光模塊制造技術

本發明專利技術的目的在于提供具有在YAG激光焊接時不會發生光軸偏移的構造的光模塊。本申請發明專利技術的光模塊具備：盆形形狀的凹型金屬基體（11），與布線用陶瓷（19）同一高度的切口設置于側壁，在由該側壁包圍的內部搭載光半導體封裝（12）、波導型光學元件（13）以及光學透鏡（14）；布線用陶瓷（19），埋入于所述切口；凹型蓋（15），具有覆蓋光半導體封裝（12）、波導型光學元件（13）以及光學透鏡（14）的盆形形狀，該盆形形狀的開放的端部中的至少對向的2邊配置于同一面上；以及作為密封件的金屬環（20），配置于凹型金屬基體（11）與凹型蓋（15）之間，一個面與凹型金屬基體（11）以及布線用陶瓷（19）緊固，另一個面與凹型蓋（15）緊固。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及對光信號進行發送或者接收的光模塊。
技術介紹
以往，提出了對光信號進行發送或者接收的光模塊(例如，參照專利文獻I)。專利文獻I的光模塊收容光元件、搭載光元件的基體(以下記載為載體)、透鏡、以及透鏡固定金屬零件。透鏡和透鏡固定金屬零件在光學調芯之后通過YAG激光器點焊而被固定到載體上，并將該載體搭載到模塊殼體內而進行模塊安裝。專利文獻I日本特開2000- 277843號公報
技術實現思路
對于專利文獻I的光模塊，由于在模塊殼體外安裝載體并將其搭載到模塊殼體內，所以存在在安裝中需要時間這樣的問題。進而，當將在模塊殼體外光學調芯之后的子組件搭載到模塊殼體內的情況下，依賴于子組件的高度公差，而光軸位置偏移，所以難以像光纖那樣對波導光f禹合。作為解決該問題的方法，考慮在封裝內進行光學調芯，通過YAG激光器對透鏡和透鏡固定金屬零件進行點焊。但是，如圖5所示，由于有框架118，所以無法使激光的照射角度接近水平，而從上照射激光。由此，光學透鏡114有時沉入透鏡保持架117內。由此，發生光軸偏移，成品率降低。特別，在光學透鏡114使多個端口的光輸入輸出的情況下，成品率的降低顯著。因此，本專利技術的目的在于 提供一種在YAG激光焊接時不會發生光軸偏移、并且能夠在維持剛性的同時實現低高度化的光模塊。為了達成上述目的，本申請專利技術提供一種光模塊，盆形形狀的凹型金屬基體，與布線用陶瓷同一高度的切口設置于側壁，在由該側壁包圍的內部搭載光半導體封裝、波導型光學元件以及光學透鏡；所述布線用陶瓷，埋入所述切口，保持進行信號的輸入輸出的端子；凹型蓋，具有覆蓋所述光半導體封裝、所述波導型光學元件以及所述光學透鏡的盆形形狀，該盆形形狀的開放的端部中的至少對向的2邊配置于同一面上；以及密封件，配置于所述凹型金屬基體與所述凹型蓋之間，一個面與所述凹型金屬基體以及所述布線用陶瓷緊固，另一個面與所述凹型蓋緊固。在本申請專利技術的光模塊中，基體以及蓋是盆形形狀，所以能夠保持基體以及蓋的剛性，并且擴大由基體以及蓋形成的內部空間。此處，在本申請專利技術的光模塊中，基體以及蓋是盆形形狀，所以即使減小基體的厚度，也能夠保持基體以及蓋的剛性。因此，通過使基體的深度淺至在光學透鏡的YAG激光焊接時不會發生光軸偏移的高度，能夠防止發生光軸偏移。因此，本申請專利技術的光模塊在YAG激光焊接時不會發生光軸偏移、并且能夠在維持剛性的同時實現低高度化。進而，在本申請專利技術的光模塊中，消除布線用陶瓷與凹型金屬基體之間的間隙，通過密封件固定布線用陶瓷以及凹型金屬基體，所以能夠防止布線用陶瓷設置部分的剛性降低。進而，在凹型金屬基體與凹型蓋之間夾著密封件而固定，所以能夠提高光模塊的剛性。在本申請專利技術的光模塊中，從所述凹型金屬基體中的所述光學透鏡的搭載面至所述側壁為止的高度低于保持所述光學透鏡的透鏡保持架的高度。在本申請專利技術的光模塊中，所述密封件配置于比保持所述光學透鏡的透鏡保持架與所述光學透鏡的接合的接合點低的位置。根據本專利技術，能夠提供具有在YAG激光焊接時不會發生光軸偏移的構造的光模塊。附圖說明圖1不出本實施方式的光模塊的俯視圖的一個例子。圖2示出本實施方式的光模塊的A — A’剖面圖。圖3示出本實施方式的光模塊的側面圖的一個例子。圖4示出本實施方式的光模塊中的激光的照射角度的一個例子。圖5示出以往的光模塊中的激光的照射角度的一個例子。(符號說明)11:凹型金屬基體；12:光半導體封裝；13:波導型光學元件；14、114:光學透鏡；15:凹型蓋；16:光纖;17、117:透鏡保持架；19:布線用陶瓷；20:金屬環；118:框架。具體實施例方式參照附圖來說明本專利技術的實施方式。