電源芯片制造技術

一種電源芯片，包括：相互連接的兩個載片區及分別對應承載在該兩個載片區上的兩顆晶片，其中一顆晶片為低壓電路晶片，另一顆晶片為第一高壓電路晶片；絕緣本體，包覆在該兩個載片區及晶片上；以及七個導電端子，與該兩個載片區及晶片電連接并伸出于該絕緣本體；該七個導電端子的排布位置與標準的八腳單列直插規格的七個管腳位置相對應，其中，該第一載片區的面積大于該第二載片區的面積，與該第一管腳位置相對應的導電端子與第一個載片區及第一高壓電路晶片相連接，與該第四管腳至第八管腳位置相對應的五個導電端子與第二個載片區及低壓電路晶片相連接。本實用新型專利技術可以實現兩個或兩個以上芯片的封裝并有效降低熱阻。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電源芯片，尤其涉及電源芯片的封裝結構。
技術介紹
現有的AC/DC開關電源控制器，為了提高集成度和降低使用成本，很多小功率器件會將高壓功率開關和控制器裝載在一個封裝中，形成一個多芯片封裝的組合結構，例如將一個功率開關和一個控制器裝載在S0P8或DIP8封裝中。現有的這種封裝結構，受限于雙列直插結構，其安裝到PCB板上時必須采用平躺方式安裝。由于功率開關的高壓引出端子位于器件的底面，因此一般是將裝載功率開關的金屬區及其引出端作為高壓端；由于控制器的底面則一般為接地腳，因此裝載控制器的金屬區及其引出端作為低壓端，因此兩個金 屬區不能直接相連，也就是說，需要兩個獨立的裝載金屬區。S0P8/DIP8封裝有限的熱容量決定了其本身有限的耗散功率能力，通常在無外部輔助散熱的情況下其在指定溫升條件下的可用功率容量僅為1.2W/1.5W左右，在一個典型的AC/DC開關電源應用中可以滿足的系統功率水平為約8W/15W左右。在需要時，雖然可以通過安裝輔助散熱裝置來增加其功率容量，但受限于其平躺式的安裝方式，散熱裝置結構設計將非常困難，散熱裝置安裝也非常困難，也無法保證散熱裝置與芯片表面充分接觸，同時因為在芯片本身距離封裝體表面較遠的距離，使得熱阻很大，芯片發出的熱量無法快速傳導到封裝體表面，因此仍然無法有效且可靠地提高系統功率容量，也就是說，S0P8/DIP8封裝存在功率容量較小、熱量傳導較慢以及輔助散熱不易的問題。當需要較大的功率容量時，還常采用TO結構的封裝形式，例如T0220-3L, T0220-5L, T0220-7L等，這時可將功率容量提高至DIP8的5_20倍，同時還具有較快的熱量傳導能力和方便的輔助散熱裝置安裝特性。但這種封裝結構也存在顯著缺點金屬用量大，成本較高；封裝體外形高度較大，無法用于超薄型系統設計；內部空間不易實現兩個芯片裝載區結構；引腳距離不能滿足高壓與低壓距離要求。現有的音頻放大器、信號處理電路、行場驅動電路等器件中還常采用SIP8單列直插封裝結構，其存在以下缺點弓丨腳間距僅為I. 34mm，無法滿足高壓與低壓隔離距離的要求；內部僅具有一個芯片裝載區的結構，無法滿足安裝兩個或兩個以上芯片的要求；內部金屬連接結構較小，無法實現較低的熱阻性能。
技術實現思路
本技術要解決的技術問題在于克服上述現有技術存在的不足，而提出一種電源芯片，可以實現兩個或兩個以上芯片的封裝并有效降低熱阻。本技術針對上述技術問題而提出的技術方案包括，提出一種電源芯片，包括相互連接的兩個載片區及分別對應承載在該兩個載片區上的兩顆晶片，其中一顆晶片為低壓電路晶片，另一顆晶片為第一高壓電路晶片；絕緣本體，包覆在該兩個載片區及晶片上；以及七個導電端子，與該兩個載片區及晶片電連接并伸出于該絕緣本體；該七個導電端子的排布位置與標準的八腳單列直插規格的七個管腳位置相對應，其中，該第一載片區的面積大于該第二載片區的面積，與該第一管腳位置相對應的導電端子與第一個載片區及第一高壓電路晶片相連接，與該第四管腳至第八管腳位置相對應的五個導電端子與第二個載片區及低壓電路晶片相連接。在一個實施例中，與該第二管腳相對應的位置不設導電端子，與該第三管腳相對應的一個導電端子與第二個載片區及低壓電路晶片相連接。該第二載片區呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對應。該第一載片區的面積是該第二載片區的面積的三倍 以上；該第一載片區包括本體和延伸部，該本體呈橫向延伸的矩形，該延伸部由該本體的外側端進一步向下彎折延伸而成，并與該第一管腳位置相對應。在另一個實施例中，還包括第三個載片區及對應承載在該第三載片區上的第二高壓電路晶片；該絕緣本體還包覆在該第三載片區及第二高壓電路晶片上；其中，與該第二管腳位置相對應的導電端子與該第三載片區及第二高壓電路晶片相連接，與該第三管腳相對應的位置不設導電端子。