【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制作領域，特別涉及一種。
技術介紹
現(xiàn)有的集成電路制造中，隨著半導體集成電路技術的不斷進步和特征尺寸的不斷減小，使得單片晶圓上的器件的數(shù)量不斷增加，電路的功能得到了改進，電路日趨復雜，工藝制造中的環(huán)節(jié)要求越來越精細，器件的可靠性也顯得日益重要。金屬-氧化物-半導體(MOS)晶體管是半導體制造中的最基本器件，其廣泛適用于各種集成電路中，根據(jù)主要載流子以及制造時的摻雜類型不同，分為NMOS和PMOS晶體管。而現(xiàn)有的集成電路設計和集成電路制造總是相輔相成，相互促進的，兩者都在器件的可靠性的提高發(fā)揮著重要的作用。在設計集成電路 時，特別是復雜的集成電路設計中，精確的模擬仿真電路特性是必須的，MOS晶體管模型作為集成電路設計和集成電路制造之間的關鍵橋梁，在集成電路日趨復雜的今天有著更多更高的要求。MOS晶體管的工作溫度、制作溫度或測試溫度等對MOS晶體管的性能具有重要的影響，因此在MOS晶體管建模時，晶體管的溫度是一個重要的考量因素，對于提高建立的晶體管模型的準確性至關重要。現(xiàn)有在MOS晶體管制作或分析測試中，通常將晶圓置于處理設備的載物臺上，然后通過載物臺上的加熱裝置對晶圓進行接觸式或非接觸式的加熱，載物臺上的溫度傳感器檢測加熱的溫度，載物臺上的溫度傳感器檢測的溫度即為晶圓的溫度，但是這種方法并不能準確的檢測晶圓本身的溫度，并且溫度檢測的效率較低。更多關于晶圓溫度檢測的方法請參考公開號為US2007/0009010A1的美國專利文獻。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術解決的問題是提供一種，提高晶圓檢測溫度的準確性和精度。為解決上述問題，本專利技術的技術方...
【技術保護點】
一種晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，包括：提供晶圓，在所述晶圓上形成雙極型晶體管，雙極型晶體管作為溫度檢測器件，所述雙極型晶體管包括位于晶圓內的第一摻雜區(qū)、位于第一摻雜區(qū)內的第二摻雜區(qū)、位于第二摻雜區(qū)內的第三摻雜區(qū)，其中所述第一摻雜區(qū)為雙極型晶體管的集電區(qū)、第二摻雜區(qū)為雙極型晶體管的基區(qū)、第三摻雜區(qū)為雙極型晶體管的發(fā)射區(qū)；對所述溫度檢測器件進行校準；在所述雙極型晶體管的基區(qū)上依次施加至少三個不同的基區(qū)電壓，雙極型晶體管工作在線性區(qū)，并測量獲得與至少三個基區(qū)電壓值對應的至少三個集電區(qū)電流值；根據(jù)施加的三個基區(qū)電壓值和對應的至少三個集電區(qū)電流值，進行指數(shù)曲線擬合，獲得晶圓的至少三個測試溫度；對所述至少三個測試溫度求平均值，將平均值作為晶圓的溫度。
【技術特征摘要】
1.一種晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，包括提供晶圓，在所述晶圓上形成雙極型晶體管，雙極型晶體管作為溫度檢測器件，所述雙極型晶體管包括位于晶圓內的第一摻雜區(qū)、位于第一摻雜區(qū)內的第二摻雜區(qū)、位于第二摻雜區(qū)內的第三摻雜區(qū)，其中所述第一摻雜區(qū)為雙極型晶體管的集電區(qū)、第二摻雜區(qū)為雙極型晶體管的基區(qū)、第三摻雜區(qū)為雙極型晶體管的發(fā)射區(qū)；對所述溫度檢測器件進行校準；在所述雙極型晶體管的基區(qū)上依次施加至少三個不同的基區(qū)電壓，雙極型晶體管工作在線性區(qū)，并測量獲得與至少三個基區(qū)電壓值對應的至少三個集電區(qū)電流值；根據(jù)施加的三個基區(qū)電壓值和對應的至少三個集電區(qū)電流值，進行指數(shù)曲線擬合，獲得晶圓的至少三個測試溫度；對所述至少三個測試溫度求平均值，將平均值作為晶圓的溫度。2.如權利要求1所述的晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，所述擬合的指數(shù)曲線方程 為:3.如權利要求2所述的晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，所述Eg等于1.18電子伏，Xti等于3, Trf等于298開爾文。4.如權利要求3所述的晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，所述對溫度檢測器件進行校準的過程為將晶圓加熱到不同的三個標準溫度，在三個標準溫度下，在雙極型晶體管的基區(qū)上分別施加校準基區(qū)電壓值，雙極型晶體管工作在線性區(qū)，并測量獲得與三個標準溫度對應的三個校準集電區(qū)電流值，將校準基區(qū)電壓值、標準溫度和對應的三個校準集電區(qū)電流值、Eg等于1. 18電子伏、Xti等于3、Trf等于298開爾文分別代入所述指數(shù)曲線，獲得固定器件常數(shù)Is。5.如權利要求4所述的晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，所述測試溫度的范圍為220 450開爾文。6.如權利要求5所述的晶圓溫度的檢測方法，其特征在于，所述三個標準溫度為高溫區(qū)溫度、中溫區(qū)溫度...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：范象泉，張昊，
申請(專利權)人：上海宏力半導體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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