磁片作多環狀設置的大線盤制造技術

磁片作多環狀設置的大線盤，涉及一種家用電磁灶中的加熱線盤，其特征包括由數十片磁片作多環狀設置，盤面上用漆包線可進行多種線圈的繞制，均可獲得大面積均勻加熱的效果。通過磁片的多環狀設置，改變以往電磁灶鍋底渦流圈只有一兩環的特性，獲得多個渦流圈，加熱面積擴大3至5倍，鍋底加熱均勻，解決了一般電磁灶加熱過于集中的問題。該線盤成本較低，便于工業機械化生產，更利于用來開發較大功率家用電磁灶，用于煎炒效果十分優秀。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及家用電磁灶內部的加熱線盤，特別是磁片作多環狀設置的大線盤。
技術介紹
通過各種線盤與電子電路配合進行中、高頻加熱的裝置有廣泛用途，目前家用電磁灶就是典型的應用，其線盤一般采用6至8條長度約60mm的磁條，從盤中向外呈放射狀嵌入支架的槽內，盤面上方繞制單層線圈，此結構的線盤工作時只能在鍋底產生一個直徑約70mm、寬度約30mm的環狀加熱圈，直接加熱面積僅幾十平方厘米，電功率都集中在這一小環內，因此鍋底加熱極不均勻，尤其在使用薄底鍋具進行煎炒時，環狀加熱帶內食物極易燒焦，鍋具也易變形或開裂。 線盤也有將線圈繞成3環的，但其磁條的鋪設方式未改進，因此仍然只形成一個環狀加熱圈，僅由于3環的線盤直徑較大，加熱面積有少許增加，但鍋底大面積加熱及均勻性沒有根本改善。專利號ZL200920270013. 5 “高頻扁排線多圈間隔式線盤”其加熱面積及均勻性十分優秀，但其線盤進行工業化生產時成本較高，機械化生產較困難，手工繞制成的質量不穩定，需要進一步改進。
技術實現思路
本技術在于解決上述存在的技術問題，提供一種磁片作多環狀設置的線盤，包括鐵氧體磁片和加熱線圈及線盤支架。該方案的技術特征是根據電磁灶不同功率設計的圓形線盤直徑可從170mm至280mm,由數十只磁片設置成3環狀至5環狀，同軸心布置，環與環之間設有間距，盤面上可選用多種型式漆包線繞制各種線圈。該線盤由于磁片的環狀設置與線圈渦流對應，可根據需要設置環數，使密繞的單層線圈也能形成大面積加熱，此類線盤加工易于機械化生產，部分規格現有電磁灶不改變結構可直接換用。按此目的設計的磁片作多環狀設置的大線盤，其磁片的幾何形狀可為圓形、長方形、正方形、橢圓形、半弧形或多邊形。磁片間隔布置成圓環狀，同軸心設置3至5環，環與環之間磁片有間距，其距離為3mm至30mm，使各環互不影響，從而形成各自的渦流圈。所述線盤的磁片各環使用數量可相同，也可不相同，當采用3環時內I環為3至8只、內2環為5至10只、外環為6至15只；當采用4環時內I環為3至7只、內2環為4至9只、內3環為5至12只、外環為6至16只；當采用5環時內I環為3至6只、內2環為4至8只、內3環為5至10只、內4環為6至13只、外環為7至18只。2KW左右的電磁灶宜采用3環，2. 8KW左右的電磁灶宜采用4環，3. 5KW左右的電磁灶宜采用5環。所述線盤盤體支架上設計安放多環磁片的凹形槽，槽的形狀與采用的磁片形狀對應。磁片嵌入槽內與盤面有Imm至2mm的距離,線圈與磁片未接觸,此結構磁片與線圈之間可省去膠帶隔離，減少工藝及耗材，支架盤上設有通風孔便于線盤散熱。所述線盤根據電磁灶功率不同，盤體直徑不同、技術規格要求不同時，可選用幾十支O. 31mm或至幾百支O. Imm漆包線卷成單束,密繞或疏繞單層線圈，直徑大的線盤可采用密繞幾匝后間隔一定間距再密繞幾匝的單層多環線圈，也可采用多束粘成扁線或直接聚積成扁線、還可米用編織而成的扁線繞制多環線圈。所述線盤的盤體當磁片設置成3環時,其盤體直徑為170mm至210mm,線圈繞成后電感量為80uH至120uH ;當設置成4環時為200mm至250mm，電感量為65uH至IOOuH ;當設置成5環時為230mm至280mm，電感量為50uH至80uH。所述線盤可制成凹形，適用于凹底圓弧形鍋具，也可制成平面形，適用于平底鍋具，由磁片4環或5環繞成的線盤，由于盤體直徑較大更適于制成凹形線盤，配合圓弧形鍋具使用。