【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種整流橋，特別涉及改進結構的三相整流橋磚。
技術介紹
現有技術的單、三相整流橋一股由芯組、絕緣層以及鋁底塑殼塑封，或者是鋁基覆銅板上焊接芯組后塑封而成。所述芯組由一組芯片和將各芯片按整流橋電路連接的橋架組成，絕緣層為塑料絕緣片。目前，以上兩類結構產品還分別存在有以下缺點芯片的銅腳太窄，會導致銅件的溫度升高，也會影響芯片的溫度升高，造成漏電流和通電流的效率降低，影響正常工作。有 鑒于此，本專利技術人針對現有技術中整流橋的上述缺陷深入研究，遂有本案產生。
技術實現思路
為了克服現有技術中存在的上述不足之處，本技術的目的在于提供一種改進結構的三相整流橋，它具有結構緊湊，防止電流過大燒斷。為了達到上述之目的，本技術采用如下具體技術方案改進結構的三相整流橋磚，包括絕緣外殼，封裝于該絕緣外殼內的芯組、絕緣層和散熱鋁底板，所述芯組的一端向外延伸有延展部，所述底板采用兩塊“7”形的底板設于絕緣外殼內，中間構成有矩形凹槽。與現有的技術相比，本技術具有以下突出優點和效果本技術加大芯組的銅腳，防止銅件和芯片的溫度升高，提高銅件和芯片的使用率，保證漏電流和通電流的工作效率；同時將兩塊“7”形的底板設于絕緣外殼內，方便給單相整流橋統一使用，而且結構緊湊，使用方便等特點。附圖說明圖1為本技術的結構示意圖。圖2為圖1的俯視圖。以下結合附圖對本技術作進一步的詳細說明。具體實施方式為了進一步解釋本技術的技術方案，下面通過具體實施例來對本技術進行詳細闡述。如圖1、圖2所示,改進結構的三相整流橋磚,包括絕緣外殼I,封裝于該絕緣外殼I內的芯組2、絕緣層和散熱鋁底板4，所述芯組2的一端向外延...
【技術保護點】
改進結構的三相整流橋磚，包括絕緣外殼，封裝于該絕緣外殼內的芯組、絕緣層和散熱鋁底板，其特征在于：所述芯組的一端向外延伸有延展部，所述底板采用兩塊“7”形的底板設于絕緣外殼內，中間構成有矩形凹槽。
【技術特征摘要】
1.改進結構的三相整流橋磚，包括絕緣外殼，封裝于該絕緣外殼內的芯組、絕緣層和散熱鋁底板，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳孟烈，
申請(專利權)人：樂清市上格電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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