平面式半導體元件及其制作方法技術

一種平面式半導體元件及其制作方法，該平面式半導體元件包括：一由一晶圓所切割的半導體元件，其具有上表面、下表面及多個設于該上、下表面之間的側面，上表面上具有多個引線區(qū)域；一覆蓋于該半導體元件的絕緣結構，絕緣結構包括一成型于該上表面上的第一絕緣層、一成型于該下表面上的第二絕緣層及一成型于這些側面上的第三絕緣層，引線區(qū)域裸露于該第一絕緣層；一對應地設于每一該引線區(qū)域上的導電焊墊；以及一分別設于半導體元件的兩端的端電極，端電極導接于該導電焊墊。本發(fā)明專利技術的平面式半導體元件可被絕緣結構所完整包覆，故可有效提高元件的可靠度。此外，該平面式半導體元件可提供多個方向的焊接位置，故可提高焊接作業(yè)的效率。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體元件及其制作方法，尤指一種平面式半導體元件及其制作方法。
技術介紹
隨著半導體制程技術能力不斷向上提升，半導體芯片的功能日益強大，以致半導體芯片信號的傳輸量逐漸增加，芯片的腳數(shù)也隨之增加；進而使封裝技術必須隨著技術的演進而不斷提升。半導體封裝提供集成電路保護、散熱、及電路導通等功能，已知技術除高階封裝技術，如球柵陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)、覆晶封裝(Flip-Chip, FC)、及多芯片模塊(Multi Chip Module，MCM)，最常用的還是導線架封裝方式，其主要通過黏晶(DieAttachment)、打線(Wired Bond)、封裝(Molding)、及印字(Marking)等制程將元件進行封裝。 傳統(tǒng)采用導線架封裝，利用黏晶、焊線、及封裝制程等會衍生出相關問題，例如封裝制程繁瑣復雜且耗費時間，造成成本提聞等等。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的之一，在于提供一種平面式半導體元件及其制作方法，所制成的平面式半導體元件可被絕緣結構完整包覆，以提供該元件較佳的保護性；且所制成的平面式半導體元件在各個面向上形成端電極等具有導電性及可焊接性的結構，故可以直接將成品焊接固定于電路板等外部裝置上。本專利技術實施例提供一種平面式半導體元件的制作方法，包含以下步驟步驟一提供一晶圓，該晶圓上具有多個半導體元件，且該晶圓的上表面上具有多個對應這些半導體元件的引線區(qū)域；步驟二 進行一第一絕緣覆蓋步驟，以于該晶圓的上、下表面分別成型一第一絕緣層及一第二絕緣層，其中這些引線區(qū)域裸露于該第一絕緣層；步驟三成型一導電焊墊于每一該引線區(qū)域上；步驟四進行一切割步驟，以切割出單一的半導體元件；步驟五進行一第二絕緣覆蓋步驟，以成型一第三絕緣層于每一個切割后的半導體元件的側面；步驟六分別成型一端電極于每一個切割后的半導體元件的兩端，該端電極導接于該導電焊墊。本專利技術實施例提供一種平面式半導體元件，包括一由一晶圓所切割的半導體元件，其具有上表面、下表面及多個設于該上、下表面之間的側面，該上表面上具有多個引線區(qū)域；一覆蓋于該半導體元件的絕緣結構，該絕緣結構包括一成型于該上表面上的第一絕緣層、一成型于該下表面上的第二絕緣層及一成型于這些側面上的第三絕緣層，其中這些引線區(qū)域裸露于該第一絕緣層；一對應地設于每一該引線區(qū)域上的導電焊墊；以及一分別設于該半導體元件的兩端的端電極，該端電極導接于該導電焊墊。本專利技術具有以下有益的效果本專利技術的平面式半導體元件可被絕緣結構所完整包覆，故可有效提高元件的可靠度。此外，本專利技術所制作的平面式半導體元件可提供多個方向的焊接位置，故可提高焊接作業(yè)的效率。為使能更進一步了解本專利技術的特征及
