一種將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法技術

本發明專利技術涉及一種將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法，將硅片背面減薄后粘在劃片膜上；而在朝上的硅片正面劃片，使若干芯片通過底面的劃片膜連接；將帶劃片膜的硅片倒裝并粘接在一個雙面膠帶頂面后，將劃片膜去除；雙面膠帶的底面粘接固定在一個支撐襯板上；使塑封料從硅片背面填滿相鄰芯片之間的間隔位置，并且覆蓋了所有芯片背面形成塑封體；在硅片剝離后，在對應每個芯片頂部電極的位置進行植球并回流處理；最后通過劃片，將相鄰芯片之間聯結為一體的塑封體分開，使每個獨立芯片的底部和周邊都留有一定的所述塑封體保護。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種芯片級的封裝方法(WLP)，特別涉及一種將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法。
技術介紹
如圖I所不，是現有一種半導體芯片200的結構不意圖，僅僅在所述芯片200的周邊設置有塑封體300。具體在一個硅片100上對應制作了若干芯片200頂面的金屬布線210、鈍化層220，并在其頂部電極上分別植設了錫球230之后，進行所述芯片200封裝；所述封裝方法，如圖2所示步驟Al，使所述硅片100的底面貼在劃片膜400上，而使所述若干芯片200頂部的金屬布線210、鈍化層220及錫球230朝上；步驟A2，對硅片100劃片，即對應在劃片膜400連接的各個芯片200之間形成劃片道110 ;步驟A3，在所述若干劃片道110·內注入塑封樹脂等塑封料，以形成所述塑封體300 ;步驟A4，在所述劃片道110的位置劃片，將相鄰芯片200之間原本為一體的塑封體300分開，形成各個獨立的芯片200 ;去除所述劃片膜400后，即形成了如圖I所示的芯片200封裝?？梢?，在每個芯片200的底面，沒有用塑封體300包封，缺乏保護。如圖3所不,是現有另一種半導體芯片200的塑封結構不意圖，該芯片200的底部和周邊都有塑封體300包封。該芯片200的封裝方法，如圖4所示步驟B1、B2，首先對硅片100切割形成分離的獨立芯片200，再將每個芯片200正面朝下，分別固定在劃片膜400上，使每個芯片200的位置與其他芯片200之間留有一定的間隔，該間隔比芯片200位于硅片100上的相互間隔要大；步驟B3，進行注塑，使塑封料填充在相鄰芯片200的間隔位置并完全覆蓋在所述硅片100向上的背面，形成所述塑封體300 ;步驟B4、B5，除去劃片膜400后，將硅片100上由所述塑封體300連接為整體的若干芯片200翻轉，使硅片100正面朝上；步驟B6、B7，依次在硅片100正面進行扇出型的金屬布線再分布(Fan-Out RDL)處理和鈍化處理；步驟B8、B9，在硅片100正面對應位置植設錫球230，形成芯片200的頂部電極；對芯片200進行測試后，從硅片100正面劃片，分離出如圖3所示的若干獨立的芯片200。該芯片200的底部和周邊都有塑封體300保護，但是其制作工藝十分復雜。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種芯片級封裝方法，得到在芯片底部和周邊都通過塑封體包封保護的芯片封裝結構。為了達到上述目的，本專利技術的技術方案是提供一種將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法，其在每個芯片的底部和周邊都形成了保護用的塑封體；該封裝方法包含以下步驟步驟I、硅片準備；在一片硅片正面對應制作了若干個芯片的表面圖案，并使硅片的該正面朝上；步驟2、在硅片背面進行背面減薄處理；步驟3、將硅片的背面固定粘接在劃片膜上；步驟4、從硅片正面劃片切割，對應將各個芯片分離；該些芯片通過底面的劃片膜連接，并保持相互間位于硅片上的相對位置和間隔；步驟5、將帶劃片膜的硅片倒裝，使切割 