該第二載片區呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對應。該第三個載片區呈L形，其一端靠近該第二載片區的側邊、另一端與該第一管腳位置相對應；該第一載片區的面積是該第二載片區的面積的二倍以上；該第一載片區包括本體和延伸部，該本體呈橫向延伸的矩形，該延伸部由該本體的外側端進一步向下彎折延伸而成，并與該第二管腳位置相對應。該第一高壓電路晶片包括高壓功率開關管，裝載該第一載片區的背板與高壓相連；該低壓電路晶片包括與該高壓功率開關管的控制端相連的開關控制電路，該開關控制電路為脈寬調制電路，脈幅調制電路或者脈相調制電路。在本技術中，該第一載片區與第二載片區不在同一平面上，該第一載片區所在平面較第二載片區所在平面更靠近該絕緣本體背面，從而使該第一載片區能夠外露于該絕緣本體表面。該電源芯片中的高壓是指電壓值范圍在100-1000V之間。與現有技術相比，本技術的電源芯片，通過采用SIP8封裝結構，將高壓電路晶片和低壓電路晶片封裝在一起，并在高壓引腳與低壓引腳格外間隔一個管腳的距離，可以實現兩個或兩個以上高壓與低壓芯片的組合封裝并有效降低熱阻。附圖說明圖I是本技術的電源芯片封裝結構第一實施例的結構圖。圖2是本技術的電源芯片封裝結構第二實施例的結構圖。具體實施方式以下結合附圖，對本技術予以進一步地詳盡闡述。參見圖1，本技術的電源芯片封裝結構第一實施例包括相互連接的兩個載片區10、20及分別對應承載在該兩個載片區10、20上的兩顆晶片(圖未示出)，其中第二載片區20上晶片為低壓電路晶片，第一載片區10上晶片為第一高壓電路晶片；絕緣本體80，包覆在該兩個載片區10、20及晶片上；以及七個導電端子1、2、3、4、5、6、7，與該兩個載片區10、20及晶片電連接并伸出于該絕緣本體80 ;該七個導電端子1、2、3、4、5、6、7的排布位置與標準的八腳單列直插規格的七個管腳位置相對應，其中，該第一載片區10的面積大于該第二載片區20的面積，與該第一管腳位置相對應的導電端子I與第一個載片區10及第一高壓電路晶片相連接，與該第二管腳相對應的位置不設導電端子，與該第三管腳至第八管腳位置相對應的六個導電端子2、3、4、5、6、7與第二個載片區20及低壓電路晶片相連接。優選地，該第二載片區20呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對應，與導電端子4相連。該第一載片區10包括本體101和延伸部102，該本體101呈橫向延伸的矩形，該延伸部102由該本體101的外側端進一步向下彎折延伸而成，與該第一 管腳位置相對應，與導電端子I相連。該第一載片區10的面積較該第二載片區20的面積要大很多，比如前者是后者的三倍以上。如此結構，通過設置兩個裝載區10、20，可以實現兩個晶片的封裝；導電端子I接高壓，導電端子2、3、4、5、6、7接低壓，并且導電端子2實際位于第三管腳相對應的位置，從而在導電端子I和導電端子2額外間隔一個引腳的間隔，高壓端子和低壓端子之間的間隔可以從I. 34mm提高到3. 88mm ;通過加大該第一載片區10的面積可以提高整個電源芯片的導熱能力從而降低熱阻。更具體地，該第一高壓電路晶片包括高壓功率開關管，該第一載片區與高壓相連；該低壓電路晶片包括與該聞壓功率開關管的控制端相連的開關控制電路，該開關控制電路為脈寬調制電路，脈幅調制電路或者脈相調制電路。需要說明的是本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電源芯片，其特征在于，包括：相互連接的兩個載片區及分別對應承載在該兩個載片區上的兩顆晶片，其中一顆晶片為低壓電路晶片，另一顆晶片為第一高壓電路晶片；絕緣本體，包覆在該兩個載片區及晶片上；以及七個導電端子，與該兩個載片區及晶片電連接并伸出于該絕緣本體；該七個導電端子的排布位置與標準的八腳單列直插規格的七個管腳位置相對應，其中，該第一載片區的面積大于該第二載片區的面積，與該第一管腳位置相對應的導電端子與第一個載片區及第一高壓電路晶片相連接，與該第四管腳至第八管腳位置相對應的五個導電端子與第二個載片區及低壓電路晶片相連接。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭凌波，周勇，
申請(專利權)人：深圳市力生美半導體器件有限公司，
類型：實用新型
國別省市：