一種MEMS壓阻式壓力傳感器及其制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種MEMS壓阻式壓力傳感器及其制備方法，該MEMS壓阻式壓力傳感器包括應(yīng)變膜和壓敏電阻，應(yīng)變膜的正面邊緣分布有島結(jié)構(gòu)，壓敏電阻位于所述島結(jié)構(gòu)上。在制備時基片正面島結(jié)構(gòu)的制作在背腔各向異性腐蝕之前，避免正面制作島結(jié)構(gòu)時應(yīng)變膜出現(xiàn)崩裂。本發(fā)明專利技術(shù)的壓力傳感器同時具有高靈敏度和高線性度，其制備方法與傳統(tǒng)工藝兼容，成品率高。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點】
一種MEMS壓阻式壓力傳感器，包括應(yīng)變膜和壓敏電阻，其特征在于，所述應(yīng)變膜的正面邊緣分布有島結(jié)構(gòu)，所述壓敏電阻位于所述島結(jié)構(gòu)上。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃賢，張大成，趙丹淇，何軍，楊芳，田大宇，劉鵬，王瑋，李婷，羅葵，
申請(專利權(quán))人：北京大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：