一種像素電路及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術(shù)實施例提供了一種像素電路及顯示裝置，用以提高顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。所述像素電路包括：充電子電路、驅(qū)動子電路，以及發(fā)光控制子電路；所述驅(qū)動子電路包括：參考信號源、驅(qū)動晶體管、電容，以及發(fā)光器件；其中，所述發(fā)光控制子電路的第一端與所述參考信號源的輸出端相連，第二端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第三端與所述發(fā)光器件的一端相連，第四端與驅(qū)動晶體管的漏極相連；所述電容的一端與驅(qū)動晶體管的柵極相連，另一端與參考信號源的輸出端相連；所述充電子電路的第一端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第二端與驅(qū)動晶體管的漏極相連，第三端與驅(qū)動晶體管的柵極相連。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及有機發(fā)光
，尤其涉及一種像素電路及顯示裝置。
技術(shù)介紹
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)顯示器因具有功耗低、亮度高、成本低、視角廣，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)點，備受關(guān)注，在有機發(fā)光
得到了廣泛的應(yīng)用。OLED顯示器中，存在以下不可避免的問題。首先，背板上用于實現(xiàn)圖像顯示的每一個晶體管由于在制作過程中存在結(jié)構(gòu)上的不均勻性，以及電學(xué)性能和穩(wěn)定性方面的不均勻性，導(dǎo)致晶體管的閾值電壓Vth發(fā)生了漂移。其次，晶體管在長時間的導(dǎo)通的情況下會造成穩(wěn)定性下降。另外，隨著OLED尺寸大型化的發(fā)展，相應(yīng)地信號線上的負(fù)載變大，導(dǎo)致在信號線上出現(xiàn)電壓衰減，比如工作電壓Vdd發(fā)生改變。使用現(xiàn)有用于驅(qū)動OLED發(fā)光的像素電路的結(jié)構(gòu)驅(qū)動OLED工作時，流過OLED的電流與驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth、和/或驅(qū)動晶體管的穩(wěn)定性、和/或參考電壓Vdd有關(guān)。當(dāng)為每一個像素施加相同的驅(qū)動信號，背板顯示區(qū)域流過每個OLED的電流之間不相等，導(dǎo)致背板上的電流不均勻，從而導(dǎo)致圖像亮度不均勻。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)實施例提供一種像素電路及顯示裝置，用以提高顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。本技術(shù)實施例提供的像素電路，包括充電子電路、驅(qū)動子電路，以及發(fā)光控制子電路；所述驅(qū)動子電路包括參考信號源、驅(qū)動晶體管、電容，以及發(fā)光器件；其中，所述發(fā)光控制子電路的第一端與所述參考信號源的輸出端相連，第二端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第三端與所述發(fā)光器件的一端相連，第四端與驅(qū)動晶體管的漏極相連；所述電容的一端與驅(qū)動晶體管的柵極相連，另一端與參考信號源的輸出端相連；所述充電子電路的第一端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第二端與驅(qū)動晶體管的漏極相連，第三端與驅(qū)動晶體管的柵極相連；所述充電子電路用于為驅(qū)動子電路的電容充電，所述發(fā)光控制子電路用于控制驅(qū)動子電路導(dǎo)通，使得電容放電，驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。本技術(shù)實施例提供一種顯示裝置，包括上述像素電路。本技術(shù)實施例通過提供一種像素電路，包括充電子電路、驅(qū)動子電路，以及發(fā)光控制子電路；所述驅(qū)動子電路包括驅(qū)動晶體管、發(fā)光器件、電容，以及參考信號源；在像素電路處于數(shù)據(jù)信號寫入階段，參考信號源輸出的電壓GND加載到與參考信號源相連的電容的一端，充電子電路輸出與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓Vdata,根據(jù)該Vdata為電容充電；在像素電路處于發(fā)光階段，發(fā)光控制子電路控制參考信號源與驅(qū)動晶體管的源極導(dǎo)通，以及控制發(fā)光器件與驅(qū)動晶體管的漏極導(dǎo)通，參考信號源輸出的參考電壓加載到驅(qū)動晶體管的源極，電容放電，驅(qū)動晶體管根據(jù)加載到源極的參考電壓以及電容的放電對應(yīng)的電壓導(dǎo)通，驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的電壓僅與Vdata有關(guān),與像素的閾值電壓Vth和參考電壓無關(guān)，不存在Vth和參考電壓對發(fā)光器件電流的影響，不同像素輸入相同數(shù)據(jù)信號時，得到的圖像的亮度相同，提高了顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。