本實(shí)用新型專利技術(shù)目的一種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，包括依次設(shè)置的承載室、三個(gè)緩沖室、兩個(gè)以上沉積室以及卸載室；其中，所述承載室和所述卸載室分別用于裝載和卸載承載盤，所述緩沖室具隔離兩種鍍膜機(jī)制，且至少有一個(gè)具有承載盤加熱機(jī)構(gòu)；每個(gè)沉積室分別執(zhí)行不同的膜層沉積；不同功能的腔室皆使用隔離門進(jìn)行隔離，以實(shí)現(xiàn)不同的功能，本實(shí)用新型專利技術(shù)將緩沖室設(shè)置于不同薄膜沉積系中，使兩種系統(tǒng)合而為一，降低設(shè)備設(shè)置成本，且因一次性完成兩種薄膜的沉積，無(wú)需破除真空后再將承載盤載入另一套系統(tǒng)，大大節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間，有效降低承載盤受環(huán)境的污染。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及ー種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，此類設(shè)備可廣泛應(yīng)用于任何需要于真空下進(jìn)行加工的制程且加工需要一定時(shí)間的制程，例如太陽(yáng)能硅片鍍膜加エ。
技術(shù)介紹
用寬帶隙的非晶硅作為窗ロ層或發(fā)射扱，單晶硅或多晶硅片作襯底，形成了非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池。它可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)PN結(jié)和優(yōu)異的表面鈍化，并且所有エ藝可在低溫(〈200°C)下完成，既減少了能耗，又能避免硅片在高溫處理過(guò)程中可能產(chǎn)生的性能退化。由于這種電池既利用了薄膜制造エ藝優(yōu)勢(shì)同時(shí)又發(fā)揮了晶體硅和非晶硅的材料性能特點(diǎn)，具有實(shí)現(xiàn)高效低成本硅太陽(yáng)電池的發(fā)展前景。然而由于制程的原因，異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能 電池在制作時(shí)需要兩種鍍膜設(shè)備分別是等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)沉積非晶硅薄膜及物理氣相沉積系統(tǒng)濺射導(dǎo)電層。傳統(tǒng)上是設(shè)置兩套沉積系統(tǒng)來(lái)完成上述的薄膜沉積，通常是完成非晶硅薄膜沉積后，移載出系統(tǒng)，再進(jìn)入濺射系統(tǒng)沉積導(dǎo)電層，此舉不僅增加設(shè)備設(shè)置成本，且對(duì)晶體硅而言容易造成表面污染的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)主要目的系提供一種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，來(lái)解決晶體硅表面污染及設(shè)備投入成本高的問(wèn)題。為了達(dá)成上述技術(shù)目的，本技術(shù)的技術(shù)方案是提供一種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，包括依次設(shè)置的承載室、三個(gè)緩沖室、兩個(gè)以上沉積室以及卸載室；其中，所述承載室和所述卸載室分別用于裝載和卸載承載盤，所述緩沖室具隔離兩種鍍膜機(jī)制，且至少有ー個(gè)具有承載盤加熱機(jī)構(gòu)；每個(gè)沉積室分別執(zhí)行不同的膜層沉積；不同功能的腔室皆使用隔離門進(jìn)行隔離，以實(shí)現(xiàn)不同的功能。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)將緩沖室設(shè)置于不同薄膜沉積系中，使兩種系統(tǒng)合而為一，降低設(shè)備設(shè)置成本。進(jìn)ー步的，本技術(shù)在緩沖室設(shè)置渦輪分子幫浦進(jìn)行氣體隔絕，使兩種沉積系統(tǒng)不會(huì)相互產(chǎn)生污染。更進(jìn)一歩的，通過(guò)本技術(shù)的設(shè)置可以一次性完成兩種薄膜的沉積，無(wú)需破除真空后再將承載盤載入另ー套系統(tǒng)，大大節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間。附圖說(shuō)明圖I系為本技術(shù)示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明101...承載室102...第一反應(yīng)室103...第二反應(yīng)室104...第一緩沖室105...第二緩沖室106...第三反應(yīng)室107...第四反應(yīng)室108...第三緩沖室109...卸載室 110...第一隔離門111...第二隔離門112...第三隔離門113...第四隔離門114...第五隔離門115...第六隔離門116...第七隔離門117...回傳機(jī)構(gòu)118···維修區(qū)具體實(shí)施方式為使方簡(jiǎn)捷了解本專利技術(shù)之其他特征內(nèi)容與優(yōu)點(diǎn)及其所達(dá)成之功效能夠?yàn)轱@現(xiàn)，茲將本技術(shù)配合附圖，詳細(xì)明如下請(qǐng)閱圖1，本技術(shù)之主要目的系ー種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，該太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)包括依序連接的第一隔離門110、承載室101、第二隔離門111、第一反應(yīng)室102、第三隔離門112、第二反應(yīng)室103、第四隔離門113、第一緩沖區(qū)104、第五隔離門114、第二緩沖室105、第三反應(yīng)室106、第四反應(yīng)室107、第三緩沖室108、第六隔離門115、卸載室109、第七隔離門116、回傳機(jī)構(gòu)118及維修區(qū)117所組成。