一種發光二極管封裝結構,包括基板、電極、第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片。所述電極形成于所述基板表面,包括第一電極、第二電極、第三電極和第四電極。還包括一個形成于所述基板表面的擋墻結構,擋墻結構將第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片分隔于其兩側。第一電極位于第一發光二極管芯片一側,第三電極至少有一第一連接部位于第一發光二極管芯片一側,第一發光二極管芯片通過金屬導線連接第一電極和第三電極上的第一連接部。第二電極位于第二發光二極管芯片一側,第四電極至少有一第二連接部位于第二發光二極管芯片一側,第二發光二極管芯片通過金屬導線連接第二電極和第四電極上的第二連接部。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體結構,尤其涉及一種發光二極管封裝結構。
技術介紹
發光二極管是一種節能、環保、長壽命的固體光源,因此近十幾年來對發光二極管技術的研究一直非常活躍,發光二極管也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源的趨勢。在現有技術中,若要實現特定的照明要求,一般需將多個發光二極管封裝體進行混合搭配,通過各個發光二極管封裝體之間的距離及排布的設置來實現特定的照明需要,這樣的結構雖然具有一定靈活性,但也存在集成度差,成本高的問題。因此,在實際應用當中,多會使用多芯片型發光二極管封裝構造,其具體結構是將多個性能指標不同的發光二極管芯片集成封裝,來實現多波段或者高演色性的照明要求,但是各個發光二極管芯片所發出的光線 會出現彼此干擾,難以控制其整體出光效果。無法滿足實際應用的需求。
技術實現思路
有鑒于此,有必要提供一種可減少各發光二極管芯片光線相互干擾的發光二極管封裝結構。—種發光二極管封裝結構,包括基板、電極、第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片和擋墻結構。該擋墻結構將基板表面分為分割為第一區域和第二區域兩個部分。所述電極形成于所述基板表面,包括第一電極、第二電極、第三電極和第四電極。所述第一發光二極管芯片、第一電極和第三電極的第一連接部位于擋墻結構的第一區域,所述第一發光二極管芯片通過金屬導線連接第一電極和第三電極上的第一連接部;第二發光二極管芯片、第二電極和第四電極的第二連接部位于擋墻結構的第二區域,所述第二發光二極管芯片通過金屬導線連接第二電極和第四電極上的第二連接部。上述的發光二極管封裝結構通過擋墻結構將第一發光二極管芯片以及第二發光二極管芯片相互隔開,可減少第一發光二極管芯片以及第二發光二極管芯片發出的光線的相互干擾。另外,上述發光二極管封裝結構中,由于該擋墻結構將基板表面分為分割為第一區域和第二區域兩個部分,所述第一發光二極管芯片、第一電極和第三電極的第一連接部位于擋墻結構的第一區域,第二發光二極管芯片、第二電極和第四電極的第二連接部位于擋墻結構的第二區域,使得連接發光二極管芯片和電極的金屬導線不用跨過所述擋墻結構,可有效的減少發光二極管封裝結構的厚度。附圖說明圖1是本專利技術第一實施方式提供的一種發光二極管封裝結構示意圖。圖2是圖1所示發光二極管封裝結構的俯視圖。圖3是圖1所示發光二極管封裝結構的仰視圖。圖4是本專利技術第二實施方式提供的一種發光二極管封裝結構示意圖。權利要求1.一種發光二極管封裝結構,包括基板、電極、第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片,其特征在于,所述發光二極管封裝結構還包括一個形成于所述基板表面的擋墻結構, 該擋墻結構將基板表面分為分割為第一區域和第二區域兩個部分,所述電極形成于所述基板表面,所述電極包括第一電極、第二電極、第三電極和第四電極,所述第一發光二極管芯片、第一電極和第三電極的第一連接部位于擋墻結構的第一區域,所述第一發光二極管芯片通過金屬導線連接第一電極和第三電極上的第一連接部;第二發光二極管芯片、第二電極和第四電極的第二連接部位于擋墻結構的第二區域,所述第二發光二極管芯片通過金屬導線連接第二電極和第四電極上的第二連接部。2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述第三電極和第四電極之間電連接,將所述第一電極和第二電極分別作為輸入和輸出電極,從而使得所述第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片之間形成串聯連接。3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述第三電極和第四電極之間電連接,將所述第一電極和第二電極作為輸入電極,將所述第三電極和第四電極作為公共輸出電極,使得所述第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片之間形成并聯連接。4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述第一電極和第二電極分別位于所述基板相對較長方向的兩端,所述第三電極和第四電極位于所述第一電極和第二電極之間。5.如權利要求4所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述基板包括上表面以及與所述上表面相對的下表面,所述第一電極、第二電極、第三電極及第四電極分別自所述基板的上表面延伸至所述下表面。6.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述基板的上表面還形成有反射杯,所述反射杯環繞所述第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片和擋墻結構,所述擋墻結構的兩端分別與該反射杯相連接,所述反射杯的內表面為反射面。7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述擋墻結構朝向第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片的表面為反射面,所述第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片發出的部分光線經過所述反射杯和所述擋墻結構反射出所述發光二極管封裝結構。8.如權利要求1至7項任一項所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述發光二極管封裝結構還包括至少一個穩壓裝置,該穩壓裝置與所述第一發光二極管芯片或者第二發光二極管反向并聯。9.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述穩壓裝置為穩壓二極管且數量為二,所述穩壓裝置以覆晶的方式分別設于所述第一電極和第三電極及所述第二電極和第四電極之間。10.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構,其特征在于所述穩壓裝置由磊晶摻雜、擴散摻雜或者離子布植的方式形成,該穩壓裝置分別位于所述第一電極和第三電極及所述第二電極和第四電極之間。全文摘要一種發光二極管封裝結構,包括基板、電極、第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片。所述電極形成于所述基板表面,包括第一電極、第二電極、第三電極和第四電極。還包括一個形成于所述基板表面的擋墻結構,擋墻結構將第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片分隔于其兩側。第一電極位于第一發光二極管芯片一側,第三電極至少有一第一連接部位于第一發光二極管芯片一側,第一發光二極管芯片通過金屬導線連接第一電極和第三電極上的第一連接部。第二電極位于第二發光二極管芯片一側,第四電極至少有一第二連接部位于第二發光二極管芯片一側,第二發光二極管芯片通過金屬導線連接第二電極和第四電極上的第二連接部。文檔編號H01L25/075GK103000782SQ201110269169公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月13日 優先權日2011年9月13日專利技術者羅杏芬 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種發光二極管封裝結構,包括基板、電極、第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片,其特征在于,所述發光二極管封裝結構還包括一個形成于所述基板表面的擋墻結構,該擋墻結構將基板表面分為分割為第一區域和第二區域兩個部分,所述電極形成于所述基板表面,所述電極包括第一電極、第二電極、第三電極和第四電極,所述第一發光二極管芯片、第一電極和第三電極的第一連接部位于擋墻結構的第一區域,所述第一發光二極管芯片通過金屬導線連接第一電極和第三電極上的第一連接部;第二發光二極管芯片、第二電極和第四電極的第二連接部位于擋墻結構的第二區域,所述第二發光二極管芯片通過金屬導線連接第二電極和第四電極上的第二連接部。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:羅杏芬,
申請(專利權)人:展晶科技深圳有限公司,榮創能源科技股份有限公司,
類型:發明
國別省市:
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。