承載盤及其與晶片支撐件的組合制造技術

本實用新型專利技術公開了一種承載盤，包括：一基部；一收容部，自所述基部向下延伸形成，所述收容部用于收容一晶片支撐件，所述收容部具有一底壁用于支撐晶片支撐件的底面，所述底壁與所述底面不平行。本實用新型專利技術通過將承載盤用于支撐晶片支撐件的底壁設置為與晶片支撐件的底面不平行，從而實現底壁與底面發生局部分離，可減小底壁與晶片支撐件結合或者接觸的面積，達到有效降低剝離力的目的。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種承載盤，尤其是指一種承載晶片支撐件的承載盤及其與晶片支撐件的組合。
技術介紹
晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓分割切成若干小晶片，不同的晶片進行組合封裝可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。這些小晶片通常需要特定的支撐結構，目前的支撐組件通常包括支撐體、設置于支撐體表面的膠層，以及設在膠層表面的載帶。通過半沖切工藝將支撐體和膠層沖切成特定尺寸和形狀后，將支撐件從載帶上剝離，然后將支撐件放置在特定的承載盤上，以便于儲存和運輸。使用時利用吸盤將支撐件從承載盤上吸附取出，然后將其與晶片貼合。這種承載盤的用于承載支撐件的表面通常為平面，且所述平面與支撐件緊密貼合，因而在吸盤吸取時所需的剝離力量極大，導致剝離困難，且剝離時容易導致支撐件發生變形。因此，有必要設計一種新的承載盤及其與晶片支撐件的組合，以克服上述問題。
技術實現思路
本技術的創作目的在于提供一種承載盤及其與晶片支撐件的組合，可降低承載盤與晶片支撐件之間的剝離力。為了達到上述目的，本技術采用如下技術方案：一種承載盤，包括：一基部；一收容部，自所述基部向下延伸形成，所述收容部用于收容一晶片支撐件，所述收容部具有一底壁用于支撐晶片支撐件的底面，所述底壁與所述底面不平行。進一步，所述底壁為弧面。具體地，所述底壁呈上凸的球面或者下凹的球面。或者可選地，所述底壁為折面。本技術還提供一種晶片支撐件與承載盤的組合，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層以及位于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述膠層，所述底壁與所述膠層不平行。可選地，所述底壁具有一貼合區與所述膠層相貼合，所述膠層與底壁之間還具有一間隙，所述間隙位于所述貼合區的外圍。可選地，所述底壁具有一貼合區與所述膠層相貼合，所述膠層與底壁之間還具有一間隙，所述貼合區位于所述間隙的外圍。本技術還提供一種晶片支撐件與承載盤的組合，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層、設置于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一離型膜，部分貼合于所述膠層的下表面；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述離型膜，所述底壁與所述膠層不平行，且所述離型膜的整個下表面與所述底壁貼合。進一步，所述底壁呈弧面。所述離型膜的上下表面均呈弧面，且弧度與底壁的弧度匹配。所述離型膜的光面與所述膠層貼合，所述離型膜的粗面與所述底壁貼合。可選地，所述離型膜具有一貼合區與所述膠層相貼合，所述膠層與離型膜之間還具有一間隙，所述間隙位于所述貼合區的外圍。可選地，所述離型膜具有一貼合區與所述膠層相貼合，所述離型膜與底壁之間還具有一間隙，所述貼合區位于所述間隙的外圍。與現有技術相比，本技術通過將承載盤用于支撐晶片支撐件的底壁設置為與晶片支撐件的底面不平行，從而實現底壁與底面發生局部分離，可減小底壁與晶片支撐件結合或者接觸的面積，達到有效降低剝離力的目的。【附圖說明】圖1為本技術的立體圖；圖2為本技術第一實施例的剖視圖；圖3為本技術第二實施例的剖視圖；圖4為本技術第三實施例的剖視圖；圖5為本技術第四實施例的剖視圖。具體實施方式的附圖標號說明： 承載盤1基部10收容部11底壁110側壁111晶片支撐件2不銹鋼層20膠層21離型膜3貼合區A間隙B【具體實施方式】為便于更好的理解本技術的目的、結構、特征以及功效等，現結合附圖和具體實施方式對本技術作進一步說明。如圖1所示，本技術的承載盤1，用于承載晶片支撐件2，所述承載盤1包括一基部10，以及自所述基部10向下延伸形成的多個收容部11(本圖示僅示意性畫出兩個)，所述收容部11用于收容晶片支撐件2。所述承載盤1由絕緣材料經過熱壓形成。所述基部10呈水平的平板狀，收容部11則自基部10向下凹陷呈矩形。所述收容部11包括底壁110和連接底壁110與基部10的四個側壁111，所述側壁111均為與基部10相垂直的平面，而底壁110則為非平面。具體而言，所述底壁110可以為弧面，也可以為折面，當然也可以是規則或者不規則的曲面。