技術實現(xiàn)思路
，請參閱以下有關本專利技術的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本專利技術加以限制者。附圖說明圖I顯示本專利技術之第一、第二絕緣層成型于晶圓上的分解圖。圖IA顯示本專利技術的第一、第二絕緣層成型于晶圓上的示意圖。圖2顯示本專利技術的成型導電焊墊的示意圖。 圖3顯示本專利技術的切割形成單一半導體元件的示意圖。圖3A顯示本專利技術的切割形成單一半導體元件的立體圖。圖4顯示本專利技術的形成第三絕緣層的示意圖。圖5顯示本專利技術的形成電極層的示意圖。圖6顯示本專利技術的形成連接層并形成平面式半導體元件的示意圖。圖7顯示本專利技術的平面式半導體元件的制作方法的流程圖。主要元件符號說明10 晶圓101引線區(qū)域102上表面103下表面104 側面IlA第一絕緣層111 穿孔IlB第二絕緣層IlC第三絕緣層12導電焊墊13電極層14連接層2’半導體元件2平面式半導體元件SlOl S113制程步驟具體實施例方式本專利技術提出一種平面式半導體元件及其制作方法，本專利技術所提出的平面式半導體元件可不具方向性地與電路板進行電性連接，且不需通過打線等方式，故可簡化后續(xù)連接制程的復雜度。請參考圖7，本專利技術所提出的平面式半導體元件的制作方法包括以下步驟。請配合圖1，步驟SlOl :提供一晶圓10，而晶圓10可根據(jù)后續(xù)制程或應用的需求而成型有多個半導體元件2’，例如圖I所示，晶圓10上可依照半導體制程，如微影、薄膜沉積、蝕刻、摻雜等制作出三個半導體元件2’，而所述的半導體元件2’在經過下文的步驟后即可完成本專利技術的平面式半導體元件。另外，請配合圖1A，晶圓10的上表面102上具有多個對應半導體元件2’的引線區(qū)域101，在本具體實施例中，每一個半導體元件2’會在晶圓10的上表面102上成型有引線區(qū)域101，所述的引線區(qū)域101可為電性連接點、電路接點等等，其目的在于將半導體元件2’的電路向外部連接的效果，且引線區(qū)域101的位置可為相互對齊、相互錯置或其他排列方式。值得說明的是，為了簡化說明，本專利技術將晶圓10與半導體元件2’在縱向上視為相同的結構，故晶圓10的上、下表面102、103會在以下的步驟中直接被引用為半導體元件2’的上、下表面102、103。接下來，請復參考圖I、圖IA ;步驟S103 :進行一第一絕緣覆蓋步驟，在晶圓10的上、下表面102、103分別成型一第一絕緣層IlA及一第二絕緣層11B，其中引線區(qū)域101裸露于該第一絕緣層11A。在本具體實施例中，是將有機高分子涂料、氧化硅或多晶硅涂布于 晶圓10的上、下表面102、103而形成所述的第一絕緣層IlA及第二絕緣層11B，但不以上述為限，第一絕緣層IlA及第二絕緣層IlB的厚度約介于I至50 μ m，以達到保護半導體元件2’的效果。優(yōu)選地，第一絕緣層IlA上具有多個對應引線區(qū)域101的穿孔111，引線區(qū)域101通過穿孔111而裸露于第一絕緣層11A，以避免電性連接的部分被第一絕緣層IlA所遮斷。接下來，請參考圖2;步驟S105:成型導電焊墊12于每一引線區(qū)域101上。在本具體實施例中，成型導電金屬如銅、鎳/金、鋁、鈦/鎢等等于引線區(qū)域101上，以利于后續(xù)的電性導接的步驟。換言之，通過第一絕緣層IlA上的穿孔111，導電焊墊12可接觸于引線區(qū)域101。而為了簡化說明，圖2僅繪制出兩個導電焊墊12，其用于分別代表半導體元件2’的不同極性(正極或負極)的連接位置。接著，請參考圖3、圖3A ;步驟S107 :進行一切割步驟，以切割出單一的半導體元件2’。