真空腔制造技術

本實用新型專利技術涉及的真空腔包括：外殼，具有用于收容或移送被處理體的空間；排氣槽，形成在所述外殼的內側面上；排氣孔，形成在所述排氣槽的一面上，并貫穿所述外殼；以及排氣泵，與所述排氣孔連接，用于排出所述外殼內部的氣體。本實用新型專利技術可降低腔體的制造成本且提高排氣效率。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及真空腔，更具體地，涉及排氣效率高且制造成本低的真空腔。
技術介紹
在制造半導體晶片或平面基板等工藝中，廣泛使用真空腔。例如，成膜處理或蝕刻處理在規(guī)定氣壓以下的真空狀態(tài)下進行，并排出工藝中所用的氣體，因此，利用腔室內部保持真空狀態(tài)且能夠排出內部氣體的真空腔。一般情況下，在真空腔中形成有貫穿腔室下部或側部的排氣口。排氣口與排氣泵連接，使腔室內部的氣體向腔室外部排出。現(xiàn)有真空腔的排氣口形成為具有與排氣泵相應口徑的圓柱形狀，或者形成為口徑逐漸向腔室內側變大的圓錐形狀。但是，雖然圓柱形的排氣口容易加工，但排氣效率低，存在需要形成多個排氣口的問題，而圓錐形的排氣口雖然比圓柱形的排氣口排氣效率高，但難以加工，從而導致腔室制造成本增加。
技術實現(xiàn)思路
本技術是為了解決所述問題而提出的，本技術的目的在于提供排氣效率高且制造成本低的真空腔。用于解決所述問題的本技術涉及的真空腔包括外殼，具有用于收容或移送被處理體的空間；排氣槽，形成在所述外殼的內側面上；排氣孔，形成在所述排氣槽的一面上，并貫穿所述外殼；以及排氣泵，與所述排氣孔連接，排出所述外殼內部的氣體。所述排氣槽可以形成為，所述排氣槽的截面積大于所述排氣孔的截面積。所述排氣孔與所述排氣槽可以形成臺階。所述排氣槽的外輪廓可以形成為圓形。所述排氣槽的外輪廓可以形成為多邊形。所述排氣槽的外輪廓可以形成為矩形。所述排氣槽可以具有主槽以及從所述主槽的一側向所述外殼的內側方向延伸形成的突出槽。所述突出槽的寬度小于所述主槽的寬度，所述突出槽與所述主槽可以形成臺階。所述突出槽的外輪廓可以形成為矩形。所述突出槽的一側的外輪廓可以形成為圓弧形。在所述外殼內的所述空間中具有用于支承所述被處理體的工作臺，所述突出槽的至少一部分可位于所述工作臺的下部。一種真空腔，其特征在于，在所述外殼內的所述空間中具有用于支承所述被處理體的工作臺，所述突出槽位于所述工作臺下部的外側。所述排氣孔的外輪廓可以形成為圓形。所述排氣孔的外輪廓可以形成為多邊形。 所述排氣孔的外輪廓可以形成為矩形。用于解決所述問題的本技術涉及的真空腔包括外殼，具有用于收容或移送被處理體的空間；排氣部，在所述外殼的一面上貫穿形成，內側面折曲形成為具有規(guī)定級差的多級臺階；排氣泵，與所述排氣部連接，用于排出所述外殼內部的氣體。本技術涉及的真空腔具有降低制造成本且提高排氣效率的效果。本技術的技術效果并不限于如上所述的效果，本領域的技術人員可通過下面的記載明確理解未提到的其它技術效果。附圖說明圖I是示出本技術的第一實施例涉及的真空腔的概略剖視圖。圖2是示出本技術的第一實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖3是示出本技術的第一實施例涉及的真空腔的排氣部的剖視圖。圖4是示出本技術的第二實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖5是示出本技術的第三實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖6是示出本技術的第四實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖7是示出本技術的第五實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖8是示出本技術的第六實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖9是示出本技術的第七實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖。圖10是示出本技術的實施例涉及的排氣部和工作臺的布置狀態(tài)的一實施例的剖視圖。