一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法及實施裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法及實施裝置，該方法包括以下依序進行的步驟：步驟一：采用等離子灰化工藝去除刻蝕后基片表面上殘余的光刻膠；步驟二：使用清潔膠涂覆在步驟一中的灰化后的基片的表面；步驟三：待基片表面的清潔膠風干固化后，將基片表面的清潔膠撕除。該方法及實施裝置既能達到清洗的目的，又達到操作簡便易行、后續工藝簡單的目的。

Method and device for removing photoresist on etched substrate surface

The invention relates to a method for removing photoresist substrate surface after etching and the implementation of device, the method comprises the following steps sequentially: step one: using plasma ashing to remove after etching the substrate surface residual photoresist; step two: the surface of the substrate cleaning glue coating used in step one in after ashing; step three: when the substrate surface clean dry adhesive after curing, the surface of the substrate cleaning glue peeling. The method and the implementing device can achieve the purpose of cleaning, and the operation is simple and convenient, and the follow-up process is simple.

【技術實現步驟摘要】
一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法及實施裝置
本專利技術涉及集成電路元器件或光電領域元器件制造領域，尤其涉及一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法及實施裝置。
技術介紹
在半導體晶片的制作工藝中，對帶有光刻膠圖案的圖型片刻蝕是非常頻繁和重要的步驟，在對帶有光刻膠圖案的晶片進行IBE干法刻蝕后，會殘留一分部光刻膠或部分顆粒，這些殘留對基片的后續加工造成一定的影響，甚至導致器件的最終缺陷。常規的光刻膠去除方法是用丙酮、酒精或其他去膠溶液進行濕法去除，專利CN200610147868.X和CN200910241611.4分別公開了一種光刻膠的去除方法，該方法中均使用了濕法清洗工藝，該工藝中存在的缺點是工藝步驟較復雜，且操作周期較長以及對清洗廢液的處理工藝較費時費力。
技術實現思路
為了解決上述問題，本專利技術的目的在于提供去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法及實施裝置。該方法及實施裝置既能均勻的對基片表面進行清潔膠上膠，達到高效清洗的目的，又能達到操作簡便易行、后續工藝簡單的目的，并且能有效節約清潔膠，防止過量清潔膠涂覆或涂覆不均勻在后續撕除清潔膠時使基片表面受力過大或不均而損害基片表面。為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，包括以下依序進行的步驟：步驟一：采用等離子灰化工藝去除刻蝕后基片表面上殘余的光刻膠；步驟二：使用清潔膠涂覆在步驟一中的灰化后的基片的表面；步驟三：待基片表面的清潔膠風干固化后，將基片表面的清潔膠撕除。其中，步驟一中的等離子灰化工藝使用的產生等離子的氣體包括氧氣以及輔助氣體，輔助氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氮氣中的一種或者幾種；等離子的功率在50～600W；氧氣的流量在5～50sccm；輔助氣體的含量為氧氣量的10～50%。其中，步驟二的清潔膠的涂覆方式為刷涂、噴涂或者旋涂，清潔膠的厚度為0.1～0.4mm。