一種五引腳IC結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體、上下間隔設(shè)置在塑封體內(nèi)的上基島和下基島、橫向設(shè)于塑封體右側(cè)的三個(gè)右引腳、橫向設(shè)于塑封體左側(cè)的兩個(gè)左引腳，兩個(gè)左引腳分別對(duì)應(yīng)連接到上基島和下基島上。本實(shí)用新型專利技術(shù)具有5個(gè)輸出端/輸入端，引腳數(shù)量少、IC體積小，且能同時(shí)滿足單芯片或雙芯片的IC生產(chǎn)需求。

A five pin IC structure

The utility model discloses a five pin IC structure, including: plastic body, upper and lower interval arranged in the plastic body on the island and island, located on the right side of the transverse plastic body three pin, right on the left side of the body is arranged on the transverse plastic two pin left, two pin are respectively connected to the left based on the island and the island. The utility model has 5 output / input ends, less pin quantity and small size of IC, and can meet the requirement of IC production of single chip or dual chip at the same time.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種五引腳IC結(jié)構(gòu)
本技術(shù)涉及IC結(jié)構(gòu)
，尤其涉及一種五引腳IC結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有技術(shù)中常見的IC結(jié)構(gòu)一般設(shè)有8引腳、10引腳甚至更多，這些IC在實(shí)際使用中的多數(shù)情況下都會(huì)有引腳空置的現(xiàn)象，造成引腳材料的浪費(fèi)。圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中常見的8引腳IC結(jié)構(gòu)，塑封體1’內(nèi)設(shè)有基島2’，基島2’為一個(gè)單片，基島2’兩側(cè)的引腳3’數(shù)量多，且引腳3’與基島2’之間間隔設(shè)置，造成IC的長(zhǎng)度和寬度尺寸都比較大，使用時(shí)需要更大的安裝空間。同時(shí)，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，目前應(yīng)用于各類型驅(qū)動(dòng)電路中的IC都比較復(fù)雜，需要封裝兩個(gè)芯片，而現(xiàn)有IC結(jié)構(gòu)內(nèi)的基島2’為單片，生產(chǎn)時(shí)必須將兩個(gè)芯片分別進(jìn)行封裝，再通過外部引線連接，加工工藝復(fù)雜且不良率高，無法滿足新型IC的生產(chǎn)需要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提出一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，該五引腳IC結(jié)構(gòu)具有5個(gè)輸入端/輸出端，減少引腳浪費(fèi)，塑封體內(nèi)設(shè)有兩個(gè)基島，同時(shí)滿足單芯片或雙芯片的IC生產(chǎn)需求。本技術(shù)采用的技術(shù)方案是，設(shè)計(jì)一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體、設(shè)于塑封體內(nèi)的基島、及設(shè)于塑封體兩側(cè)的引腳。基島由上下間隔設(shè)置的上基島和下基島構(gòu)成，引腳由橫向設(shè)于塑封體右側(cè)的三個(gè)右引腳和橫向設(shè)于塑封體左側(cè)的兩個(gè)左引腳構(gòu)成。右引腳伸入塑封體內(nèi)且與基島之間留有間隙，兩個(gè)左引腳中位于上部的左引腳伸入塑封體內(nèi)與上基島連接，兩個(gè)左引腳中位于下部的左引腳一端伸入塑封體內(nèi)與下基島連接。其中，上基島和下基島中至少有一個(gè)設(shè)有芯片，芯片通過內(nèi)引線連接至對(duì)應(yīng)的右引腳上。在一實(shí)施例中，上基島和下基島上均設(shè)有芯片，兩個(gè)芯片之間通過內(nèi)引線連接。在另一實(shí)施例中，上基島或下基島上設(shè)有芯片。優(yōu)選的，兩個(gè)左引腳中至少有一個(gè)為散熱引腳，散熱引腳的寬度大于右引腳。優(yōu)選的，上基島和下基島的兩側(cè)邊緣分別設(shè)有凸出部。