透明導電性薄膜的制造方法技術

本發明專利技術提供透明導電性薄膜的制造方法。課題在于在透明導體層被圖案化了的透明導電性薄膜中，即使在將基材的厚度減小至80μm以下時，也可抑止由可看到透明導體層的圖案邊界導致的美觀性降低。本發明專利技術的制造方法包括：層疊體準備工序，準備在撓性透明基材上形成有未圖案化的透明導體層的層疊體；圖案化工序，將一部分透明導體層去除，圖案化為在撓性透明基材上具有透明導體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導體層的圖案開口部；以及熱處理工序，對透明導體層圖案化之后的前述層疊體進行加熱。優選熱處理工序中的、圖案形成部的尺寸變化率H1與圖案開口部的尺寸變化率H2之差H1-H2的絕對值小于0.03%。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及在撓性透明基材的一個面上具有透明導體層的。
技術介紹
迄今，作為觸摸屏等中使用的透明導電性薄膜，已知有在透明薄膜等撓性透明基材上層疊有由ITO等導電性金屬氧化物形成的透明導體層的薄膜。近年來，可多點輸入(多點觸摸)的投影型靜電容量方式的觸摸屏、矩陣型的電阻膜方式觸摸屏受到注目，在這些觸摸屏中，透明導電性薄膜的透明導體層被圖案化為規定形狀(例 如條紋狀)。這種透明導電性薄膜包括在撓性透明基材上具有透明導體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導體層的圖案開口部。透明導體層被圖案化的情況下，有時起因于形成有透明導體層的部分(圖案形成部)與未形成透明導體層的部分(圖案開口部)之間的反射率差，可看到圖案，作為顯示元件的美觀性變差。從抑制這種由透明導體層的有無導致的視覺識別性的差異的角度出發，提出了 在薄膜基材與透明導體層之間設置多個光學干涉層作為底涂層，將光學干涉層的折射率等調整至規定范圍(例如專利文獻廣4)。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2010-15861號公報專利文獻2 :日本特開2008-98169號公報專利文獻3 :日本特許第4364938號說明書專利文獻4 日本特開2009-76432號公報
技術實現思路
專利技術要解決的問題如上所述，透明導體層被圖案化的情況下，要求其邊界不容易被看到，在此基礎上，從顯示裝置的輕量化、薄型化的角度出發，要求觸摸屏等中使用的透明導電性薄膜薄型化。為了減小透明導電性薄膜的厚度，需要減小占其大部分厚度的薄膜基材的厚度。然而，本專利技術人等進行了研究，結果弄清，如果減小薄膜基材的厚度，則即使在基材與透明導體層之間設置有光學干涉層，在將透明導電性薄膜組裝到了觸摸屏中時，有時透明導體層的圖案邊界也容易被看到，美觀性變差。鑒于上述情況，本專利技術的目的在于提供即使在基材的厚度較小為80 y m以下時，在組裝到觸摸屏中時透明導體層的圖案也不容易被看到的透明導電性薄膜。用于解決問題的方案鑒于上述技術問題，本專利技術人等研究的結果發現通過減小將透明導電性薄膜的透明導體層圖案化之后進行的熱處理工序中圖案形成部與圖案開口部的尺寸變化率之差，透明導體層的圖案變得不容易被看到，從而完成了本專利技術。本專利技術涉及在厚度80 μ m以下的撓性透明基材上具備圖案化了的透明導體層的。透明導電性薄膜包括在撓性透明基材上具有透明導體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導體層的圖案開口部。本專利技術的制造方法包括下述工序層疊體準備工序，準備在具有透明薄膜基材的撓性透明基材上形成有未圖案化的透明導體層的層疊體；圖案化工序，將一部分透明導體層去除，圖案化為在撓性透明基材上具有透明導體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導體層的圖案開口部；以及熱處理工序，對透明導體層被圖案化之后的前述層疊體進行加熱。在本專利技術中，優選熱處理工序中的圖案形成部的尺寸變化率H1與圖案開口部的尺寸變化率H2之差H1-H2的絕對值較小。具體而言， H1-H2優選小于O. 03%,更優選為O. 025%以下，進一步優選為O. 02%以下，特別優選為O. 015%以下。在一個實施方式中，優選對透明導體層被圖案化之后的前述層疊體進行加熱的熱處理工序中的溫度小于100°c。在本專利技術的一個實施方式中，一部分透明導體層的去除可以通過使用蝕刻劑的濕法蝕刻適宜地進行。該情況下，優選在熱處理工序中將前述層疊體加熱干燥。在本專利技術的一個實施方式中，撓性透明基材在透明薄膜基材的透明導體層形成面側形成有底涂層。此外，優選透明導體層由摻錫氧化銦形成，優選撓性透明基材使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作為透明薄膜基材。