低聚物交聯劑及其制備方法和觸摸屏器件制程用絕緣保護光阻劑及應用技術

本發明專利技術公開了一種低聚物交聯劑及其制備方法和觸摸屏器件制程用絕緣保護光阻劑及應用。低聚物交聯劑是由季戊四醇三丙烯酸酯或者雙季戊四醇五丙烯酸酯與C5～C30的飽和C原子環烴基羧酸、酸酐、羧酸鹽中的一種；或者C7～C20芳基羧酸、芳基酸酐、芳基羧酸鹽中的一種；或者末端基含硅氧烷的羧酸、酰氯、酰胺基、腈中的一種，經過酯化縮合制備而成，發明專利技術的低聚物交聯劑加入到絕緣保護光阻劑配方當中，得到的光阻劑具有良好的流動性和高透過率，易于涂布，像素或保護層的耐熱透光率可以達到94%以上，耐熱溫度可以達到260℃以上，且表面電阻率的阻值在5.0E＋15~16歐姆范圍，顯示出良好的電絕緣性。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及光阻劑及與其相關的交聯劑材料領域，具體涉及一種低聚物交聯劑及其制備方法和觸摸屏器件制程用絕緣保護光阻劑及應用。即通過黃光制程將含有低聚物交聯劑的絕緣保護光阻劑應用在觸摸屏器件上。
技術介紹
目前觸摸屏市場的主流技術正從電阻式過渡到電容式，替換速度越來越快。根據DisplaySearch統計數據顯示(2012年)，電容式觸摸屏將占據整個市場的52%，電阻式觸摸屏將下滑到44%左右。與電阻屏相比，電容屏在響應速度和準確性方面具有技術優勢，有更快的響應速度和更優良的準確性，更為重要的是電容屏可以實現多點觸控，實現更多的操作，提升客戶的操作體驗，電容式觸摸屏替換電阻式觸摸屏已成為趨勢。電容式觸摸屏可分為表面式與投射式。表面式電容觸摸屏是變種的五線式電阻觸摸屏，性能無明顯提升，而投射式電容觸摸屏則有效克服了電阻式觸摸屏使用壽命短、透光率低、能耗高等缺點，性能提升顯著。因此投射式電容觸摸屏技術成為電容式觸摸屏技術中的主流，并加速了電容式觸摸屏對電阻式觸摸屏的替換。投射式電容屏面板一般置于透明基板下方，保護良好，可由手指或特殊筆觸動操作，即使帶著手套也可以操作投射式電容屏。投射式電容屏可以承受上億次的點擊，使用壽命遠長于電阻屏。此外，投射式電容屏沒有空氣間隙，通過簡單的光學設計，可以將透光率提高到90%。與表面式電容屏相比，投射式電容屏結構簡單，無需人工校正，也不會產生漂移現象。投射式電容屏采用矩陣結構，精確度高，能實現多點觸摸。投射式電容屏根據Sensor材質分為Flim結構和Glass結構兩大類,與Flim結構相比Glass結構電容屏具有使用壽命長、透光率高等優點而被多數廠商所重視。Glass結構電容屏按照電極的分布位置可進一步分為雙面式(DITO)和單面式(SITO)兩大類。雙面式電容屏X、Y電極分別位于玻璃基板兩側膜面。無論是單面式還是雙面式結構在黃光制程工藝當中都必須使用一種可涂布并且光刻顯影成圖形的透明光阻劑一OC負型光阻劑，其中實現可曝光顯影主要成份除堿溶性樹脂之外，就是交聯劑。已知的交聯劑是使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇五丙烯酸酯或季戊四醇六丙烯酸酯或者它們的混合物。事實上因為無法分離，大多使用的是混合物。到目前為止，上述方法在用作交聯劑方面取得比較有效的結果。但是，為了追求微小的圖形密著性和耐熱穩定性，很多時候這種負型光阻劑的光刻精度由于交聯密著不足而出現問題，最終的結果反映在制作的濾光片時，像素圖形周圍有樹脂殘留或者不該掉膠的地方出現掉膠，進而導致電絕緣性下降。主要原因在于現有的交聯劑耐熱性能不佳，在后段的高溫工序中 ，時有氧化黃變現象，導致透過率從96%迅速下降到90%以下，影響器件甚至是整個屏的背光源效率。為了解決這些問題，有方法提出調節配方當中堿溶性樹脂的硬度，也就是提高高分子的分子量。但是，如果過度增加分子量(M. W)，組份之間極性匹配度將不能統一，就會出現下列問題基板上形成的像素單元的邊緣部分(⑶Loss)成鋸齒狀、表面凹凸不平、或是角段差(Slope)正負值偏高。另一種解決上述問題的思路是盡量控制工藝使得制成溫度降低或者高溫操作時間縮短。但是這種控制是有其極限的，并不能真正解決負型光阻劑的光刻精度交聯密著不足的問題。
技術實現思路
為了克服現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種低聚物交聯劑，使得交聯劑功能單體的端羥基酯化成其他基團進行“封頭”，提高其耐熱性能。本專利技術的另一目的在于提供一種低聚物交聯劑的制備方法，用于制備本專利技術的低聚物交聯劑。本專利技術的又一目的在于提供一種含有本專利技術的低聚物交聯劑的觸摸屏器件制程用絕緣保護光阻劑，使得光阻劑具有良好的分散性和流動性，同時滿足平涂(Slit)制作中大尺寸器件要求，并且制作的像素的形貌可控的觸摸屏器件；實現高透過率，適合多種涂布工藝施工，具有良好的穩定性及制作的像素單元精度提高等特性。本專利技術的第四個目的在于提供一種利用本專利技術的絕緣保護光阻劑制備絕緣橋的方法，以獲得一種絕緣性好、透光率高及耐熱透光率高的絕緣橋。本專利技術的第五個目的在于提供一種具有良好絕緣性、高透光率和耐熱透光率的絕緣橋。本專利技術的第六個目的 在于提供一種具有良好絕緣性、高透光率和耐熱透光率的保護層及其制備方法。為解決上述問題，本專利技術所采用的技術方案如下一種低聚物交聯劑，其特征在于其是由原料A與R縮聚而成，其中A季戊四醇三丙烯酸酯，結構式為(1);或者雙季戊四醇五丙烯酸酯，結構式為(2)；本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種低聚物交聯劑，其特征在于其是由原料A與R縮聚而成，其中A為季戊四醇三丙烯酸酯，結構式為（1）；或者雙季戊四醇五丙烯酸酯，結構式為（2）；其中，R為C5～C30的飽和C原子環烴基羧酸、酸酐、羧酸鹽中的一種；或者C7～C20芳基羧酸、芳基酸酐、芳基羧酸鹽中的一種；或者末端基含硅氧烷的羧酸、酰氯、酰胺基、腈中的一種；原料A與R的投料摩爾比為（1:4）～（1:10），所述交聯劑的粘度為50?60cp。FDA00002556234200011.jpg