一種用于實施權利要求所述的去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法使用的裝置，包括柜體，柜體內從上到下依次設置有送風室、噴膠室、環狀中空的風環和操作臺，送風室內設置有送風裝置；噴膠室內設置有液腔和霧腔，液腔位于霧腔上方且與霧腔相互連通，液腔的底部設置有一超聲波霧化裝置，霧腔底部均勻開設有若干通孔；風環位于噴膠室下方外側，風環具有向內彎折且逐漸縮小的出風端，風環底部與送風室的出風口連通，出風端正對操作臺內一環形的通風管道，通風管道與送風室的進風口連通；操作臺上固定連接有去膠裝置，去膠裝置為一包括若干格柵的方形框體，操作臺內部設置有一可伸入和縮回操作臺內的托板。其中，所述風環具有一豎直設置的環狀的進風部和一設置在進風部上的與進風部連通的向內彎折的環狀的出風部；出風部包括一弧形的連接進風部的連接端和連接在連接端上且出風口朝下的出風端；出風端的出風口大小可調。其中，所述連接端和出風端均包括由剛性材料制成的內層和外層，連接端的內層和出風端的內層固定連接，連接端的外層與出風端的外層通過一弧形的過渡段連接，該過渡段采用溫敏收縮材料制成，過渡段內設置有加熱裝置。其中，所述托板由液壓裝置驅動上下伸縮。一種使用權利要求所述的裝置去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，包括以下依序進行的步驟：S1：將刻蝕后的基片置于等離子清洗機的清洗托盤上，關閉等離子清洗機真空室門；等離子灰化工藝使用的產生等離子的氣體含有氧以及輔助氣體，輔助氣體為氦、氖、氬、氪、氮中的一種或者幾種；氧氣的流量在5～50sccm；輔助氣體的含量為氧氣量的10～50%；等離子的功率在50～600W；清洗時間為20～30min；S2：將步驟S1中經灰化后的基片放置在托板上；S3：啟動液壓裝置，液壓裝置的推桿向上推動托板，使得托板上的基片分別嵌入去膠裝置的格柵中，液壓裝置停止工作；S4：啟動送風裝置，送風裝置將空氣送入風環內，空氣從風環中的出風口擠壓吹出；S5：啟動超聲波霧化裝置，將液腔內的清潔膠霧化為霧狀的清潔膠，霧狀的清潔膠彌漫到霧腔中，霧狀的清潔膠被從通孔中吸出，均勻的噴涂在托板上的基板上，關閉超聲波霧化裝置；S6：啟動加熱裝置，加熱過渡段，改變出風端朝向，風環內的風吹向基片表面，風干晶體表面的清潔膠，基片表面的清潔膠固化形成清潔膠膜，關閉加熱裝置；S7：再次啟動液壓裝置，液壓裝置帶動托板向下運動，托板與去膠裝置的分離，從基片表面去除清潔膠膜。本專利技術具有如下有益效果：該方法及實施裝置既能達到清洗的目的，又達到操作簡便易行、后續工藝簡單的目的。附圖說明圖1為本專利技術的立體結構示意圖；圖2為本專利技術的整體結構示意圖；圖3為本專利技術的柜體的內部結構示意圖；圖4為本專利技術的風環的立體結構示意圖；圖5為本專利技術的風環的出風端初始狀態示意圖；圖6為圖5中A部分的放大結構示意圖；圖7為本專利技術的風環的出風端張開狀態示意圖；圖8為本專利技術的托板嵌入去膠裝置中的狀態示意圖；圖9為本專利技術的托板收回到凸臺中的狀態示意圖；圖10為本專利技術的去膠裝置、托板和基片的位置關系的俯視示意圖。附圖標記說明：100-基片、101-清潔膠膜、10-柜體、20-柜門、200-觀察窗、201-送風控制按鈕、202-霧化控制按鈕、203-加熱控制按鈕、204-升降控制按鈕、30-柜腳、1-送風室、11-空氣過濾裝置、12-送風裝置、2-噴膠室、21-液腔、22-霧腔、23-超聲波霧化裝置、3-操作臺、31-凸臺、32-底臺、321-通風管道、4-風環、40-第一連通管、41-進風部、42-出風部、421-連接端、422-出風端、423-過渡段、424-加熱裝置、5-分離裝置、50-第二連通管道、51-外殼、52-冷凝片、6-去膠裝置、7-托板、71-把手、72-液壓裝置。具體實施方式以下結合附圖和具體實施例對本專利技術做進一步詳細說明：一種用于去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，包括以下依序進行的步驟：步驟一：采用等離子灰化工藝去除刻蝕后基片表面上殘余的光刻膠；步驟二：使用清潔膠涂覆在步驟一中的灰化后的基片的表面；步驟三：待基片表面的清潔膠固化后，將基片表面的清潔膠撕除。具體的，步驟一中的等離子灰化工藝使用的產生等離子的氣體包括氧氣以及輔助氣體，輔助氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氮氣中的一種或者幾種；等離子的功率在50～600W，優選為100～300W；氧氣的流量在5～50sccm；輔助氣體的含量為氧氣量的10～50%。