以下說明的實施方式是本專利技術的實施例，本專利技術不限于以下的實施方式。另外，在本說明書以及附圖中符號相同的構成要素表示相同的部分。本實施方式的光模塊是與和進一步的通信業務量增大相伴的光相位調制即DQPSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying,差分正交相移鍵控)傳送方式、DP —QPSK (Dual Polarization — Quadrature Phase Shift Keying,雙偏振正交相移鍵控)傳送方式對應的集成型接收FE模塊。在這些傳送方式中使用的PLC接收光電路是指:被稱為延遲干涉計 DLI (Delay Line Interferometer,延時線干涉儀)、DP0H (Dual PolarizationOptical Hybrid,雙偏振光纖混合),將光信號的相位狀態的差異變換為光強度的差異，且集成了將其通過僅能夠檢測強度差異的ro (Photo Diode，光電二極管)接收并解調，對由H)解調的電信號進行電流/電壓變換并放大而作為高頻電信號輸出的高頻放大器的光模塊。圖1以及圖2以及圖3示出本實施方式的光模塊的一個例子。圖1是本實施方式的光模塊的俯視圖，圖2是A — A’剖面圖，圖3是從A’側觀察的光模塊的側面圖。本實施方式的光模塊具備盆形形狀的凹型金屬基體11、保持進行信號的輸入輸出的端子的布線用陶瓷19、作為密封件的金屬環20、凹型蓋15、光半導體封裝12、波導型光學元件13、光學透鏡14、以及透鏡保持架17。封裝結構包括收納LD、PD等光半導體以及高頻放大器的可局部密封的光半導體封裝12、布線用陶瓷19、保持它們的凹型的金屬基體11、以及U字型的金屬環20。凹型金屬基體11的面積比收納光半導體的光半導體封裝12充分大，能夠搭載光學透鏡14等光學部件、光纖16、大面積PLC等光波導型光學兀件13。進而,對于凹型金屬基體11,為了能夠對光學透鏡14等光學部件進行YAG激光器的點焊，并非Au鍍敷精加工，而成為Ni鍍敷精加工。另外，為了能夠對凹型蓋15進行YAG激光等的點焊，U字型環也為Ni鍍敷精加工。如圖2所示，凹型金屬基體11以及凹型蓋15是盆形形狀。這樣，通過使封裝基體形狀成為凹型形狀，能夠使金屬基體厚度薄壁化且確保剛性。由此，即使在對光模塊進行收發器化時在PCB (PrintedCircuit Board,印刷電路板)上抒緊固定,封裝也不會變位,而能夠維持良好的光學特性。在凹型金屬基體11的側壁，設置了與布線用陶瓷19同一高度的切口，并在該切口中埋入了布線用陶瓷19。在圖2以及圖3中，示出了切口比凹型金屬基體11的側壁淺的例子，但也可以使凹型金屬基體11的底面在不會穿透的范圍內比側壁更深。金屬環20被固定于埋入了布線用陶瓷19的凹型金屬基體11的側壁的開放的端部。通過凹型金屬基體11和在布線用陶瓷19上搭載的U字型的金屬環20能夠進一步提高剛性。凹型蓋15的盆形形狀的開放的端部中的至少對向的2邊配置于同一面上。該2邊是埋入布線用陶瓷19，并在凹型金屬基體11的側壁緊固的邊。通過這樣對向的2邊配置于同一面上，在將凹型蓋15緊固到金屬環20時，能夠提高光模塊的剛性。進而，凹型金屬基體11和布線用陶瓷19、布線用陶瓷19和金屬環20優選使用銀焊料來固定。由此，能夠進一步提高光學模塊的剛性。在光半導體封裝12中，通過焊錫、樹脂等搭載光半導體元件、高頻放大器、電子部件。光半導體元件為了對應于光相位調制方式對多個元件進行了陣列化。陣列數根據傳送方式而本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光模塊，具備：盆形形狀的凹型金屬基體，與布線用陶瓷同一高度的切口設置于側壁，在由該側壁包圍的內部搭載光半導體封裝、波導型光學元件以及光學透鏡；所述布線用陶瓷，埋入所述切口，保持進行信號的輸入輸出的端子；凹型蓋，具有覆蓋所述光半導體封裝、所述波導型光學元件以及所述光學透鏡的盆形形狀，該盆形形狀的開放的端部中的至少對向的2邊配置于同一面上；以及密封件，配置于所述凹型金屬基體與所述凹型蓋之間，一個面與所述凹型金屬基體以及所述布線用陶瓷緊固，另一個面與所述凹型蓋緊固。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：西澤壽樹，三橋祐司，小川育生，笠原亮一，
申請(專利權)人：NTT電子股份有限公司，日本電信電話株式會社，
類型：發明
國別省市：