【技術特征摘要】
1.一種低聚物交聯劑，其特征在于其是由原料A與R縮聚而成，其中A為季戊四醇三丙烯酸酯，結構式為(I);或者雙季戊四醇五丙烯酸酯，結構式為(2)；2.一種低聚物交聯劑的制備方法，其特征在于包括以下步驟1)高溫預反應黃光環境下，將權利要求1所述的結構式(I)的化合物或結構式(2)的化合物與R表示的化合物、催化劑、失水劑、熱阻聚劑以及溶劑加入反應器中，連通氮氣，在氮氣氛圍下進行反應，其中催化劑分三次加入到反應器中，攪拌下于高溫的水浴中反應，之后減壓蒸餾除副產物，2)低溫反應降低水浴溫度，將高溫預反應的產物于低溫水浴中繼續反應，反應結束后，減壓蒸餾產物，對產物洗滌、中和、干燥，純水洗滌后再分餾得到產物。3.根據權利要求2所述的低聚物交聯劑的制備方法，其特征在于步驟I)中高溫水浴的溫度為80-100°C，攪拌速度為70-90rpm，反應時間為2. 5-3. 5小時，減壓蒸餾O. 4-0. 6小時。4.根據權利要求2所述的低聚物交聯劑的制備方法，其特征在于步驟2)中低溫水浴的溫度為50-60°C，繼續反應的時間為6-10小時，采用5%的NaCl洗滌，稀鹽酸中和。5.一種觸摸屏器件制程用絕緣保護光阻劑，其特征在于其由以重量份計的以下組分制備而成6.根據權利要求5所述的觸摸屏器件制程用絕緣保護光阻劑，其特征在于所述光阻劑的粘度為2-lOcp。7.利用權利...

【專利技術屬性】
技術研發人員：任廣輔，王偉，廖江華，鐘美弟，
申請(專利權)人：深圳市惠樂光電有限公司，
類型：發明
國別省市：