該線盤根據不同的直徑大小、不同的磁片環數，其加熱面積從約220平方厘米至550平方厘米，鍋底加熱均勻，鍋具不易損壞，線盤工藝制作簡單，適用于機械化生產，以此為核心組成的較大功率電磁灶，使用效果有明顯改進。附圖說明圖I為圓形磁片3環狀設置單層線圈線盤正視圖圖2為圖I的剖面示意圖(單束密繞式)圖3為圖I的剖面示意圖(凹形單束密繞式)圖4為圖I的剖面示意圖(單束疏繞式)圖5為圓形磁片3環狀設置、3環線圈間隔繞法線盤正視圖圖6為圖5的剖面示意圖(單束3環線圈間隔式)圖7為圖5的剖面示意圖(凹形單束3環線圈間隔式)圖8為圖5的剖面示意圖(扁線3環線圈間隔式)圖9為圓形磁片4環狀設置單層線圈線盤正視圖圖10為圖9的剖面示意圖(凹形單束疏繞式)圖11為圓形磁片4環狀設置、4環線圈間隔繞法線盤正視圖圖12為圖11的剖面示意圖(凹形單束4環線圈間隔式)圖13為圖11的劑面不意圖(扁線4環線圈間隔式)圖14為圓形磁片5環狀設置單層線圈正視圖圖15為圖14的剖面示意圖(單束疏繞式)圖16為長方形磁片3環設置單層線圈線盤正視圖具體實施方式參見圖I、圖2、圖3、圖4，在本第一實施例中，磁片呈3環狀分布，共用24只圓形磁片I、數十支O. 27mm至O. 31mm漆包線卷成的單束線2、6個通風孔3、支架盤4組成。該線盤直徑為185mm至195mm，內I環設6只圓形磁片等間距環狀布置，內2環與內I環相同，外環為12只圓形磁片、等間距環狀布置；各環之間設5mm左右間距、支架盤設計時使磁片嵌入時沉下Imm至2mm,磁片與線圈不接觸。單束漆包線直接在支架盤上密繞29至31膽，成品電感量為95uH左右，繞成后線圈大電流通電數秒鐘使線圈加熱粘固在支架盤上。此線盤現有2KW左右的電磁灶一般可直接換用。參見圖5、圖6、圖7、圖8，在本第二實施例中，磁片數量及分布與圖I相同，不同之處為盤體直徑為195mm至205mm,線圈采用密繞幾阻后間隔5mm至IOmm再密繞幾阻間隔繞法的線盤，可提供給要求加熱面積較大的電磁灶使用。參見圖9、圖10，在本第三實施例中，圓形磁片呈4環狀分布，共用30只，線圈采用單層疏繞法，該線盤適合功率較大，加熱面積要求較大的電磁灶，其成品電感量一般為SOuH左右。參見圖11、圖12、圖13，在本第四實施例中，圓形磁片數量及分布與圖9相同，線圈則采用單層密繞幾匝后再間距7_至15_再密繞幾匝的間隔繞法，也可采用扁線繞制該線圈。 參見圖14、圖15，在本第五實施例中，圓形磁片呈5環狀分布，共用40只，線圈采用單層疏繞法，該線盤適合功率大、加熱面積大的電磁灶，其成品電感量一般為60uH左右。參見圖16，在本第六實施例中，采用長方形磁片，其作用與圓形磁片一樣，也可采用正方形，橢圓形、半弧形或多邊形來設計該線盤。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
磁片作多環狀設置的大線盤，包括鐵氧體磁片和加熱線圈及線盤支架；其特征是：圓形線盤直徑可從170mm至280mm，由數十片磁片設置成3環至5環，同軸心布置，環與環之間設有間距，盤面上可選用多種型式漆包線繞制各種線圈。

【技術特征摘要】
1.磁片作多環狀設置的大線盤，包括鐵氧體磁片和加熱線圈及線盤支架；其特征是圓形線盤直徑可從170mm至280mm，由數十片磁片設置成3環至5環，同軸心布置，環與環之間設有間距，盤面上可選用多種型式漆包線繞制各種線圈。2.如權利要求I所述的線盤，其特征是磁片的幾何形狀可為圓形、長方形、正方形、橢圓形、半弧形或多邊形。磁片間隔布置成圓環狀，同軸心設置3至5環，環與環之間磁片有間距，其距離為3謹至3Ctam。3.如權利要求I所述的線盤，其特征是磁片各環使用數量可相同，也可不相同；當采用3環時內I環為3至8只、內2環為5至10只、外環為6至15只；當采用4環時內I環為3至7只、內2環為4至9只、內3環為5至12只、外環為6至16只；當采用5環時內I環為3至6只、內2環為4至8只、內3環為5至10只、內4環為6至13只、外環為7至18只。4.如...

【專利技術屬性】
技術研發人員：阮道坤，邱成藩，
申請(專利權)人：阮道坤，邱成藩，
類型：實用新型
國別省市：