在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)沉積過(guò)程中，承載盤首先透過(guò)第一隔離門110傳送到承載室101進(jìn)行預(yù)真空處理，所述之真空處理也就是利用真空幫浦使承載室壓強(qiáng)下降至一定范圍，完成后，承載盤再透過(guò)第二隔離閥門111進(jìn)入第一反應(yīng)室102進(jìn)行真空反應(yīng)，所述之真空反應(yīng)也就是在真空一定壓腔下，由高頻電源解離由噴頭進(jìn)入的反應(yīng)氣體而產(chǎn)生等離子體進(jìn)行薄膜沉積，完成后，承載盤再透過(guò)第三隔離閥門112進(jìn)入第二反應(yīng)室103進(jìn)行第二次真空反應(yīng)，完成后，再透過(guò)第四隔離閥門113進(jìn)入第一緩沖室104進(jìn)行真空處理，再透過(guò)第五隔離閥門114進(jìn)入第二緩沖室105進(jìn)行加熱處理，使承載盤達(dá)到設(shè)定的溫度后傳送到第三反應(yīng)室106及第四反應(yīng)室107進(jìn)行真空反應(yīng)，完成后，傳送至第三緩沖室108進(jìn)行承載盤冷卻，完成后，再透過(guò)第六隔離門115傳送至卸載室109進(jìn)行真空卸載，所述之真空卸載是利用氮?dú)鉀_入卸載室109內(nèi)，使卸載室109與大氣壓強(qiáng)一致,完成后,承載盤傳送至回傳機(jī)構(gòu)118，反復(fù)執(zhí)行上述步驟，達(dá)到量產(chǎn)的目的。在上述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池沉積系統(tǒng)中，由于回傳機(jī)構(gòu)118內(nèi)側(cè)會(huì)保留一定空間，所以將內(nèi)側(cè)空間設(shè)置維修區(qū)117，無(wú)需再另行設(shè)置區(qū)域，有效降低設(shè)備設(shè)置成本，同時(shí)，也有效的降低占地面積。在上述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池沉積系統(tǒng)中，一次性完成兩種薄膜的沉積，中途無(wú)需破除真空移載承載盤到另一套系統(tǒng)，有效隔絕晶體硅表面污染的問(wèn)題。綜上所述，本技術(shù)在突破先前之技術(shù)結(jié)構(gòu)下，確實(shí)已達(dá)到所欲增進(jìn)之功效，且也非熟悉該項(xiàng)技藝者所于思及，其所具之進(jìn)步性、實(shí)用性，顯已符合技術(shù)之申請(qǐng)要件，惟上詳細(xì)明系針對(duì)本技術(shù)之一可實(shí)施之具體明，該實(shí)施并非用以限 制本技術(shù)之專范圍，而凡未脫本技術(shù)技藝所為之等效實(shí)施或變，均應(yīng)包含于本案之專范圍中。權(quán)利要求1.一種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，包括依次設(shè)置的承載室、三個(gè)緩沖室、兩個(gè)以上沉積室以及卸載室；其中，所述承載室和所述卸載室分別用于裝載和卸載承載盤，所述緩沖室具隔離兩種鍍膜機(jī)制，且至少有ー個(gè)具有承載盤加熱機(jī)構(gòu)；每個(gè)沉積室分別執(zhí)行不同的膜層沉積，以實(shí)現(xiàn)不同的功能。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述之ー種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，其中該腔室分別透過(guò)隔離門進(jìn)行隔離。專利摘要本技術(shù)目的一種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，包括依次設(shè)置的承載室、三個(gè)緩沖室、兩個(gè)以上沉積室以及卸載室；其中，所述承載室和所述卸載室分別用于裝載和卸載承載盤，所述緩沖室具隔離兩種鍍膜機(jī)制，且至少有一個(gè)具有承載盤加熱機(jī)構(gòu)；每個(gè)沉積室分別執(zhí)行不同的膜層沉積；不同功能的腔室皆使用隔離門進(jìn)行隔離，以實(shí)現(xiàn)不同的功能，本技術(shù)將緩沖室設(shè)置于不同薄膜沉積系中，使兩種系統(tǒng)合而為一，降低設(shè)備設(shè)置成本，且因一次性完成兩種薄膜的沉積，無(wú)需破除真空后再將承載盤載入另一套系統(tǒng)，大大節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間，有效降低承載盤受環(huán)境的污染。文檔編號(hào)H01L31/18GK202626293SQ20122029671公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月25日專利技術(shù)者周文彬, 劉幼海, 劉吉人 申請(qǐng)人:吉富新能源科技(上海)有限公司本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池薄膜沉積系統(tǒng)，包括依次設(shè)置的承載室、三個(gè)緩沖室、兩個(gè)以上沉積室以及卸載室；其中，所述承載室和所述卸載室分別用于裝載和卸載承載盤，所述緩沖室具隔離兩種鍍膜機(jī)制，且至少有一個(gè)具有承載盤加熱機(jī)構(gòu)；每個(gè)沉積室分別執(zhí)行不同的膜層沉積，以實(shí)現(xiàn)不同的功能。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周文彬，劉幼海，劉吉人，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：吉富新能源科技上海有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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