一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其為模擬電路調(diào)整結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、有效，可以根據(jù)產(chǎn)品的電阻負(fù)載情況自動(dòng)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行斷電、通電。其技術(shù)方案是這樣的：其包括電阻負(fù)載電路模塊，其特征在于：其還包括電阻負(fù)載檢測(cè)電路、輸出電流檢測(cè)電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負(fù)輸入連接有直流電壓，所述電阻負(fù)載檢測(cè)電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負(fù)載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動(dòng)電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負(fù)載電路模塊接入端，電阻負(fù)載電路模塊接入端連接電阻R1后連接所述比較器的正輸入。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及便攜式產(chǎn)品的功耗自動(dòng)調(diào)整的
，具體為一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
隨著便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛，便攜式對(duì)功耗要求也越來越高。在現(xiàn)有技術(shù)中，利用數(shù)字方法來調(diào)整功耗的，但是在有些模擬的便攜式產(chǎn)品中，數(shù)字方法會(huì)增加產(chǎn)品設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)上述問題，本技術(shù)提供了一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其為·模擬電路調(diào)整結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、有效，可以根據(jù)產(chǎn)品的電阻負(fù)載情況自動(dòng)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行斷電、通電。一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其技術(shù)方案是這樣的其包括電阻負(fù)載電路模塊，其特征在于其還包括電阻負(fù)載檢測(cè)電路、輸出電流檢測(cè)電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負(fù)輸入連接有直流電壓，所述電阻負(fù)載檢測(cè)電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負(fù)載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動(dòng)電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負(fù)載電路模塊接入端，電阻負(fù)載電路模塊接入端連接電阻Rl后連接所述比較器的正輸入，輸出電流檢測(cè)電路包括PMOS管、連接電阻R3，所述驅(qū)動(dòng)電路的PMOS管的柵極連接所述輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管的柵極，所述輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管的漏極連接所述連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接所述比較器的正輸入，所述比較器的輸出端為負(fù)端輸出，所述比較器的輸出端分別連通所述電阻負(fù)載檢測(cè)電路的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，所述輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，所述電容的兩端分別連接所述比較器的正輸入、比較器的輸出端。其進(jìn)一步特征在于所述電阻負(fù)載電路模塊至少含有一個(gè)電阻負(fù)載。采用本技術(shù)后，NMOS開關(guān)的工作原理為高電平關(guān)閉、低電平打開，在系統(tǒng)輸出沒有電阻負(fù)載的情況下，輸出負(fù)載檢測(cè)電路開始正常工作，Vo為高電平，進(jìn)而使得比較器的輸出為低電平，而反相器的輸出為高電平，從而電阻負(fù)載檢測(cè)電路的NMOS開關(guān)處于打開狀態(tài)，輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，進(jìn)而整個(gè)系統(tǒng)處于斷電狀態(tài)；系統(tǒng)輸出端有電阻負(fù)載的時(shí)候，Vo為低電平，進(jìn)而使得比較器的輸出為高電平，而反相器的輸出為低電平，從而電阻負(fù)載檢測(cè)電路的NMOS開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)處于打開狀態(tài)，進(jìn)而整個(gè)系統(tǒng)處于通電狀態(tài)；當(dāng)系統(tǒng)在正常的狀態(tài)下去掉電輸出端電阻負(fù)載時(shí)，VP端的電壓升高，流經(jīng)電阻R3的電流減小，Vl端的電壓降低，經(jīng)過一端時(shí)間后，積分器的輸出端為高電平，而反相器的輸出為高電平。同時(shí)電阻負(fù)載檢測(cè)電路的NMOS開關(guān)處于打開狀態(tài)，輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，進(jìn)而整個(gè)系統(tǒng)處于斷電狀態(tài)。上述過程可根據(jù)輸出端電阻負(fù)載的情況循環(huán)，從而達(dá)到節(jié)省功耗的目的。綜上，該結(jié)構(gòu)為模擬電路調(diào)整結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、有效，可以根據(jù)產(chǎn)品的電阻負(fù)載情況自動(dòng)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行斷電、通電。附圖說明圖I是一種簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載的輸出級(jí)結(jié)構(gòu)；圖2是依據(jù)本技術(shù)實(shí)施的功耗自動(dòng)調(diào)整機(jī)制流程圖；圖3是本技術(shù)實(shí)施的電阻負(fù)載檢測(cè)電路；圖4是本技術(shù)實(shí)施的輸出電流檢測(cè)電路；圖5是本技術(shù)實(shí)施的電路實(shí)現(xiàn)方式結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式見圖I、圖2、圖3、圖4、圖5，其包括電阻負(fù)載電路模塊I、電阻負(fù)載檢測(cè)電路2、輸出電流檢測(cè)電路3、積分器4，積分器4包括比較器、電容，積分器的負(fù)輸入連接有直流電壓，電阻負(fù)載檢測(cè)電路2包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負(fù)載電路模塊接入端、電流源輸出端，驅(qū)動(dòng)電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負(fù)載電路模塊接入端，電阻負(fù)載電路模塊接入端連接電阻Rl后連接比較器的正輸入，輸出電流檢測(cè)電路3包括PMOS管、連接電阻R3，驅(qū)動(dòng)電路的PMOS管的柵極連接輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管的柵極，輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管的漏極連接連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接比較器的正輸入，比較器的輸出端為負(fù)端輸出，比較器4的輸出端分別連通電阻負(fù)載檢測(cè)電路2的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，電容的兩端分別連接比較器的正輸入、比較器的輸出端。電阻負(fù)載電路模塊I至少含有一個(gè)電阻負(fù)載。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其包括電阻負(fù)載電路模塊，其特征在于：其還包括電阻負(fù)載檢測(cè)電路、輸出電流檢測(cè)電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負(fù)輸入連接有直流電壓，所述電阻負(fù)載檢測(cè)電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負(fù)載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動(dòng)電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負(fù)載電路模塊接入端，電阻負(fù)載電路模塊接入端連接電阻R1后連接所述比較器的正輸入，輸出電流檢測(cè)電路包括PMOS管、連接電阻R3，所述驅(qū)動(dòng)電路的PMOS管的柵極連接所述輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管的柵極，所述輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管的漏極連接所述連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接所述比較器的正輸入，所述比較器的輸出端為負(fù)端輸出，所述比較器的輸出端分別連通所述電阻負(fù)載檢測(cè)電路的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，所述輸出電流檢測(cè)電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，所述電容的兩端分別連接所述比較器的正輸入、比較器的輸出端。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種根據(jù)負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其包括電阻負(fù)載電路模塊，其特征在于其還包括電阻負(fù)載檢測(cè)電路、輸出電流檢測(cè)電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負(fù)輸入連接有直流電壓，所述電阻負(fù)載檢測(cè)電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負(fù)載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動(dòng)電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負(fù)載電路模塊接入端，電阻負(fù)載電路模塊接入端連接電阻Rl后連接所述比較器的正輸入，輸出電流檢測(cè)電路包括PMOS管、連接電阻R3，所述驅(qū)動(dòng)電路的PMOS管的柵極連接所述輸出電流檢測(cè)電路的PMOS管...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬輝，蔣賽尖，鄭可為，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：