如圖2所示，為本技術的第一實施例，所述底壁110呈上凸的球面，底壁110的中央區域向上凸起，底壁110沿豎直方向的任一截面均為弧形。本實施例中的晶片支撐件2，包括呈矩形的一不銹鋼層20以及位于所述不銹鋼層20下表面的一膠層21，所述膠層21用于黏合晶片(未圖示)。所述不銹鋼層20為平面，不銹鋼層20的下表面涂布黏膠形成所述膠層21，因而所述膠層21也呈平面。由于本技術的晶片支撐件2尺寸較小，其長寬大約10.33mm×9.73mm，不銹鋼層20的厚度大約0.05mm，因而不銹鋼層20本身可發生彎曲彈性形變。為防止生產和移動過程中灰塵沾染到膠層21，所述膠層21下表面還臨時貼合有一離型膜3，離型膜3的上表面為光面，下表面為粗面，且本實施例中，離型膜3的光面與膠層21臨時貼合。當利用吸盤將晶片支撐件2從載帶(未圖示)上吸取并放置到承載盤1的收容部11內時，需要對晶片支撐件2施加向下的擠壓力。由于收容部11的底壁110呈上凸的球面，擠壓晶片支撐件2時會使得不銹鋼層20也發生彈性彎曲變形呈上凸的弧形，使得離型膜3的下表面即粗面貼合至底壁110，且離型膜3的整個下表面均與底壁110緊密貼合。當擠壓力撤銷后，不銹鋼層20由于自身的彈性會恢復成原來的平面狀，膠層21緊貼于不銹鋼層20上，由于離型膜3的光面是與膠層21貼合、粗面與底壁110貼合，離型膜3與底壁110之間的黏合力會大于離型膜3與膠層21之間的黏合力，此時離型膜3的下表面即粗面依然緊密貼合在底壁110，其上表面的中央部分與膠層21依然貼合，中央部分以外的整個一圈邊緣部分則與膠層21分離：所述離型膜3的上表面形成一貼合區A與所述膠層21相貼合，所述膠層21與離型膜3之間還具有一間隙B，所述間隙B位于所述貼合區A的外圍。此時，所述離型膜3完全貼合在底壁110，離型膜3的上下表面均呈弧面，且弧度與底壁110的弧度匹配。后續利用吸盤將晶片支撐件2從承載盤1中吸取時，由于膠層21與離型膜3已經發生局部分離,二者間接觸和結合面積減小，因而只需較小的吸取力量則可將晶片支撐件2吸起，同時離型膜3會留在承載盤1中。如圖3所示的第二實施例，其與第一實施例的不同之處在于：底壁110則呈下凹的球面。晶片支撐件2的置入過程與第一實施例類似，區別僅在于：晶片支撐件2置入后，離型膜3的下表面即粗面依然緊密貼合在底壁110，所述離型膜3的上表面形成一貼合區A與所述膠層21相貼合，所述膠層21與離型膜3之間還具有一間隙B，所述貼合區A位于所述間隙B的外圍。亦即離型膜3上表面的中央部分與膠層21分離，中央部分以外的整個一圈邊緣部分與膠層21依然貼合。如圖4所示的第三實施例，其中承載盤1結構與圖2所示第一實施例相同，不同之處在于，晶片支撐件2僅由不銹鋼層20和膠層21組成。本實施例中，由于晶片支撐件2下方未設置離型膜3或者在置入承載盤1中前離型膜3就已經被剝除，可利用吸盤吸取晶片支撐件2，直接將其置放在收容部11本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶片支撐件與承載盤的組合，其特征在于，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層以及位于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述膠層，所述底壁與所述膠層不平行。

【技術特征摘要】
1.一種晶片支撐件與承載盤的組合，其特征在于，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層以及位于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述膠層，所述底壁與所述膠層不平行。2.如權利要求1所述的晶片支撐件與承載盤的組合，其特征在于：所述底壁具有一貼合區與所述膠層相貼合，所述膠層與底壁之間還具有一間隙，所述間隙位于所述貼合區的外圍。3.如權利要求1所述的晶片支撐件與承載盤的組合，其特征在于：所述底壁具有一貼合區與所述膠層相貼合，所述膠層與底壁之間還具有一間隙，所述貼合區位于所述間隙的外圍。4.一種晶片支撐件與承載盤的組合，其特征在于，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層、設置于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一離型膜，部分貼合于所述膠層的下表面；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述離型膜，所述底壁與所述膠層不平行，且所述離型膜的整個下表面與所述底壁貼合。5.如權利要求4所述的晶片支撐件與承載盤的組合，其特征在于：所述底...

【專利技術屬性】
技術研發人員：愛德華·巴亞特，朱文杰，
申請(專利權)人：番禺得意精密電子工業有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44