相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模技術

本發明專利技術的課題在于提供一種相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，該相移掩模坯料可提高由以過渡金屬、硅和氮為主要成分的材料構成的光學半透光膜(相移膜)對于波長為200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模壽命。本發明專利技術的相移掩模坯料是為了制作應用ArF準分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具備半透光膜，所述半透光膜由以過渡金屬、硅和氮為主要成分的不完全氮化物膜構成，所述半透光膜的過渡金屬在過渡金屬和硅之間的含有比率小于9％。

【技術實現步驟摘要】
201610184327

【技術保護點】
一種相移掩模坯料，其是為了制作應用ArF準分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具備半透光膜，所述半透光膜由以過渡金屬M、硅和氮為主要成分的不完全氮化物膜構成，所述半透光膜的過渡金屬在過渡金屬和硅之間的含有比率M/(M+Si)小于5％，所述半透光膜的氮含量為40原子％以上47原子％以下。

【技術特征摘要】
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：野澤順，宍戶博明，酒井和也，
申請(專利權)人：HOYA株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP