流體噴射裝置制造方法及圖紙

一種裝置，包括用于提供流體的流體供給口；連接至所述流體供給口以接收所述流體的入口；連接至所述入口的第一緩沖部；兩條或兩條以上與所述第一緩沖部連通的連接通路；與所述連接通路連通的第二緩沖部；及連接至所述第二緩沖部以將所述流體提供至基片上的出口。

【技術實現步驟摘要】
流體噴射裝置要求優先權本專利技術根據35U. S. C. § 119要求申請于2011年10月13日的第2011-0104523號韓國專利申請以及申請于2011年12月8日的第2011-0130789號韓國專利申請的優先權， 通過全文引用的方式將其內容合并在此。
本專利技術的實施例涉及流體噴射裝置。本專利技術的實施例尤其涉及能夠防止流體分裂的流體噴射裝置。技術背景平板顯示設備一般包括具有液晶的液晶顯示器(IXD)、利用等離子體的等離子體顯示設備、及具有有機發光結構的有機發光顯示器(OLED)等。平板顯示裝置中，液晶顯示器由于具有功耗低、重量輕、工作電壓低等優點而在多種電氣裝置和電子裝置中得到廣泛應用。液晶顯示器通常包括利用液晶來顯示圖像的顯示面板。此類顯示面板一般通過在較大面積的玻璃基片上形成電路結構而獲得。在制造顯示面板的過程中，可重復進行淀積處理、光處理、顯影處理、及蝕刻處理等多種單元處理以在玻璃基片上形成多種電路結構。對玻璃基片進行了單元處理之后，通常會對具有電路結構的基片進行清潔處理。 通過清潔處理可去除附著至基片的灰塵、有機顆粒及/或雜質。清潔處理可包括使用清潔液的清洗步驟，所述清潔液含有用于去除基片之灰塵、有機顆粒及/或雜質的去離子水或化學物質，清潔處理還可包括干燥步驟，其噴射干燥氣體(例如空氣)以去除基片或電路結構上殘留的清潔處理物質。至于清潔處理，一般會使用流體噴射裝置將清潔液或干燥氣體之類的流體提供至基片上。流體噴射裝置可包括將包括清潔液或干燥氣體的流體提供到基片上的噴嘴。這樣， 噴嘴可通過連接通路連接至流體存儲罐，并且流體存儲罐中的經過連接通路的流體可通過噴嘴噴射到基片上。然而，當連接通路中有異物或顆粒時，連接通路中流體的流動可能會受到干擾，從而導致存在于噴嘴中的流體發生分裂。因此，盡管對整個基片進行了清潔處理， 而可能沒有將流體提供至基片的某一部分，使得顯示屏產量下降還會引起電路結構故障。
技術實現思路
本專利技術的示意性實施例提供了一種流體噴射裝置，其通過防止從噴嘴噴出的流體發生分裂二提高清潔處理的效率。根據示意性實施例，提供了一種流體噴射裝置。所述流體噴射裝置包括用于提供流體的流體供給口 ；連接至所述流體供給口以接收所述流體的入口 ；連接至所述入口的第一緩沖部；兩條以上與所述第一緩沖部連通的連接通路；與所述連接通路連通的第二緩 沖部；及連接至所述第二緩沖部以將所述流體提供至基片上的出口。示意性實施例中，所述連接通路分別提供用于所述流體的流體通路，并且所述流 體通路分別具有基本上相同或相近的尺寸。示意性實施例中，所述連接通路包括基本上窄縫形的第一連接通路和基本上窄縫 形的第二連接通路，并且所述出口為基本上窄縫形。所述第一連接通路的第一寬度與所述 第二連接通路的第二寬度之和基本上大于所述出口的寬度，并且所述第一寬度和所述第二 寬度各自基本上小于所述出口的寬度。例如，所述第一連接通路的第一寬度和所述第二連 接通路的第二寬度各自為約O. 15mm,并且所述出口的寬度為約O. 2mm。示意性實施例中，所述第一緩沖部和所述第二緩沖部各包括多個阻擋部。例如所 述第一緩沖部包括基本上相互對應的第一阻擋部和第二阻擋部，并且所述第二緩沖部包括 相互對應的基本上第三阻擋部和第四阻擋部。示意性實施例中，所述第一緩沖部包括多個沿所述流體流動之方向的分隔壁。所 述分隔壁防止所述流體沿垂直于所述流體流動之方向的方向流動。根據示意性實施例，提供了一種流體噴射裝置，其包括用于提供流體的流體供給 口 ；連接至所述流體供給口以接收所述流體的入口 ；連接至所述入口的第一緩沖部；與所 述第一緩沖部連通的第一上連接通路和第二上連接通路；與所述第一和第二上連接通路連 通的第二緩沖部；與所述第二緩沖部連通的第一下連接通路和第二下連接通路；與所述第 一和第二下連接通路連通的第三緩沖部；及連接至所述第三緩沖部以將所述流體提供至基 片上的出口。示意性實施例中，第一和第二上連接通路各自為基本上的窄縫形，其中第一和第 二下連接通路各自為基本上的窄縫形，并且所述出口為基本上的窄縫形。示意性實施例中，所述第一上連接通路的第一寬度與所述第二上連接通路的第二 寬度之和基本上大于所述第一下連接通路的第三寬度與所述第二下連接通路的第四寬度 之和，并且所述第三寬度和所述第四寬度之和基本上大于所述出口的寬度。所述第一上連 接通路的第一寬度與所述第二上連接通路的第二寬度基本上相同或相近，所述第一下連接 通路的第三寬度與所述第二下連接通路的第四寬度基本上相同或相近。例如，所述第一寬 度和所述第二寬度各自為約O. 2mm,所述第三寬度和所述第四寬度各自為約O. 15mm,并且 所述出口的寬度為約O. 2mm。示意性實施例中，所述第一緩沖部、所述第二緩沖部、及所述第三緩沖部各自包括 一對相互對應的阻擋部。示意性實施例中，中所述第一緩沖部、所述第二緩沖部、及所述第三緩沖部中的一 個包括多個沿所述流體流動之方向的分隔壁。所述分隔壁防止所述流體沿垂直于所述流體 流動之方向的方向流動。在具有根據示意性實施例之上述結構的流體噴射裝置中，多條連接通路可將用于 將流體噴射到基片上的出口連接至用于從流體供給口將流體朝向出口提供的入口，所述流 體供給口可將清潔液、漂洗液、空氣等流體供給至入口。這樣，所述多條連接通路可設為多 種結構，諸如入口和出口之間的多通道結構或多級結構。若異物或顆粒存在于其中一條連 接通路中，則該異物或顆粒無法到達出口，并且流體可充分地通過其他連接通路流動，從而 可有效防止從出口出來的流體的分裂。因此，流體噴射裝置的操作穩定性得以增進，并且使 用這一裝置之處理的產率得以增加。此外，當多條連接通路設置為多級結構時，例如，在流體噴射裝置中設置多條上連接通路和多條下連接通路，具有不同截面的多級連接通路可根 據異物及/或顆粒之尺寸阻礙異物及/或顆粒。同時，當多條連接通路設置為多通道結構 時，例如，在流體噴射裝置中設置第一連接通路、第二連接通路、及第三連接通路，可通過減 小連接通路的截面而有利地控制流體壓力、流體流量、及流體速度。附圖說明參考附圖，通過描述本專利技術的詳細實施例可更清楚地了解本專利技術的上述其其他特 征，其中圖1為示出根據本專利技術實施例的流體噴射裝置的平面圖2為流體噴射裝置的沿圖1之1-1I線的剖視圖3為示出圖2之流體噴射裝置的第一連接通路和第二連接通路的放大剖視圖4為示出根據一些示意性實施例的流體噴射裝置的剖視圖5為示出根據其他示意性實施例的流體噴射裝置的剖視圖。具體實施方式參見示出實施例的附圖，下文將更詳細地描述各種實施例。然而，本專利技術可以以許 多不同形式實現，并且不應解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出這些實施例是為 了達成充分及完整公開，并且使本
的技術人員完全了解本專利技術的范圍。這些附圖 中，為清楚起見，可能放大了層及區域的尺寸及相對尺寸。應理解，當將元件或層稱為在另一元件或層“上”、“連接至”或“耦合至”另一元件 或層之時，其可為直接在另一元件或層上、直接連接或耦合至其它元件或層，或者存在居于 其間的元件或層。與此相反，當將元件稱為“直接在另一元件或層上”、“直接連接至”或“直 接耦合至”另一元件或層之時，并不存在居于其間的元件或層。整份本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種流體噴射裝置，包括：用于提供流體的流體供給口；連接至所述流體供給口以接收所述流體的入口；連接至所述入口的第一緩沖部；兩條以上與所述第一緩沖部連通的連接通路；與所述連接通路連通的第二緩沖部；及連接至所述第二緩沖部以將所述流體提供至基片上的出口。

【技術特征摘要】
2011.10.13 KR 10-2011-0104523;2011.12.08 KR 10-201.一種流體噴射裝置，包括用于提供流體的流體供給口；連接至所述流體供給口以接收所述流體的入口 ；連接至所述入口的第一緩沖部；兩條以上與所述第一緩沖部連通的連接通路；與所述連接通路連通的第二緩沖部；及連接至所述第二緩沖部以將所述流體提供至基片上的出口。2.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中所述連接通路分別提供用于所述流體的流體通路，并且所述流體通路分別具有相同的尺寸。3.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中所述連接通路包括窄縫形的第一連接通路和窄縫形的第二連接通路，并且所述出口為窄縫形。4.如權利要求3所述的流體噴射裝置，其中所述第一連接通路的第一寬度與所述第二連接通路的第二寬度之和大于所述出口的寬度，并且所述第一寬度和所述第二寬度各自小于所述出口的寬度。5.如權利要求4所述的流體噴射裝置，其中所述第一連接通路的第一寬度和所述第二連接通路的第二寬度各自為約O. 15mm,并且所述出口的寬度為約O. 2mm。6.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中所述第一緩沖部和所述第二緩沖部各包括多個阻擋部。7.如權利要求6所述的流體噴射裝置，其中所述第一緩沖部包括相互對應的第一阻擋部和第二阻擋部，并且所述第二緩沖部包括相互對應的第三阻擋部和第四阻擋部。8.如權利要求1所述的流體噴射裝置，其中所述第一緩沖部包括多個沿所述流體流動之方向延伸的分隔壁，所述分隔壁防止所述流體沿垂直于所述流體流動之方向的方向流動。9.一種流...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李奉文，
申請(專利權)人：細美事有限公司，
類型：發明
國別省市：