【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種寄生效應低、品質因子高的改進型開關電容結構，其特征在于：它包括一個NMOS開關管（N1）、一個反相器（INV）、一個電阻（R0）、一個電容（C），所述NMOS開關管（N1）柵極為開關控制信號D的輸入端，漏極與電容（C）的一端連接，源極和襯底都接電源地（GND），所述反相器（INV）的輸入為開關控制信號D的輸入端，輸出接電阻（R0）的一端，電阻（R0）的另一端接NMOS開關管的漏極，電容的另一端為開關電容的輸出端OUT。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：郭斌，
申請(專利權)人：長沙景嘉微電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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