The invention provides a 2 inch, 4 inch sapphire substrate defect repair processing method, wafer waxing machine will first choose the patch are affixed substrate in a ceramic plate, the ceramic plate into a homemade wandering star wheel, grinding through the double-sided grinding equipment, the grinding fluid allocation ratio of silicon carbide abrasive powder suspension solution: Deionized water =1Kg:0.1L:1L~5L, the suspension for the quality of sodium nitrite and triethanolamine is the ratio of the mixed solution of 1:9, grinding equipment lower speed is set to 20 rpm, the hanging wall is set to 15 rpm, grinding fluid flow is set to 300mL/ minutes, the pressure weight of ceramic disc is 5.7KG processing time for 10 minutes; the substrate after polishing by degumming, cleaning, annealing, polishing; the sapphire substrate after the repair, the quality indicators have reached the industry standard, quality Standards meet customer needs, no scrap treatment, good quality rate has been significantly improved, greatly reducing costs.
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法
本專利技術(shù)涉及晶體加工
,具體涉及一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法。
技術(shù)介紹
藍(lán)寶石晶體具有優(yōu)良的光學(xué)性能、物理性能和穩(wěn)定的化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于高亮度LED襯底材料、各種光學(xué)元器件等領(lǐng)域。藍(lán)寶石晶體具有以下幾個(gè)優(yōu)良特征:1.高光學(xué)透射率,藍(lán)寶石晶體有很好的透光性能,其透光范圍為0.15~7.5微米,覆蓋了紫外、可見、近紅外、中紅外等波段;2.高耐磨性,膨脹系數(shù)僅為5X10-6/度,熔點(diǎn)為2050°C,工作溫度可達(dá)1900°C,具有優(yōu)秀的耐熱沖擊和耐高溫性能;3.很好的機(jī)械性能,其硬度可達(dá)莫氏9級(jí),同時(shí)還有很好的抗壓強(qiáng)度、壓縮強(qiáng)度和彎曲強(qiáng)度,同時(shí)具有抗電磁干擾、電磁兼容性能,抗輻射性能、電絕緣性能。隨著藍(lán)寶石應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,對(duì)2吋、4吋藍(lán)寶石襯底的市場(chǎng)需求越來越多,其產(chǎn)品質(zhì)量、成本要求也越來越高。通常在加工過程中,藍(lán)寶石襯底產(chǎn)生背面缺陷的產(chǎn)品占整個(gè)不良率的3%,產(chǎn)生背面缺陷的產(chǎn)品無法滿足客戶要求只能做報(bào)廢處理,大幅增加了加工成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法,對(duì)背面缺陷的產(chǎn)品進(jìn)行修復(fù),提供良品率、降低加工成本。本專利技術(shù)通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法,其特征在于,包括以下工藝步驟:(1)貼片:選用晶片貼片上蠟機(jī),將襯底正面粘貼在陶瓷盤上,然后將表面殘留膠擦拭干凈;(2)制備研磨液:采用碳化硅研磨粉、懸浮劑與去離子水混合制備研磨液,配置比例為碳化硅研磨粉:懸浮液:去離子水=1Kg:0.1L:1L~5L,攪拌速 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法,其特征在于,包括以下工藝步驟:(1)貼片:選用晶片貼片上蠟機(jī),將襯底正面粘貼在陶瓷盤上,然后將表面殘留膠擦拭干凈;(2)制備研磨液:采用碳化硅研磨粉、懸浮劑與去離子水混合制備研磨液,配置比例為碳化硅研磨粉:懸浮液:去離子水=1Kg:0.1L:1L~5L,攪拌速度為600轉(zhuǎn)/分鐘,研磨時(shí)間至少為10分鐘使研磨液均勻分布;(3)裝配載具:將陶瓷盤放入載具,即自制的游星輪中,使陶瓷盤能夠自轉(zhuǎn),陶瓷盤與游星輪同時(shí)放入雙面研磨設(shè)備的下盤上,均勻分布擺置;(4)研磨:雙面研磨設(shè)備的下盤速度設(shè)定為20轉(zhuǎn)/分鐘,上盤設(shè)定為15轉(zhuǎn)/分鐘,確保上盤懸空于陶瓷盤上,不得接觸陶瓷盤表面,研磨液流量設(shè)定為300mL/分鐘,壓力為陶瓷盤的自重即為5.7KG,加工時(shí)間為10分鐘;(5)將研磨后的襯底進(jìn)行脫膠、清洗、退火、拋光即得藍(lán)寶石襯底成品。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法,其特征在于,包括以下工藝步驟:(1)貼片:選用晶片貼片上蠟機(jī),將襯底正面粘貼在陶瓷盤上,然后將表面殘留膠擦拭干凈;(2)制備研磨液:采用碳化硅研磨粉、懸浮劑與去離子水混合制備研磨液,配置比例為碳化硅研磨粉:懸浮液:去離子水=1Kg:0.1L:1L~5L,攪拌速度為600轉(zhuǎn)/分鐘,研磨時(shí)間至少為10分鐘使研磨液均勻分布;(3)裝配載具:將陶瓷盤放入載具,即自制的游星輪中,使陶瓷盤能夠自轉(zhuǎn),陶瓷盤與游星輪同時(shí)放入雙面研磨設(shè)備的下盤上,均勻分布擺置;(4)研磨:雙面研磨設(shè)備的下盤速度設(shè)定為20轉(zhuǎn)/分鐘,上盤設(shè)定為15轉(zhuǎn)/分鐘,確保上盤懸空于陶瓷盤上,不得接觸陶瓷盤表面,研磨液流量設(shè)定為300mL/分鐘,壓力為陶瓷盤的自重即為5.7KG,加工時(shí)間為10分鐘;(5)將研磨后的襯底進(jìn)行脫膠、清洗、退火、拋光即得藍(lán)寶石襯底成品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種2吋、4吋藍(lán)寶石襯底背面缺陷修復(fù)加工方法,其特征在于,所述碳化硅研磨粉的型號(hào)為320#。3.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:胡孔林,呂訊,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:江蘇吉星新材料有限公司,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:江蘇,32
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