件中之至少一個未被抽樣的工件有關(guān)的對應的量測數(shù)據(jù)之近似值，以便提供預計量測數(shù)據(jù)。在本專利技術(shù)的另一態(tài)樣中，提供了一種用于求與未被抽樣的工件有關(guān)的量測值本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種用于提供與未被抽樣的工件相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)表現(xiàn)的方法，包含下列步驟：接收與第一工件有關(guān)的所測量的量測數(shù)據(jù)；以及根據(jù)與該第一工件有關(guān)的該量測數(shù)據(jù)，而求與第二工件對應的量測數(shù)據(jù)的近似值，以便提供與該第二工件有關(guān)的預計量測數(shù)據(jù)，并且決定與準確性有關(guān)的信心水準。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：S·P·里夫斯，M·G·麥金太爾，
申請(專利權(quán))人：格羅方德半導體公司，
類型：發(fā)明
國別省市：