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    金屬化膜及金屬箔結合電容器制造技術

    技術編號:8474445 閱讀:165 留言:0更新日期:2013-03-24 19:17
    本實用新型專利技術涉及金屬化膜及金屬箔結合電容器,該電容器由第一光膜、位于第一光膜左側下部的金屬箔一、位于第一光膜右側上部的金屬箔二、單面金屬化薄膜、第二光膜層疊卷繞而成。金屬箔一和金屬箔二不重疊,且錯開一段距離。該電容器為內串結構,能在較小的體積內實現較大的容量,且具有耐大電流、耐高電壓、絕緣電阻大、使用頻率高等特點。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】

    金屬化膜及金屬箔結合電容器
    本技術涉及金屬化膜及金屬箔結合電容器,具體地說是一種采用了內部串聯結構,金屬極板為金屬化膜上的金屬層和金屬箔的電容器。
    技術介紹
    技術ZL 200920118859. 7提及了一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器,該電容器由第一聚丙烯膜,第二聚丙烯膜及雙留邊蒸鍍聚丙烯膜依次疊合連接而成,第一聚丙烯膜左半部分的下側面及右半部分的上側面分別設置有金屬箔作為電極。因該電容器為上述結構繞卷而成,第一聚丙烯膜右半部分的上側面的金屬箔與雙留邊蒸鍍聚丙烯膜的右半部分的金屬層之間沒有介質膜隔開,兩者是直接接觸的,不能形成容量。整個電容器中僅第一聚丙烯膜左半部分的下側面的金屬箔與雙留邊蒸鍍聚丙烯膜的左半部分的金屬層之間被介質膜隔開,可以形成電容器。這樣該電容器不是內部串聯結構,沒有耐壓更高,絕緣電阻大,使用頻率高的特點,反而浪費了材料。
    技術實現思路
    本技術要解決的技術問題是提供一種能在較小的體積內實現較大的容量,且具有耐大電流、耐聞電壓、絕緣電阻大、使用頻率聞等特點的電容器。為解決上述技術問題,本技術的技術方案為電容器由第一光膜、位于第一光膜左側下部的金屬箔一、位于第一光膜右側上部的金屬箔二、單面金屬化薄膜、第二光膜層疊卷繞而成。金屬箔一和金屬箔二不重疊,且錯開一段距離。進一步的,單面金屬化薄膜和第二光膜的寬度相等,但小于第一光膜的寬度。進一步的,單面金屬化薄膜上的金屬化層區位于薄膜正中,兩側為無金屬層帶。優選的,金屬箔為鋁箔。優選的,各薄膜的基膜材質均為聚丙烯。附圖說明以下結合附圖對本技術作進一步詳細說明。圖I為現有技術電容器結構示意圖。圖2為本技術電容器結構示意圖。具體實施方式如圖I所示,現有技術的電容器第一聚丙烯膜11,第二聚丙烯膜14及雙留邊蒸鍍聚丙烯膜15依次疊合連接而成,第一聚丙烯膜11左半部分的下側面及右半部分的上側面分別設置有金屬箔12和13作為電極。第一聚丙烯膜11右半部分的上側面的金屬箔13與雙留邊蒸鍍聚丙烯膜的右半部分的金屬層16之間沒有介質膜隔開,兩者是直接接觸的,不能形成容量。如圖2所不,本技術電容器由第一光膜21、位于第一光膜左側下部的金屬箔一 22、位于第一光膜右側上部的金屬箔二 23、單面金屬化薄膜24、第二光膜25層疊卷繞而成。金屬箔一 22和金屬箔二 23不重疊,且錯開一段距離。所述單面金屬化薄膜24和第二光膜25的寬度相等,但小于第一光膜21的寬度。 這樣可以增加不同極性金屬層電極間的絕緣距離,增加耐電壓強度。同時可以在芯子端面形成同心凹陷圓環,當電容器兩端面噴涂金屬時,可以增加附著力。所述單面金屬化薄膜24上的金屬化層區26位于薄膜正中,兩側為無金屬層帶。這樣電容器形成內部串聯結構,電極分別由金屬箔一 22和金屬箔二 23引出,金屬化層區26中部和金屬箔不重合的部分可以視為兩部分電容的串聯導線。所述金屬箔一 22和金屬箔二 23為鋁箔,可經熱壓機輕壓以增加面積,也可用鋅錫合金絲預噴,提高可焊性。所述第一光膜21、單面金屬化薄膜24、第二光膜25的基膜為聚丙烯膜。聚丙烯膜為非極性材料,在交流環境下使用擁有良好的電氣性能。本技術電容器體積小容量高,且具有耐大電流、耐高電壓、絕緣電阻大、使用頻率高等特點。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    金屬化膜及金屬箔結合電容器,其特征為:電容器由第一光膜(21)、位于第一光膜(21)左側下部的金屬箔一(22)、位于第一光膜(21)右側上部的金屬箔二(23)、單面金屬化薄膜(24)、第二光膜(25)層疊卷繞而成。金屬箔一(22)和金屬箔二(23)不重疊,且錯開一段距離。

    【技術特征摘要】
    1.金屬化膜及金屬箔結合電容器,其特征為電容器由第一光膜(21)、位于第一光膜(21)左側下部的金屬箔一(22)、位于第一光膜(21)右側上部的金屬箔二(23)、單面金屬化薄膜(24)、第二光膜(25)層疊卷繞而成。金屬箔一(22)和金屬箔二(23)不重疊,且錯開一段距離。2.根據權利要求I所述的金屬化膜及金屬箔結合電容器,其特征是單面金屬化薄膜(24)和第二光膜(25)的寬度相等,但小于第一光膜(21...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:郜源鋒汪秀義
    申請(專利權)人:銅陵源豐電子有限責任公司
    類型:實用新型
    國別省市:

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