附圖說明圖1為本技術(shù)實施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實施例提供的像素電路具體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本技術(shù)實施例提供的具有復(fù)位功能的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本技術(shù)實施例提供的具有復(fù)位功能的另一種像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本技術(shù)實施例提供的與圖3所示的像素電路對應(yīng)的像素電路工作時序圖；圖6為本技術(shù)實施例提供的另一種像素電路具體結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本技術(shù)實施例提供的具有復(fù)位功能的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本技術(shù)實施例提供的具有復(fù)位功能的另一種像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本技術(shù)實施例提供的與圖7所示像素電路對應(yīng)的像素電路工作時序圖。具體實施方式本技術(shù)實施例提供的一種像素電路及顯示裝置，用以提高顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。本技術(shù)實施例提供的像素電路，適用于驅(qū)動顯示裝置中每一個像素實現(xiàn)圖像顯不O本技術(shù)實施例像素電路中的驅(qū)動晶體管可以是薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal Oxid Semiconductor,M0S)。所述驅(qū)動晶體管可以是η型晶體管也可以是p型晶體管。本技術(shù)實施例有機發(fā)光二級管OLED接收來自η型驅(qū)動晶體管或P型驅(qū)動晶體管供應(yīng)的漏電流，實現(xiàn)發(fā)光顯示。本技術(shù)實施例提供的像素電路可以保證在發(fā)光階段驅(qū)動OLED發(fā)光的驅(qū)動電壓為數(shù)據(jù)信號源提供的電壓VDATA，與參考電壓Vdd或Vss或驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth無關(guān)。即使顯示裝置的背板在生產(chǎn)時存在驅(qū)動晶體管不均勻或穩(wěn)定性下降或信號線上的負(fù)荷較重的問題，都不會影響顯示區(qū)域電流的均勻性，從而提高了顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。下面通過附圖具體說明本技術(shù)實施例提供的技術(shù)方案。參見圖1，本技術(shù)實施例提供的像素電路包括充電子電路1、驅(qū)動子電路2，以及發(fā)光控制子電路3 ；驅(qū)動子電路2，包括參考信號源11、驅(qū)動晶體管Tl、電容Cl，以及發(fā)光器件，例如有機發(fā)光二極管OLED Dl ；其中，發(fā)光控制子電路3有四個端，所述發(fā)光控制子電路3的第一端與參考信號源11的輸出端相連，第二端與驅(qū)動晶體管Tl的源極相連，第三端與發(fā)光器件Dl的一端相連，第四端與驅(qū)動晶體管Tl的漏極相連；電容Cl的一端與驅(qū)動晶體管Tl的柵極相連，另一端與參考信號源11的輸出端相連；充電子電路I的第一端與驅(qū)動晶體管Tl的源極相連，第二端與驅(qū)動晶體管Tl的漏極相連，第三端與驅(qū)動晶體管Tl的柵極相連；在像素電路處于數(shù)據(jù)信號寫入階段，充電子電路I輸出與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓Vdata，將該電壓Vdata加載到電容Cl與驅(qū)動晶體管柵極相連的一端，數(shù)據(jù)信號寫入像素電路，電容Cl已經(jīng)充電；在像素電路處于發(fā)光階段，發(fā)光控制子電路3控制驅(qū)動晶體管Tl和OLEDDl所在的支路導(dǎo)通，該支路中的參考信號源11輸出的參考電壓v#it加載到驅(qū)動晶體管Tl的源極，電容Cl放電，驅(qū)動晶體管Tl根據(jù)加載到源極的參考電壓V參考以及電容Cl放電對應(yīng)的電壓導(dǎo)通，驅(qū)動OLED Dl發(fā)光。所述驅(qū)動晶體管Tl可以是P型晶體管也可以是η型晶體管。