在本具體實施例中，利用鉆石刀、激光等切割工具沿著晶圓10上所事先規(guī)劃好的切割道進行切割作業(yè)；而經過切割之后，所形成的單一的半導體元件2’則出現(xiàn)多個側面104，如圖3A所示，每一個切割后的半導體元件2’具有四個設于該晶圓10的上、下表面102、103(也可稱做半導體元件2’的上、下表面102、103)之間的側面104，如前側面、后側面、左側面及右側面，且上、下表面102、103被第一絕緣層IlA及第二絕緣層IlB所覆蓋，而側面104則裸露于外，故下一步驟則是需將裸露的側面104加以覆蓋而被完整保護。請參考圖4 ;步驟S109 :進行一第二絕緣覆蓋步驟，以成型一第三絕緣層IlC于每一個切割后的半導體元件2’的側面104。在此步驟中，同樣利用有機高分子涂料、氧化硅或多晶硅等材料在側面104上形成第三絕緣層11C。在本具體實施例中，可利用夾具(也可稱為“治具”)(圖未示)遮蔽半導體元件2’的上表面102的導電焊墊12，以避免導電焊墊12受到第二絕緣覆蓋步本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種平面式半導體元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含以下步驟：提供一晶圓，所述晶圓上具有多個半導體元件，且所述晶圓的上表面上具有多個對應所述半導體元件的引線區(qū)域；進行一第一絕緣覆蓋步驟，以于所述晶圓的上表面、下表面分別成型一第一絕緣層及一第二絕緣層，其中所述引線區(qū)域裸露于所述第一絕緣層；在每一所述引線區(qū)域上成型一導電焊墊；進行一切割步驟，以切割出單一的半導體元件；進行一第二絕緣覆蓋步驟，以在每一個切割后的半導體元件的側面成型一第三絕緣層；以及在每一個切割后的半導體元件的兩端分別成型一端電極，所述端電極導接于所述導電焊墊。

【技術特征摘要】
2011.07.27 TW 1001266261.一種平面式半導體元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含以下步驟 提供一晶圓，所述晶圓上具有多個半導體元件，且所述晶圓的上表面上具有多個對應所述半導體元件的引線區(qū)域； 進行一第一絕緣覆蓋步驟，以于所述晶圓的上表面、下表面分別成型一第一絕緣層及一第二絕緣層，其中所述引線區(qū)域裸露于所述第一絕緣層； 在每一所述引線區(qū)域上成型一導電焊墊； 進行一切割步驟，以切割出單一的半導體元件； 進行一第二絕緣覆蓋步驟，以在每一個切割后的半導體元件的側面成型一第三絕緣層；以及 在每一個切割后的半導體元件的兩端分別成型一端電極，所述端電極導接于所述導電焊墊。2.根據(jù)權利要求I所述的平面式半導體元件的制作方法，其特征在于，在進行所述第一絕緣覆蓋步驟的步驟中，所述第一絕緣層上具有多個對應所述引線區(qū)域的穿孔，所述引線區(qū)域通過所述穿孔裸露于所述第一絕緣層。3.根據(jù)權利要求I所述的平面式半導體元件的制作方法，其特征在于，在進行所述切割步驟的步驟后，每一個切割后的半導體元件具有四個設于所述晶圓的上表面與下表面之間的所述側面。4.根據(jù)權利要求3所述的平面式半導體元件的制作方法，其特征在于，在進行所述第二絕緣覆蓋步驟的步驟中將所述第三絕緣層覆蓋于四個所述側面。5.根據(jù)權利要求I所述的平面...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：徐偉倫，徐竹君，柯泓升，
申請(專利權)人：佳邦科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：