具體的，步驟二的清潔膠的涂覆方式為刷涂、噴涂或者旋涂；清潔膠的厚度優選0.1～0.4mm。具體實施例如下：實施例一：一種用于去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，包括以下依序進行的步驟：第一步：將刻蝕后的基片置于等離子清洗機的清洗托盤上，關閉等離子清洗機的真空室門，選擇等離子灰化工藝氣體為氧氣和氦氣，其中氧氣的流量為20sccm，氦氣的流量為6sccm，等離子的功率為150W，清洗時間為20min；清洗結束后，將基片從離子清洗機中取出，并于室溫下自然冷卻；第二步：將冷卻后的基片放在百級潔凈凈化臺上，用毛刷蘸取少量firstcontact清潔膠輕輕刷涂在基片表面，使其形成一層清潔膠的薄膜；第三步：將基片置于百級潔凈凈化臺下風干20min；風干后，從基片邊緣將固化后的清潔膠膜慢慢撕去，然后用氮氣槍輕吹基片表面，備用。實施例二：一種用于去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，包括以下依序進行的步本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，其特征在于：包括以下依序進行的步驟：步驟一：采用等離子灰化工藝去除刻蝕后基片表面上殘余的光刻膠；步驟二：使用清潔膠涂覆在步驟一中的灰化后的基片的表面；步驟三：待基片表面的清潔膠風干固化后，將基片表面的清潔膠撕除。

【技術特征摘要】
1.一種去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，其特征在于：包括以下依序進行的步驟：步驟一：采用等離子灰化工藝去除刻蝕后基片表面上殘余的光刻膠；步驟二：使用清潔膠涂覆在步驟一中的灰化后的基片的表面；步驟三：待基片表面的清潔膠風干固化后，將基片表面的清潔膠撕除。2.根據權利要求1所述的去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，其特征在于：步驟一中的等離子灰化工藝使用的產生等離子的氣體包括氧氣以及輔助氣體，輔助氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氮氣中的一種或者幾種；等離子的功率在50～600W；氧氣的流量在5～50sccm；輔助氣體的含量為氧氣量的10～50%。3.根據權利要求1所述的去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法，其特征在于：步驟二的清潔膠的涂覆方式為刷涂、噴涂或者旋涂，清潔膠的厚度為0.1～0.4mm。4.一種用于實施權利要求1所述的去除刻蝕后基片表面光刻膠的方法使用的裝置，其特征在于：包括柜體（10），柜體（10）內從上到下依次設置有送風室（1）、噴膠室（2）、環狀中空的風環（4）和操作臺（3），送風室（1）內設置有送風裝置（12）；噴膠室（2）內設置有液腔（21）和霧腔（22），液腔（21）位于霧腔（22）上方且與霧腔（22）相互連通，液腔（21）的底部設置有一超聲波霧化裝置（23），霧腔（22）底部均勻開設有若干通孔；風環（4）位于噴膠室（2）下方外側，風環（4）具有向內彎折且逐漸縮小的出風端（422），風環（4）底部與送風室（1）的出風口連通，出風端（422）正對操作臺（3）內一環形的通風管道（321），通風管道（321）與送風室（1）的進風口連通；操作臺（3）上固定連接有去膠裝置（6），去膠裝置（6）為一包括若干格柵的方形框體，操作臺（3）內部設置有一可伸入和縮回操作臺（3）內的托板（7）。5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于：所述風環（4）具有一豎直設置的環狀的進風部（41）和一設置在進風部（41）上的與進風部（41）連通的向內彎折的環狀的出風部（42）；出風部（42）包括一弧形的連接進風部（41）的連接端（421）和連接在連接端（421）上且出風口朝下的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：梁萬國，李廣偉，張新漢，陳懷熹，繆龍，馮新凱，鄒小林，
申請(專利權)人：福建中科晶創光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：福建,35