下面首先以各開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管Tl為P型晶體管為例說明本技術(shù)實施例提供的像素電路以及實現(xiàn)驅(qū)動發(fā)光的原理。針對P型驅(qū)動晶體管，Vdd為正值，Vdata為正值，Vth為負(fù)值。當(dāng)驅(qū)動晶體管Tl為P型晶體管時，所述參考信號源為參考信號源，所述驅(qū)動晶體管Tl的漏極與OLED Dl的正極相連，OLED Dl的負(fù)極與低電平信號源相連。較佳地，OLED Dl的負(fù)極與接地(GND)信號源相連。參見圖2，充電子電路I包括數(shù)據(jù)信號源12、門信號源13、開關(guān)晶體管Τ5，以及開關(guān)晶體管Τ6 ；開關(guān)晶體管Τ5的源極與數(shù)據(jù)信號源12的輸出端相連，漏極與驅(qū)動晶體管Tl的源極相連，柵極與門信號源13的輸出端相連；開關(guān)晶體管Τ6的源極與驅(qū)動晶體管Tl的柵極相連，漏極與驅(qū)動晶體管Tl的漏極相連，柵極與門信號源13的輸出端相連；具體地，在像素電路處于數(shù)據(jù)信號寫入階段，參考信號源11輸出的電壓GND加載到電容Cl與參考信號源11相連的一端；門信號源13控制開關(guān)晶體管Τ5和開關(guān)晶體管Τ6導(dǎo)通，充電子電路I的數(shù)據(jù)信號源12輸出與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓Vdata，將Vdata加載到驅(qū)本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種像素電路，其特征在于，包括：充電子電路、驅(qū)動子電路，以及發(fā)光控制子電路；所述驅(qū)動子電路包括：參考信號源、驅(qū)動晶體管、電容，以及發(fā)光器件；其中，所述發(fā)光控制子電路的第一端與所述參考信號源的輸出端相連，第二端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第三端與所述發(fā)光器件的一端相連，第四端與驅(qū)動晶體管的漏極相連；所述電容的一端與驅(qū)動晶體管的柵極相連，另一端與參考信號源的輸出端相連；所述充電子電路的第一端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第二端與驅(qū)動晶體管的漏極相連，第三端與驅(qū)動晶體管的柵極相連；所述充電子電路用于為驅(qū)動子電路的電容充電，所述發(fā)光控制子電路用于控制驅(qū)動子電路導(dǎo)通，使得電容放電，驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種像素電路，其特征在于，包括充電子電路、驅(qū)動子電路，以及發(fā)光控制子電路； 所述驅(qū)動子電路包括參考信號源、驅(qū)動晶體管、電容，以及發(fā)光器件；其中，所述發(fā)光控制子電路的第一端與所述參考信號源的輸出端相連，第二端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第三端與所述發(fā)光器件的一端相連，第四端與驅(qū)動晶體管的漏極相連; 所述電容的一端與驅(qū)動晶體管的柵極相連，另一端與參考信號源的輸出端相連；所述充電子電路的第一端與驅(qū)動晶體管的源極相連，第二端與驅(qū)動晶體管的漏極相連，第三端與驅(qū)動晶體管的柵極相連；所述充電子電路用于為驅(qū)動子電路的電容充電，所述發(fā)光控制子電路用于控制驅(qū)動子電路導(dǎo)通，使得電容放電，驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述充電子電路包括數(shù)據(jù)信號源、 門信號源、第一開關(guān)晶體管，以及第二開關(guān)晶體管； 第一開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)信號源的輸出端相連，漏極與驅(qū)動晶體管的源極相連， 柵極與門信號源的輸出端相連；第二開關(guān)晶體管的源極與驅(qū)動晶體管的柵極相連，漏極與驅(qū)動晶體管的漏極相連，柵極與門信號源的輸出端相連；所述門信號源用于控制第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管導(dǎo)通，與第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管相連的驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，所述充電子電路用于為與驅(qū)動晶體管的柵極相連的電容充電。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光控制子電路包括發(fā)光信號源、第三開關(guān)晶...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬占潔，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：