吡唑并吡啶衍生物制造技術

本發明專利技術涉及式(I)的化合物，其中R1是氫，低級烷基，被鹵素取代的低級烷基，芐基，-C(O)-低級烷基，-C(O)-CH2-低級烷氧基，-C(O)-C3-6-環烷基，-(CH2)o-C(O)-NR，R’，-(CH2)oS(O)2-低級烷基或-S(O)2-NR，R’；o是0或1；R，R’彼此獨立地是氫或低級烷基，或者可以與它們連接的N原子一起形成5或6元雜環烷基環；R2是氫或低級烷基；R3是鹵素，低級烷氧基，被鹵素取代的低級烷基或被鹵素取代的低級烷氧基；并且在n是2的情況下可以相同或不同；n是1或2；Ar是任選被1或2個取代基取代的苯基，所述取代基選自低級烷基，鹵素，低級烷氧基，被羥基取代的低級烷基或氰基，或者是5或6元雜芳基，其選自噻吩基或吡啶基，它們任選地被低級烷基或鹵素取代；或者涉及藥用活性酸加成鹽。已令人吃驚地發現所述式I的化合物對NK1和NK3受體兩者同時顯示出高親和性(雙重NK1/NK3受體拮抗劑)，可用于治療精神分裂癥。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】吡唑并吡啶衍生物本專利技術涉及式I的化合物權利要求1.一種通式I的化合物2.根據權利要求I的式I的化合物，其中Ar是任選取代的苯基并且(R3)n是3，5- ニ -CF3。3.根據權利要求2的式I的化合物，所述化合物是 2-(3，5_雙-三氟甲基-苯基)-N-(l-こ基-4-鄰-甲苯基-IH-吡唑并吡啶-5-基)-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2-(3，5_雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N- 吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 N-吡啶-5-基]-2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N- 吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N- 吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2-(3,5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N- 吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N- 吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 N-吡啶_5_基]-2_(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-甲基-異丁酰胺 2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2-(3，5_雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺 2- (3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N- 吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺，或 2-(3，5_雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺。4.根據權利要求I的式I的化合物，其中Ar是任選取代的5或6元雜芳基并且(R3)n是 3，5- ニ -CF3。5.根據權利要求4的式I的化合物，所述化合物是 2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺，或 2-(3，5-雙-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺。6.根據權利要求I的式I的化合物，其中Ar是任選取代的苯基并且(R3)n是鹵素和低級燒基。7.根據權利要求6的式I的化合物，所述化合物是 2- (3-氟-5-三氟甲基-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺，或 2-(3，5-ニ氯-苯基)-N-吡啶-5-基]-N-甲基-異丁酰胺。8.一種制備如權利要求I至7中任一項所述的式I的化合物的方法，所述方法包括a)使式VII的化合物9.根據權利要求1-7中任ー項的化合物，所述化合物根據權利要求8的方法制備。10.根據權利要求1-7中任ー項的化合物，其用作治療活性物質。11.ー種藥物組合物，所述藥物組合物包含根據權利要求1-7中任ー項的化合物和治療惰性載體。12.根據權利要求1-7中任ー項的化合物用于治療精神分裂癥的陽性和陰性癥狀的用途。13.根據權利要求1-7中任ー項的化合物用于制備藥物的用途，所述藥物用于治療精神分裂癥的陽性和陰性癥狀。14.根據權利要求1-7中任ー項的化合物，其用于治療精神分裂癥的陽性和陰性癥狀。15.一種治療精神分裂癥的陽性和陰性癥狀的方法，所述方法包括給藥有效量的如權利要求1-7中任ー項所定義的化合物。16.如前所述的專利技術。全文摘要本專利技術涉及式(I)的化合物，其中R1是氫，低級烷基，被鹵素取代的低級烷基，芐基，-C(O)-低級烷基，-C(O)-CH2-低級烷氧基，-C(O)-C3-6-環烷基，-(CH2)o-C(O)-NR，R’，-(CH2)oS(O)2-低級烷基或-S(O)2-NR，R’；o是0或1；R，R’彼此獨立地是氫或低級烷基，或者可以與它們連接的N原子一起形成5或6元雜環烷基環；R2是氫或低級烷基；R3是鹵素，低級烷氧基，被鹵素取代的低級烷基或被鹵素取代的低級烷氧基；并且在n是2的情況下可以相同或不同；n是1或2；Ar是任選被1或2個取代基取代的苯基，所述取代基選自低級烷基，鹵素，低級烷氧基，被羥基取代的低級烷基或氰基，或者是5或6元雜芳基，其選自噻吩基或吡啶基，它們任選地被低級烷基或鹵素取代；或者涉及藥用活性酸加成鹽。已令人吃驚地發現所述式I的化合物對NK1和NK3受體兩者同時顯示出高親和性(雙重NK1/NK3受體拮抗劑)，可用于治療精神分裂癥。文檔編號C07D487/04GK102858775SQ201180019686 公開日2013年1月2日 申請日期2011年4月15日 優先權日2010年4月20日專利技術者菲利普·雅布隆斯基, 馬蒂亞斯·內特科文, 安熱莉克·帕蒂尼-亞當, 哈薩內·拉特尼, 海因茨·施塔德勒 申請人:霍夫曼-拉羅奇有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：菲利普·雅布隆斯基，馬蒂亞斯·內特科文，安熱莉克·帕蒂尼亞當，哈薩內·拉特尼，海因茨·施塔德勒，
申請(專利權)人：霍夫曼拉羅奇有限公司，
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