專利技術的效果根據本專利技術，在將透明導體層圖案化之后的透明導電性薄膜中，圖案形成部與圖案開口部的加熱時的尺寸變化率之差在規定范圍內。因此，即使在加熱后，在透明導體層與撓性透明基材的界面產生的應力仍較小，薄膜不容易產生起伏。在將如此得到的透明導電性薄膜與玻璃板等剛性的基體貼合來形成觸摸屏等時，圖案邊界處的臺階差減小，可抑制由圖案邊界被看到而導致的美觀性降低。附圖說明圖I是透明導體層被圖案化了的透明導電性薄膜的示意剖視圖。圖2是示出帶粘合劑層的透明導電性薄膜的一個方式的剖視圖。圖3是示出將透明導電性薄膜與其他基體貼合的方式的示意剖視圖。圖4是示出透明導體層被圖案化了的透明導電性薄膜的一個方式的示意俯視圖。圖5是表示圖案邊界處的表面形狀(臺階差)的測定結果的一個例子的圖。圖6是用于概念性說明在將透明導電性薄膜與基體貼合時在圖案邊界產生臺階差的圖。圖7是繪制實施例和比較例中的(H1-H2)的值與圖案邊界處的臺階差的關系的圖。附圖標記說明I撓性透明基材11透明薄膜基材12底涂層2透明導體層3粘合劑層50 基體100透明導電性薄膜具體實施例方式圖I是示出具有圖案化了的透明導體層的透明導電性薄膜的一個方式的示意剖視圖。圖I所示的透明導電性薄膜100在撓性透明基材I的一個面具有圖案化了的透明導體層2。撓性透明基材在透明薄膜基材11的表面根據需要而形成有底涂層12等。透明導電性薄膜100由形成有透明導體層2的圖案形成部P和未形成透明導體層的圖案開口部O構成。圖2是示出在撓性透明基材I的未形成透明導體層2側的面具有粘合劑層3的帶粘·合劑層的透明導電性薄膜的一個方式的示意剖視圖。圖3是示出透明導電性薄膜借助于該粘合劑層3被貼合在玻璃等剛性的基體50上的帶粘合劑層的透明導電性薄膜110的示意首1J視圖。首先，討論在具有上述這種構成的透明導電性薄膜中，在減小撓性透明基材I的厚度時透明導體層2的圖案邊界變得容易被看到的原因。借助于粘合劑層3將透明導電性薄膜100貼合在玻璃板50上時的、透明導體層側的表面形狀輪廓的一個例子示于圖5，所述透明導電性薄膜100在厚度23 μ m的由PET薄膜基材形成的撓性透明基材I上形成有由ITO形成的圖案化了的透明導體層2。在圖5中，在形成有透明導體層的圖案形成部P與未形成透明導體層的圖案開口部O的邊界處產生了 150nm以上的高低差(臺階差)。在該例子中，圖案邊界處的高低差要遠遠大于透明導體層的厚度(22nm)，可認為該臺階差是使得圖案邊界容易被看到的主要原因。進一步研究在如此貼合在玻璃板上的透明導電性薄膜的圖案邊界處產生較大臺階差的原因，結果發現，如圖6的(a)所概念性示出，貼合到玻璃板上之前的透明導電性薄膜以圖案形成部P的透明導體層2形成面側為凸起產生了波浪狀的起伏。如此產生了起伏的薄膜如果借助于粘合劑層被貼合在平坦的玻璃板上，則由于玻璃板的剛性要比薄膜大，因此薄膜的起伏本身基本被消除而變平坦。而在透明導電性薄膜的起伏被消除而變平坦時，由于應變會集中在彎曲成凸狀的圖案形成部P的邊界部，如圖6的(b)所概念性示出，透明導體層在端部的邊界附近凸起，推定這是在邊界產生臺階差的原因。另外，在圖3和圖6的(b沖，圖示出了透明導電性薄膜100的撓性透明基材I側借助于粘合劑層3與剛性的基體貼合的方式，可認為透明導體層2側與其他基體(例如觸摸屏的窗口層)貼合時，也會由于薄膜的起伏而在圖案邊界產生臺階差，圖案邊界變得容易被看到。認為為了消除臺階差而使圖案邊界不容易被看到，重要的是消除貼合在玻璃等剛性基體上之前的透明導電性薄膜的起伏。進一步考察透明導電本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種透明導電性薄膜的制造方法，其是制造在具有透明薄膜基材的撓性透明基材的一個面上具備圖案化了的透明導體層的透明導電性薄膜的方法，該透明導電性薄膜包括在撓性透明基材上具有透明導體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導體層的圖案開口部，撓性透明基材的厚度為80μm以下，該方法包括下述工序：層疊體準備工序，準備在撓性透明基材上形成有未圖案化的透明導體層的層疊體；圖案化工序，將一部分所述透明導體層去除，圖案化為在撓性透明基材上具有透明導體層的圖案形成部和在撓性透明基材上不具有透明導體層的圖案開口部；以及熱處理工序，對透明導體層被圖案化之后的所述層疊體進行加熱，熱處理工序中的、圖案形成部的尺寸變化率H1與圖案開口部的尺寸變化率H2之差H1?H2的絕對值小于0.03%。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：田部真理，安藤豪彥，菅原英男，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：