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：1、適用于具有5個(gè)或5個(gè)以下輸出端的IC結(jié)構(gòu)，減少現(xiàn)有技術(shù)中的引腳浪費(fèi)；2、IC內(nèi)設(shè)有兩個(gè)基島，適合單芯片或雙芯片的IC生產(chǎn)需求，3、左引腳連接在基島上，取消基島左側(cè)與引腳之間間距，縮小IC的整體寬度；4、將與基島連接的左引腳設(shè)置為散熱引腳，提高IC的散熱效率，使其保持更穩(wěn)定的工作狀態(tài)。附圖說明下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)說明，其中：圖1是現(xiàn)有技術(shù)中8引腳IC的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本技術(shù)中5引腳IC的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2中的A-A剖面示意圖；圖4是圖2中的B-B剖面示意圖。具體實(shí)施方式如圖2、3所示，本技術(shù)提出的五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體1、基島及引腳。基島由上下并列設(shè)置在塑封體1內(nèi)的上基島2和下基島3構(gòu)成，上基島2和下基島3之間設(shè)有間距，上基島2和下基島3中至少有一個(gè)設(shè)有芯片4，生產(chǎn)時(shí)針對(duì)不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，可同時(shí)在兩個(gè)基島上封裝芯片4制成雙芯片IC，兩個(gè)芯片4之間通過內(nèi)引線在塑封體1內(nèi)部進(jìn)行連接，IC封裝的結(jié)構(gòu)更緊湊穩(wěn)定，也可以在上基島2或下基島3上封裝芯片4制成單芯片IC。引腳由橫向設(shè)于塑封體1右側(cè)的三個(gè)右引腳5和橫向設(shè)于塑封體1左側(cè)的兩個(gè)左引腳6構(gòu)成。右引腳5伸入塑封體1內(nèi)且與基島之間留有間距，基島上的芯片4通過內(nèi)引線連接到相應(yīng)的右引腳5上，兩個(gè)左引腳6中位于上部的左引腳伸入塑封體1內(nèi)與上基島2連接，兩個(gè)左引腳6中位于下部的左引腳一端伸入塑封體1內(nèi)與下基島3連接。引腳分布在塑封體1的左右兩側(cè)且數(shù)量少，減小了IC的整體長(zhǎng)度，左引腳6直接連接到基島上，減小了IC的寬度，使用時(shí)需要的安裝空間更小。左引腳6和右引腳5露在塑封體外側(cè)的端部向后折彎形成焊接腳，焊接腳超出塑封體的背面以方便IC的焊接安裝。為了提高IC的散熱性能，兩個(gè)左引腳6中至少有一個(gè)為散熱引腳，散熱引腳的寬度大于右引腳5，在本實(shí)施例中，兩個(gè)左引腳6均為散熱引腳，左引腳6的寬度是右引腳5的兩倍。較優(yōu)的，上基島2和下基島3的兩側(cè)邊緣分別設(shè)有凸出部，上基島2的凸出部位于右側(cè)上部和左側(cè)下部，下基島3的凸出部位于右側(cè)下部和左側(cè)上部，這樣可以增加基島與塑封體1之間的接觸面積，塑封體1封裝的穩(wěn)定性更好。以上所述僅為本技術(shù)的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本技術(shù)，凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體、設(shè)于所述塑封體內(nèi)的基島、及設(shè)于所述塑封體兩側(cè)的引腳，其特征在于，所述基島由上下間隔設(shè)置的上基島和下基島構(gòu)成，所述引腳由橫向設(shè)于所述塑封體右側(cè)的三個(gè)右引腳和橫向設(shè)于所述塑封體左側(cè)的兩個(gè)左引腳構(gòu)成；所述右引腳伸入塑封體內(nèi)且與所述基島之間留有間隙，所述兩個(gè)左引腳中位于上部的左引腳伸入塑封體內(nèi)與所述上基島連接，所述兩個(gè)左引腳中位于下部的左引腳一端伸入塑封體內(nèi)與所述下基島連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體、設(shè)于所述塑封體內(nèi)的基島、及設(shè)于所述塑封體兩側(cè)的引腳，其特征在于，所述基島由上下間隔設(shè)置的上基島和下基島構(gòu)成，所述引腳由橫向設(shè)于所述塑封體右側(cè)的三個(gè)右引腳和橫向設(shè)于所述塑封體左側(cè)的兩個(gè)左引腳構(gòu)成；所述右引腳伸入塑封體內(nèi)且與所述基島之間留有間隙，所述兩個(gè)左引腳中位于上部的左引腳伸入塑封體內(nèi)與所述上基島連接，所述兩個(gè)左引腳中位于下部的左引腳一端伸入塑封體內(nèi)與所述下基島連接。2.如權(quán)利要求1所述的五引腳IC結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩個(gè)左引腳中...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曾尚文，陳久元，楊利明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：四川富美達(dá)微電子有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：四川,51