后的整個硅片正面向下固定粘接在一個雙面膠帶的頂面上，之后將所述劃片膜去除；所述雙面膠帶的底面粘接固定在一個支撐襯板上或其它固定裝置上；步驟6、對硅片進行塑封，使塑封料從硅片背面填滿相鄰芯片之間的間隔位置，并且覆蓋了所有芯片背面形成塑封體；步驟7、將硅片翻轉，并從相粘接的所述支撐襯板與雙面膠帶上，將該硅片剝離下來；步驟8、在朝上的硅片正面，對應每個芯片頂部電極的位置進行植球；步驟9、通過回流處理，形成了對應該些頂部電極的若干錫球；步驟10、通過劃片形成各個獨立的芯片將相鄰芯片之間聯結為一體的塑封體分開，使每個芯片的底部和周邊都留有一定的所述塑封體保護。所述芯片是MOSFET芯片時，步驟I中，該芯片的硅片襯底正面，包含有二氧化硅起始層，鋁制的金屬布線層，以及鈍化層；所述芯片的該正面朝上。步驟2中，所述硅片背面減薄之后，再通過背面腐蝕、背面金屬化工藝，在硅片背面形成了一定厚度的金屬層。所述芯片是功率器件芯片時，步驟I中，還包含在硅片正面進行的金屬布線再分布處理；該芯片的硅片襯底正面，包含有二氧化硅起始層，鋁制的金屬布線再分布層，以及鈍化層；所述芯片的該正面朝上。在一個實施例中，所述雙面膠帶具備一定的延展性能，步驟5中切割后的整個硅片倒裝并固定粘接在雙面膠帶的頂面上后，還進行拉伸該膠帶的一個步驟，以使芯片相互間的間隔增大，方便后續塑封料注入該芯片的間隔；拉伸后的雙面膠帶，其底面粘接固定在支撐襯板上或其它固定裝置上，以保持拉伸后芯片相互間的間隔。步驟3中，所述劃片膜是紫外光膠帶；步驟5中，所述雙面膠帶是熱剝離膠帶或紫外光膠帶。步驟5中，與雙面膠帶底面粘接的所述支撐襯板是玻璃基板或其他硅片。與現有技術相比，本專利技術所述芯片級封裝方法，以簡單可行的制作工藝，得到了在芯片底部和周邊都通過塑封體包封保護的芯片封裝結構。附圖說明圖I是現有一種在周邊設置塑封體的半導體芯片結構的示意圖；圖2是圖I所示芯片的制作流程示意圖；圖3是現有另一種在底部及周邊都設置塑封體的半導體芯片結構的示意圖；圖4是圖3所示芯片的制作流程示意圖；圖5到圖14所示是本專利技術所述芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法在實施例I中的流程示意圖；圖15到圖24所示是本專利技術所述芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法在實施例2中的流程示意圖。具體實施例方式以下結合附圖說明本專利技術的若干實施方式。實施例I本實施例中所述芯片級封裝方法，尤其適用于MOSFET (金屬氧化物半導體場效應管)或其他類似半導體器件的芯片封裝，使每個芯片20的底部和周邊都能夠通過塑封體30包封進行保護(圖14)。參見圖5到圖14所示，所述封裝方法包含以下步驟步驟I、如圖5所示，完成硅片10的正面工藝；在一硅片10的正面對應制作了若干個芯片20的表面圖案，并使硅片10的該面朝上；即，使每個芯片20的硅片10襯底上，包·含有二氧化硅起始層11，鋁制的金屬布線層21，以及鈍化層22的表面朝上。步驟2、如圖6所示，在硅片10背面進行背面減薄處理，再通過背面腐蝕、背面金屬化工藝，在硅片10背面形成一定厚度的金屬層24。步驟3、如圖7所示，從下方貼設了紫外光膠帶作為劃片膜40，使該硅片10通過背面的所述金屬層24固定在該劃片膜40上。步驟4、如圖8所示，從上方對硅片10正面劃片切割，對應將各個芯片20分離；該些芯片20通過底面的劃片膜40連接，并保持相互間位于硅片10上的相對位置和間隔。步驟5、如圖9所示，將帶劃片膜40的切割后的整個硅片10倒裝，并固定粘接在一個膠帶50的頂面上，之后將所述劃片膜40去除；所述膠帶50環繞在所述芯片20正面的金屬布線層21、鈍化層22的表面和周邊設置，并與所述起始層11的正面相接觸。在一實施例中，所述膠帶50是底面粘接固定在一個支撐襯板60上的一個雙面膠帶，該支撐襯板60可以是玻璃基板或其他硅片。該雙面膠帶50可以是熱剝離膠帶或紫外光膠帶。