圖11是示出本技術的實施例涉及的排氣部和工作臺的布置狀態(tài)的另一實施例的剖視圖。附圖標記100:真空腔110:外殼111 :排氣面130 :排氣泵140:閘門150 :工作臺120、220、320、420、520、620、720 :排氣部121、221、321、421、521、621、721 :排氣槽122、222、322、422、522、622、722 :排氣孔123、223、323、423、523、623、723 :臺階部A :被處理體具體實施方式參照附圖詳細說明本技術的實施例。但是，本實施例并僅不限于下面公開的實施例，可以以各種形式實施，本實施例只是為了充分公開本技術，以使本領域的技術人員全面了解專利技術的主旨。為了更清楚地說明，附圖中存在夸張示出要素形狀等的情況，在附圖中以相同標記表示的要素表示相同要素。圖I是示出本技術的第一實施例涉及的真空腔的概略剖視圖。如圖I所示，本技術的第一實施例涉及的真空腔100包括外殼110，具有用于收容或移送被處理體A的空間101 ;排氣部120，貫穿外殼110的一面；排氣泵130，與排氣部120連接，用于排出外殼110內部的氣體。被處理體A可以是在半導體工藝中使用的晶片或IXD等平板顯示板、在LED工藝中使用的基板等。外殼110可以形成為在內部形成有空間的多面體。例如，可以是由四個側壁和一個底面和一個上表面形成的六面體，根據側壁的數(shù)量可形成多種類型的多面體。如圖I所示，在外殼110的側壁上可形成有閘門140，能夠使被處理體A出入于外殼110內的空間101。或者，雖然未圖示，外殼110的上表面可以形成為能夠開閉的蓋的結構，以便被處理體A出入。如圖I所示，在外殼110內的空間101中可具有用于支承被處理體A的工作臺150。或者，雖然未圖示，可具有用于移送被處理體A的移送單元。作為移送單元可以使用機器臂或移送輸送機等。在外殼110的一個面(下面稱為排氣面111)上形成有貫穿排氣面111的排氣部120。設在外殼110外部的排氣泵130與排氣部120連接，通過排氣部120排出外殼110內部的氣體。下面說明本技術的第一實施例涉及的真空腔100的排氣部120。圖2是示出本技術的第一實施例涉及的真空腔的排氣部的立體圖，圖3是示出本技術的第一實施例涉及的真空腔的排氣部的剖視圖。如圖2及圖3所示，排氣部120可以形成為包括排氣槽121和排氣孔122。如圖2所示，在排氣面111上可形成有一個以上的排氣槽121。為了均勻有效地排出外殼Iio內的氣體，可沿著外殼110的排氣面111的周圍隔開形成有多個排氣槽121。排氣槽121的深度可以小于排氣面111的厚度。排氣槽121可以形成為大致多邊形，根據加工難易度，可以形成為大致矩形。在排氣槽121的與內側壁大致垂直的底面上，可以形成有排氣孔122，該排氣孔122貫穿形成有排氣槽121的排氣面111。排氣孔122可以形成為圓柱形，排氣孔122的內徑可以與排氣泵130的排氣量相對應地形成。如圖3所示，排氣孔122的直徑d2小于排氣槽121的寬度dl，在排氣槽121的底面上可形成有通過排氣孔122形成的臺階部123。由于排氣泵130的排氣性能有限等原因，排氣孔122的內徑不能超過一定值。因此，使與外殼110內的空間101接觸的排氣槽121的截面積較大，可有效地排出外殼110內的氣體。考慮與外殼110內的結構的關系及排氣效率，排氣槽121的截面積優(yōu)選以適當大小形成。通過形成截面積大于排氣孔122截面積的排氣槽121，與僅形成有排氣孔122的結構相比，可提高排氣效率，并通過形成具有臺階部123的排氣部120而不是直徑不斷變化的圓錐形，可降低腔室的制造成本。下面說明本技術的另一實施例涉及的真空腔。為了便于說明，與第一實施例類似的部分使用了相同的附圖標記，省略說明與第一實施例相同的部分。圖4是示出本技術的第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種真空腔，其包括：外殼，具有用于收容或移送被處理體的空間；排氣槽，形成在所述外殼的內側面上；排氣孔，形成在所述排氣槽的一面上，并貫穿所述外殼；以及排氣泵，與所述排氣孔連接，用于排出所述外殼內部的氣體。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：樸宇鐘，樸希偵，
申請(專利權)人：麗佳達普株式會社，
類型：實用新型
國別省市：