本發明專利技術公開了一種平板型IGBT模塊封裝結構，包括平行設置的頂蓋和底板，所述封裝結構還包括安設于所述頂蓋和底板之間的外殼，所述外殼由若干邊框一體成型，邊框與頂蓋和底板形成用于收容IGBT模塊的收容空間，所述相連的邊框內側設為圓角結構。本發明專利技術的平板型IGBT模塊封裝結構能夠簡單、方便、準確的實現模塊頂蓋、外殼和底板的組合連接。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體封裝
，特別是涉及一種平板型IGBT模塊封裝結構。
技術介紹
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；M0SFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低，在現代電力電子技術中得到了越 來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。平板型IGBT模塊主要應用于高壓直流輸變電領域，該模塊可用于多個模塊串聯，可實現積木堆棧結構、功率大等特點。在直流輸變電系統中，常將許多模塊串聯使用，也就是把模塊堆疊成一串，因此，每個模塊在機械結構上需要分散很大的力。而這種力主要集中在頂蓋、外殼、底板上，頂蓋、底板均為平板設計，那么壓力主要承受在外殼上，外殼設計的優劣直接關系了模塊是否能夠承受很大的安裝力。因此，針對上述技術問題，有必要提供一種平板型IGBT模塊封裝結構。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術實施例提供一種平板型IGBT模塊封裝結構能夠簡單、方便、準確的實現模塊頂蓋、外殼和底板的組合連接。為了實現上述目的，本專利技術實施例提供的技術方案如下—種平板型IGBT模塊封裝結構，包括平行設置的頂蓋和底板，所述封裝結構還包括安設于所述頂蓋和底板之間的外殼，所述外殼由若干邊框一體成型，邊框與頂蓋和底板形成用于收容IGBT模塊的收容空間，所述相連的邊框內側設為圓角結構。作為本專利技術的進一步改進，外殼與頂蓋和/或底板接觸面上設有凹槽，所述凹槽內放置有均壓墊。作為本專利技術的進一步改進，圓角結構設于凹槽內側范圍。作為本專利技術的進一步改進，頂蓋和底板設有若干相互對應的安裝孔，所述外殼上設有若干與所述安裝孔對應的垂直于所述頂蓋和底板的定位孔。作為本專利技術的進一步改進，定位孔設于所述外殼邊框的兩端。作為本專利技術的進一步改進，定位孔還設于所述外殼邊框的兩端之間，同一個邊框上的定位孔之間的距離相等。作為本專利技術的進一步改進，外殼的一邊框上設有若干凹陷設置的安裝部。作為本專利技術的進一步改進，安裝部上設有與頂蓋和底板平行的安裝孔。本專利技術的有益效果是平板型IGBT模塊封裝結構能夠簡單、方便、準確的實現模塊頂蓋、外殼和底板的組合連接。外殼中圓角結構的設計能夠有限分散該外殼在制作過程中產生的應力，有效地解決模塊在使用環境中的壓力分配及壓力均衡問題；外殼上凹槽的設計能夠放置均壓墊，起到均衡壓力的作用。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本專利技術一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構的立體示意圖；圖2為本專利技術一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的立體結構示意圖； 圖3為本專利技術一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的俯視結構示意圖；圖4本專利技術一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的局部結構不意圖；圖5本專利技術另一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的立體結構示意圖；圖6本專利技術另一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的局部結構示意圖。其中頂蓋、10; 第一安裝孔、11; 第二安裝孔、12; 第三安裝孔、13； 第四安裝孔、14; 第五安裝孔、15; 第六安裝孔、16; 第七安裝孔、17; 第八安裝孔、18; 底板、20; 外殼、30; 第一邊框、31 ; 第二邊框、32; 第三邊框、33; 第四邊框、34; 收容空間、35; 第一圓角、351 ; 第二圓角、352 ;第三圓角、353 ; 第四圓角、354; 第一定位孔、301 ; 第二定位孔、302 ； 第三定位孔、303 ； 第四定位孔、304 ； 第五定位孔、305 ； 第六定位孔、306 ； 第七定位孔、307 ； 第八定位孔、308 ;第一安裝部、361 ； 第二安裝部、362 ； 第一固定孔、3611 ; 第二固定孔、3621 ; 凹槽、37。具體實施例方式本專利技術公開了一種平板型IGBT模塊封裝結構，包括平行設置的頂蓋和底板還包括安設于所述頂蓋和底板之間的外殼，外殼由若干邊框一體成型，邊框與頂蓋和底板形成用于收容IGBT模塊的收容空間，相連的邊框內側設為圓角結構。本專利技術提供的平板型IGBT模塊封裝結構能夠簡單、方便、準確的實現模塊頂蓋、外殼和底板的組合連接。外殼中圓角結構的設計能夠有限分散該外殼在制作過程中產生的應力，有效地解決模塊在使用環境中的壓力分配及壓力均衡問題。為了使本
的人員更好地理解本專利技術中的技術方案，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本專利技術保護的范圍。參圖I所示，本專利技術一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構，包括平行設置的頂蓋10和底板20,還包括安設于頂蓋10和底板20之間的外殼30。其中，頂蓋10和底板20為金屬材質，分別引出IGBT模塊內部的發射極和集電極,控制極固定于外殼30的一側邊上。參圖2所示為本實施方式平板型IGBT模塊封裝結構中外殼30的結構示意圖，優選地本實施方式中外殼30設為長方形，當然在其他實施方式中也可以設置為正方形或其他形狀。外殼30由若干邊框一體成型，外殼30采用GPO材質，具有阻燃、拉伸強度大、耐沖擊、絕緣強度高等特點，外殼30設計根據IGBT模塊尺寸而定，采用特殊工藝制作，整體外殼設計優良。外殼30包括第一邊框31、第二邊框32、第三邊框及33及第四邊框34。第一邊框31、第二邊框32、第三邊框及33及第四邊框34與頂蓋10和底板20形成用于收容IGBT 模塊的收容空間35，第一邊框31和第二邊框32、第二邊框32和第三邊框33、第三邊框及33和第四邊框34及第四邊框34和第一邊框31的內側為圓弧設計，設為圓角結構，分別為第一圓角351、第二圓角352、第三圓角353和第四圓角354，如此能夠有限分散該外殼在制作過程中產生的應力，使得外殼在制作出來后尺寸誤差小，滿足設計要求。進一步地，頂蓋10和底板20上設有若干相互對應的安裝孔，外殼30上設有若干與安裝孔對應的垂直于頂蓋10和底板20的定位孔。定位孔可設于外殼邊框的兩端或兩端之間。參圖1-3所示，在本實施方式中外殼30上，第四邊框34和第一邊框31交界處設有第一定位孔301,第一邊框31的中點上設有第二定位孔302,第一邊框31和第二邊框32交界處設有第三定位孔303，第二邊框的中點上設有第四定位孔304，第二邊框32和第三邊框33交界處設有第五定位孔305，第三邊框33的中點上設有第六定位孔306，第三邊框及33和第四邊框34交界處設有第七定位孔307，第四邊框本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種平板型IGBT模塊封裝結構，包括平行設置的頂蓋和底板，其特征在于，所述封裝結構還包括安設于所述頂蓋和底板之間的外殼，所述外殼由若干邊框一體成型，邊框與頂蓋和底板形成用于收容IGBT模塊的收容空間，所述相連的邊框內側設為圓角結構。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：李先亮，張紅衛，
申請(專利權)人：西安永電電氣有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。