切割形成分離的獨立芯片固定粘接在所述雙面膠帶50的頂面上，并保持相互間位于娃片10上的相對位置和間隔。在另一實施例中，所述膠帶50具備較好的延展性能，步驟5中切割后的整個硅片10倒裝并固定粘接在膠帶50的頂面上后，還進行拉伸膠帶50的一個步驟，以便增大芯片20相互間的間隔，使后繼步驟中的塑封料容易注入芯片20的間隔。拉伸后的膠帶可粘接固定在支撐襯本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法，其特征在于，在每個芯片(20)的底部和周邊都形成了保護用的塑封體(30)；該封裝方法包含以下步驟：步驟1、硅片(10)準備；在一片硅片(10)正面對應制作了若干個芯片(20)的表面圖案，并使硅片(10)的該正面朝上；步驟2、在硅片(10)背面進行背面減薄處理；步驟3、將硅片(10)的背面固定粘接在劃片膜(40)上；步驟4、從硅片(10)正面劃片切割，對應將各個芯片(20)分離；該些芯片(20)通過底面的劃片膜(40)連接，并保持相互間位于硅片(10)上的相對位置和間隔；步驟5、將帶劃片膜(40)的硅片(10)倒裝，使切割后的整個硅片(10)正面向下固定粘接在一個雙面膠帶(50)的頂面上，之后將所述劃片膜(40)去除；所述雙面膠帶(50)的底面粘接固定在一個支撐襯板(60)上或其它固定裝置上；步驟6、對硅片(10)進行塑封，使塑封料從硅片(10)背面填滿相鄰芯片(20)之間的間隔位置，并且覆蓋了所有芯片(20)背面形成塑封體(30)；步驟7、將硅片(10)翻轉，并從相粘接的所述支撐襯板(60)與雙面膠帶(50)上，將該硅片(10)剝離下來；步驟8、在朝上的硅片(10)正面，對應每個芯片(20)頂部電極的位置進行植球；步驟9、通過回流處理，形成了對應該些頂部電極的若干錫球(23)；步驟(10)、通過劃片形成各個獨立的芯片(20)：將相鄰芯片(20)之間聯結為一體的塑封體(30)分開，使每個芯片(20)的底部和周邊都留有一定的所述塑封體(30)保護。...

【技術特征摘要】
1.一種將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法，其特征在于，在每個芯片(20)的底部和周邊都形成了保護用的塑封體(30);該封裝方法包含以下步驟 步驟I、硅片(10)準備；在一片硅片(10)正面對應制作了若干個芯片(20)的表面圖案，并使硅片(10)的該正面朝上； 步驟2、在硅片(10)背面進行背面減薄處理； 步驟3、將硅片(10)的背面固定粘接在劃片膜(40)上； 步驟4、從硅片(10)正面劃片切割，對應將各個芯片(20)分離；該些芯片(20)通過底面的劃片膜(40)連接，并保持相互間位于硅片(10)上的相對位置和間隔； 步驟5、將帶劃片膜(40)的硅片(10)倒裝，使切割后的整個硅片(10)正面向下固定粘接在一個雙面膠帶(50)的頂面上，之后將所述劃片膜(40)去除；所述雙面膠帶(50)的底面粘接固定在一個支撐襯板￠0)上或其它固定裝置上； 步驟6、對硅片(10)進行塑封，使塑封料從硅片(10)背面填滿相鄰芯片(20)之間的間隔位置，并且覆蓋了所有芯片(20)背面形成塑封體(30)； 步驟7、將硅片(10)翻轉，并從相粘接的所述支撐襯板￠0)與雙面膠帶(50)上，將該硅片(10)剝離下來； 步驟8、在朝上的硅片(10)正面，對應每個芯片(20)頂部電極的位置進行植球； 步驟9、通過回流處理，形成了對應該些頂部電極的若干錫球(23)； 步驟(10)、通過劃片形成各個獨立的芯片(20):將相鄰芯片(20)之間聯結為一體的塑封體(30)分開，使每個芯片(20)的底部和周邊都留有一定的所述塑封體(30)保護。2.權利要求I所述將芯片底部和周邊包封的芯片級封裝方法，其特征在于， 所述芯片(20...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃平，吳瑞生，段磊，陳益，龔玉平，
申請(專利權)人：萬國半導體開曼股份有限公司，
類型：發明
國別省市：