處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法制造方法及圖紙

一種處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法，所述處理腔氣密性檢測裝置在所述處理腔殼體的開口上放置有一塊平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體。通過對所述密封腔體的氣密性進行檢測，即可判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置，從而最多可以節(jié)省近一半的排查時間。所述檢測方法簡單方便，可以快速地判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產(chǎn)從而受到較大的損失。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導體處理設備領(lǐng)域，特別涉及一種。
技術(shù)介紹
在現(xiàn)有的半導體處理設備中，例如刻蝕設備、沉積設備中，反應腔內(nèi)往往需要形成亞常壓、低壓或真空的環(huán)境，對反應腔的密閉性要求很高。如果密閉性不佳，會嚴重影響這些設備的工作效率和可靠性，甚至很可能造成處理的芯片損毀，因此，對這些半導體處理 設備進行密閉性檢查變得非常必要。目前檢測半導體處理設備的密閉性的方法一般為氣密性檢測，即將一定量的氣體通入到半導體處理設備的處理腔中，經(jīng)過一定的時間后，檢測所述處理腔的氣壓變化量是否超過預定的最大氣壓差值，從而判斷所述處理腔的密封性是否合格。更多關(guān)于密封性檢測裝置請參考授權(quán)公告號為CN201754118U的中國專利文獻。但是現(xiàn)有的半導體處理設備的處理腔往往包括處理腔殼體和對應的處理腔頂蓋兩個部分，所述處理腔頂蓋連接有進氣單元，所述處理腔殼體連接有抽氣單元，其中所述處理腔殼體和處理腔頂蓋的接觸處、進氣單元、抽氣單元都可能發(fā)生泄漏。而利用現(xiàn)有的檢測裝置不能快速地分辨出半導體處理設備的反應腔內(nèi)哪一部分發(fā)生泄漏，需要對每個可能發(fā)生泄漏的位置進行排查，導致最終排除故障的時間較長。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決的問題是提供了一種，可以快速方便地判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。為解決上述問題，本專利技術(shù)技術(shù)方案提供了一種處理腔氣密性檢測裝置，包括處理腔殼體；處于開啟狀態(tài)的與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋；位于所述處理腔殼體的開口上的平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體；對所述密封腔體的氣壓進行檢測的氣壓監(jiān)測單元；與密封腔體對應的抽氣單元；與所述氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元相連接的控制單元，所述抽氣單元對所述密封腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置。可選的，利用氣壓監(jiān)測單元對所述密封腔體內(nèi)的氣壓變化進行檢測，控制單元根據(jù)確定抽氣量對應的氣壓值或密封腔體內(nèi)的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。可選的，所述抽氣單元為位于所述處理腔殼體上的抽氣口及對應的抽氣泵。可選的，所述氣壓監(jiān)測單元位于所述處理腔殼體上。可選的，所述控制單元位于所述半導體處理設備內(nèi)，利用確定抽氣量對應的氣壓值或氣壓監(jiān)測單元測得的密封腔體內(nèi)的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。可選的，所述平面密封板的尺寸大于所述處理腔殼體的開口的尺寸。可選的，所述平面密封板相對應與處理腔殼體的開口的一面光滑平整。可選的，所述平面密封板的材料為亞克力或鋼化玻璃。可選的，所述平面密封板的厚度范圍大于或等于5厘米。可選的，所述平面密封板具有輔助手持部件。可選的，所述平面密封板還包括聯(lián)軸閥，用于在檢測完成后使密封腔體內(nèi)的氣壓恢復到常壓。可選的，所述處理腔頂蓋具有進氣單元。 可選的，所述半導體處理設備為等離子體刻蝕設備、化學氣相沉積設備、氧化設備或尚子注入設備。本專利技術(shù)技術(shù)方案還提供了一種利用所述處理腔氣密性檢測裝置進行檢測的檢測方法，包括開啟處理腔頂蓋，將平面密封板放置在處理腔殼體的開口上，使得所述處理腔殼體和平面密封板形成封閉腔體；對所述封閉腔體進行抽氣；利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格；當所述封閉腔體的氣密性合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置；當所述封閉腔體的氣密性不合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔殼體位置。可選的，對所述封閉腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第一氣壓值；經(jīng)過預定時間后對所述封閉腔體進行測試獲得第二氣壓值，所述氣壓監(jiān)測單元將兩個氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元根據(jù)預定時間內(nèi)封閉腔體的兩個氣壓值之間的氣壓變化值是否超過預定差值，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格。可選的，控制抽氣單元在單位時間內(nèi)的抽氣量和總的抽氣時間，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第三氣壓值，將所述第三氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元將所述第三氣壓值與預定氣壓值進行比較，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，所述預定氣壓值為氣密性良好的封閉腔體在相同條件下進行抽氣后測得的氣壓值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具有以下優(yōu)點本專利技術(shù)實施例在所述處理腔殼體的開口上放置一塊平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體。通過對所述密封腔體的氣密性進行檢測，即可判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。所述檢測方法簡單方便，可以快速地判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置，從而最多可以節(jié)省近一半的排查時間，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產(chǎn)從而受到較大的損失。附圖說明圖I是本專利技術(shù)實施例的半導體處理設備的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本專利技術(shù)實施例的處理腔氣密性檢測裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖3是本專利技術(shù)實施例的平面密封板的立體結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施例方式由于利用現(xiàn)有的檢測裝置不能快速地分辨出半導體處理設備的處理腔內(nèi)哪一部分發(fā)生泄漏，需要對每個可能發(fā)生泄漏的位置進行排查，導致最終排除故障的時間較長。因此本專利技術(shù)提供了一種處理腔氣密性檢測裝置，在所述處理腔殼體的開口上放置一塊平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體。利用所述抽氣單元對密封腔體進行抽氣后，氣壓監(jiān)測單元對所述密封腔體內(nèi)的氣壓變化進行檢測，控制單元根據(jù)抽氣量和密封腔體內(nèi)的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。由于所述檢測方法簡單方便，可以快速地判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置，從而最多可以節(jié)省近一半的排查時間，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產(chǎn)從而受到較大的損失。為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù)的具體實施方式做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本專利技術(shù)。但是本專利技術(shù)能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本專利技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本專利技術(shù)不受下面公開的具體實施的限制。本專利技術(shù)實施例首先提供了一種半導體處理設備，所述半導體處理設備的剖面結(jié)構(gòu)請參考圖1，具體包括位于所述半導體設備100內(nèi)的處理腔殼體110 ;位于所述處理腔殼體110的開口上且與處理腔殼體110對應的處理腔頂蓋115，使得所述處理腔頂蓋115和處理腔殼體110構(gòu)成處理腔120 ;位于所述處理腔頂蓋115上的進氣口 181及對應的供氣源182，所述進氣口 181和供氣源182構(gòu)成進氣單元；位于所述處理腔殼體110上的氣壓監(jiān)測單元150，位于所述處理腔殼體110上的抽氣口 171及對應的抽氣泵172，所述抽氣口 171和抽氣泵172構(gòu)成抽氣單元；位于所述半導體本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，包括：處理腔殼體；處于開啟狀態(tài)的與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋；位于所述處理腔殼體的開口上的平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體；對所述密封腔體的氣壓進行檢測的氣壓監(jiān)測單元；與密封腔體對應的抽氣單元；與所述氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元相連接的控制單元，所述抽氣單元對所述密封腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳敏，王旭東，
申請(專利權(quán))人：上海宏力半導體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：