半導體裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術提供一種半導體裝置，可提高散熱性。半導體裝置包括：散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽；接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術的實施方式涉及一種半導體裝置 。
技術介紹
已有將多個半導體元件(例如半導體發光元件)高密度地封裝的半導體裝置。例如，當為半導體發光元件的場合下，有時可能通電電流的7成左右會變成熱。因此，在半導體裝置中，確保具有能效率良好地散熱的散熱路徑是不可或缺的。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本專利第4846515號公報
技術實現思路
本技術的實施方式提供一種提高了散熱性的半導體裝置。實施方式的半導體裝置包括散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽；接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。所述的半導體裝置，其中，所述散熱構件的所述槽由所述接合構件全部埋入。所述的半導體裝置，其中，所述散熱構件的全部的所述槽形成為，在所述接合電極利用所述接合構件而固定的狀態下，位于所述接合電極的外緣的內側。所述的半導體裝置，其中，所述散熱構件的一部分的所述槽形成為，在所述接合電極利用所述接合構件而固定的狀態下，位于所述接合電極的外緣的外側。 所述的半導體裝置，其中，所述槽包括多個第I槽部及與所述第I槽部交叉的多個第2槽部。所述的半導體裝置，其中，所述接合構件的側面形成有往所述散熱構件的一側擴開的錐形。附圖說明圖1(a) 圖1(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖2(a)及圖2(b)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖3(a) 圖3(e)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意圖。圖4(a)及圖4(b)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖。圖5是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的流程圖。圖6是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的圖表。圖7(a) 圖7(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖8(a) 圖8(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖9(a) 圖9(c)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖10(a)及圖10(b)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖11 (a)及圖11 (b)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖12(a) 圖12(c)是例示參考例的半導體裝置的示意剖視圖。圖13是例示第I實施方式的其他半導體裝置的結構的示意剖視圖。圖14(a) 圖14(d)是例示第2實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖15(a) 圖15(d)是例示第2實施方式的半導體裝置的制造方法的示意圖。圖16是例示第2實施方式的其他半導體裝置的結構的示意剖視圖。圖17(a) 圖17(c)是例示第3實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖18(a) 圖18(c)是例示第3實施方式的其他半導體裝置的結構的示意圖。附圖標記I、2、3:半導體裝置la、2a:集合體11 :散熱構件Ila:上表面Ilb:外緣12 :接合構件12b :外緣12c :錐形12i:內側部分12o:外側分部12x :第I突條部12y :第2突條部13 :接合電極13b :外緣131 :下表面14 :配線基板14a 電路配線14b :外緣141 :下表面14u:上表面15 :發光部15a :半導體發光兀件15b :框15c :密封樹脂16 :連接器17 :槽17x :第 I 槽部17y :第 2 槽部18 :接合構件片材18b :外緣20 :腔室21 :載臺22 :加熱器23 :溫度計測器24 :冷卻板25 :非活性氣體26 :減壓環境27 :還原氣體28 :接合材料28b :外緣29 :氣泡31 :焊料32 :助焊劑32a :助焊劑殘渣33 :焊料片材34 :焊料34a :焊料球35 :突起101、102 :半導體裝置101a、101b、102a :集合體P :壓力T :溫度t0 t8:時間SO S8 :步驟X、Y、Z:方向具體實施方式以下，參照附圖來說明本技術的各實施方式。另外，附圖為示意性或概念性者，各部分的厚度與寬度的關系、部分間的大小比率等未必限于與現實相同。而且，即使在表示相同部分的情況下，也有時視附圖而以不同的相互尺寸或比率來表示。另外，在本案說明書與各圖中，對于與關于已述的圖而前述相同的要素標注相同的符號，并適當省略詳細的說明。(第I實施方式)圖1(a) 圖1(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖1(a)是立體圖。圖1(b)是平面圖。圖1(c)是圖1(b)的A-A'線剖視圖。圖1(d)是圖1(b)的B-B'線剖視圖。如圖I (a) 圖I (C)所示，在半導體裝置I (例如發光裝置)中設有散熱構件11、接合構件12、接合電極13、配線基板14、發光部15及連接器(connector) 16。在散熱構件11的上表面Ila形成有槽17。接合構件12設在散熱構件11上。接合構件12填埋槽17。配線基板14具有上表面14u與下表面141。配線基板14包括設在上表面14u的發光部15以及設在下表面141的接合電極13。接合電極13經由接合構件12而接合于散熱構件11。對于散熱構件11，使用導熱率高的材料(例如金屬)。散熱構件11例如包含銅(Cu)。散熱構件11例如包含從由銅、鋁(Al)、鐵(Fe)及鑰(Mo)構成的群中選擇的至少一種金屬。對于散熱構件11，也可使用單一的材料或復合材料(composite material)。對于散熱構件11，例如也可適用如以銅層夾著鑰層的結構般層疊有多個層的結構。在散熱構件11的表面，也可設有鍍敷層。鍍敷層既可設在散熱構件11的整個表面上，也可設在一部分表面上。當在表面的一部分設置鍍敷層時，例如在散熱構件11的表面中的與接合構件12接觸的部分設置鍍敷層。鍍敷層既可為I層也可為2層以上。當鍍敷層為I層時，鍍敷層例如包含從由鎳(Ni)、錫(Sn)、鈀(Pd)、銀(Ag)及金(Au)構成的群中選擇的至少一種金屬。例如，較為理想的是，鍍敷層抑制散熱構件11中所含的金屬的擴散。由此，在散熱構件11與接合構件12經由鍍敷層的接合部分，能夠抑制因材料的擴散造成的接合強度的劣化。因而，接合部分的長期可靠性提高。當鍍敷層為2層時，對于鍍敷層中所含的第I層，例如使用鎳。對于鍍敷層中所含的第2層，例如使用鎳與鈀(Pd)的層疊(Ni/Pd)體或合金、包含銀的層、及包含金的層中的任一者。此時，鍍敷層中的設在散熱構件11側的第I層較為理想的是抑制散熱構件11中所含的金屬的擴散。第2層較為理想的是確保與焊料材的潤濕性。當鍍敷層為3層時，例如第I層包含鎳，第2層包含鈀，第3層包含金。鍍敷層中的設在散熱構件11側的第I層較為理想的是抑制散熱構件11中所含的金屬的擴散。中間的第2層例如較為理想的是確保反光特性。第3層較為理想的是確保與焊料材的潤濕性。鍍敷的方法既可以是電解鍍敷，也可以是無電解鍍敷。散熱構件11的形狀例如為板狀。散熱構件11的上表面Ila例如為矩形。將相對于散熱構件11的上表面Ila而平行的I個方向設為X方向。將相對于上表面Ila而平行且相對于X方向而垂直的方向設為Y方向。將相對于上表面Ila而垂直的方向設為Z方向。散熱構件11的I個本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體裝置，其特征在于包括：散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽；接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。

【技術特征摘要】
2012.07.31 JP 2012-1706171.一種半導體裝置，其特征在于包括 散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽； 接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及 配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。2.根據權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于， 所述散熱構件的所述槽由所述接合構件全部埋入。3.根據權利要求I所述的半導體裝置，其特征在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：下川一生，
申請(專利權)人：東芝照明技術株式會社，
類型：實用新型
國別省市：