本發明專利技術公開一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法及檢測裝置，主要將一白色光源投射在一待測太陽能芯片上，并利用攝像單元對太陽能芯片進行影像的擷取以產生一影像數據，而后再對影像數據的色度進行分析，在分析的過程中可將影像數據區分成多個影像單元，并分別對各個或部分影像單元的色度進行分析，以推算出各個或部分影像單元內的抗反射層的厚度，借此將可以快速完成太陽能芯片上的抗反射層厚度的測量。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法及檢測裝置，可快速完成太陽能芯片上的抗反射層厚度的測量。
技術介紹
隨著地球資源的匱乏及環保議題的抬臺，世界各國逐漸察覺到發展新替代能源的急迫性，其中太陽能發電便是最被看好的一項技術。太陽能芯片電池依工藝的不同，大概可被區分為硅晶太陽能電池及薄膜太陽能電池，目前硅晶太陽能電池的市占率約為80%以上。請參閱圖1，為現有太陽能芯片的構造示意圖。如圖所示，太陽能芯片10主要包括有一 N型半導體材料U、一 P型半導體材料13及一抗反射層15，其中N型半導體材料11及P型半導體材料13以層疊方式設置，而抗反射層15則設置在N型半導體材料11表面。在應用時太陽光可穿透抗反射層15并投射在N型半導體材料11及/或P型半導體材料13上，借由抗反射層15的設置將可以讓更多的光源進入半導體材料11/13，并有利于提高太陽能芯片10產生電能的效率。當光源照射在太陽芯片10時，太陽能芯片10內帶負電的電子將會往N型半導體材料11的表面移動，并可以設置在N型半導體材料11上的導電線17將其導出，而太陽能芯片10內帶正電的電洞則會往P型半導體材料13的表面移動，并可進一步以設置在P型半導體材料13上的導電線19將其導出。抗反射層15主要由一絕緣材料所制成，且抗反射層15的厚度會對導入太陽能芯片10的光源的比例造成影響。一般在對太陽能芯片10的抗反射層15的厚度進行測量時，主要是通過破壞性的掃瞄式電子顯微鏡(SEM)分析抗反射層15的厚度，然而此一測量方法不僅效率不佳，更無法在產在線自動化進行檢測。
技術實現思路
本專利技術的主要目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，主要將一白色光源投射在太陽能芯片上，并將太陽能芯片的顏色轉換為色度，借此將可進一步以色度推算出太陽能芯片上的抗反射層的厚度。本專利技術的次要目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，主要對太陽能芯片進行影像的擷取并取得一影像數據，并將影像數據區分成多個影像單元，而后再將各個或部分影像單元上的RGB數值轉換到HSV的色彩空間，以得知各個或部分影像單元的色度，借此將由各個或部分影像單元的色度推算出太陽能芯片的抗反射層的厚度。本專利技術的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，主要對太陽能芯片進行影像的擷取并取得一影像數據，并對該影像數據上的各個或部分像素進行分析，以得知太陽能芯片的抗反射層的厚度。本專利技術的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，其中太陽能芯片上的抗反射層的厚度與影像單元(抗反射層)的色度約呈現二次方反比的關系，并可由色度得知太陽能芯片的抗反射層的厚度。本專利技術的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置，主要通過攝像單元對太陽能芯片進行影像的擷取，并以運算單元將影像數據的各個或部分像素的RGB數值轉換到HSV的色彩空間，而后再對各個或部分像素上的色度進行運算，以得知太陽能芯片的各個區域的抗反射層的厚度。本專利技術的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置，可將攝像單元設置在太陽能芯片輸送的路徑上，并對太陽能芯片進行影像的擷取，而后再以運算單 元對所取得的影像數據進行分析，借此將可以在產在線自動化進行抗反射層厚度的檢測，并有利于提聞檢測的效率。本專利技術的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置，可由檢測的結果得知單一太陽能芯片上的抗反射層的厚度是否均勻，并進一步依據檢測的結果對不同的太陽能芯片進行分類。為了達到上述目的，本專利技術提供一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，包括有以下步驟對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中太陽能芯片表面設置有一抗反射層；將影像數據區分成多個影像單元，并取得影像單元的色度；及由影像單元的色度推算出抗反射層的厚度。為了達到上述目的，本專利技術還提供一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，包括有一攝像單元，用以對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中太陽能芯片表面設置有一抗反射層；及一運算單元，由攝像單元接收影像數據，并將影像數據區分成多個影像單元，并取得影像單元的色度，而后再由影像單元的色度推算出抗反射層的厚度。本專利技術的功效在于，由于影像數據內的影像單元的色度與抗反射層的厚度相關，例如當太陽能芯片的抗反射層為Silicon Nitride (氮化娃)時,抗反射層的厚度與影像單元(抗反射層)的色度約呈現二次方反比的關系，因此運算單元內可包括有抗反射層的厚度與色度的關系式或關系圖，借此將可由各個或部分影像單元的色度推算出太陽能芯片的各個或部分區域的抗反射層的厚度。以下結合附圖和具體實施例對本專利技術進行詳細描述，但不作為對本專利技術的限定。附圖說明圖I為現有太陽能芯片的構造示意圖；圖2為本專利技術一實施例的太陽能芯片的抗反射層的檢測方法的步驟流程圖；圖3為本專利技術一實施例的影像數據的示意圖；圖4為本專利技術一實施例的抗反射層厚度與色度的關系圖；圖5為本專利技術一實施例的太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置的構造示意圖；圖6為本專利技術一實施例的檢測裝置的白色光源的波長分布圖。其中，附圖標記10太陽能芯片11 N型半導體材料13P型半導體材料 15 抗反射層17導電線19 導電線30 影像數據31 影像單元 40 檢測裝置41 輸送單元43 攝像單元45 運算單元47 發光單元49 檢測單元具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術的結構原理和工作原理作具體的描述請參閱圖2，為本專利技術太陽能芯片的抗反射層的檢測方法一實施例的步驟流程圖。并請同時參閱圖I及圖3，一般的太陽能芯片10表面會設置有一抗反射層15，本專利技術主要用以對太陽能芯片10進行影像的擷取，以得知太陽能芯片10的顏色，之后再對太陽能芯片10的顏色進行分析，以得知太陽能芯片10的抗反射層15的厚度。在使用時可先對太陽能芯片10進行影像的擷取，并產生一太陽能芯片10的影像數據30，如步驟21所示，在此一步驟進行時可將白色光源投射在太陽能芯片10的抗反射層15上，并對太陽能芯片10設置有抗反射層15的一面進行攝像。在對影像數據30進行分析時，可將影像數據30區分成多個影像單元31，并進一步取得各個或部分影像單元31上的色度(Hue)，如步驟23所示。在本專利技術一較佳實施例中，可由影像數據30得知各個或部分影像單元31的顏色，如各個或部分影像單元31的RGB數值，而后再將各個或部分影像單元31的RGB數值轉換到HSV (Hue色度、Saturation飽和度、Value亮度)的色彩空間，以取得各個或部分影像單元31的色度。影像數據30可為由數字相機所擷取的數字數據，其中影像數據30由多個像素(pixel)所組成，且影像單元31可包括有至少一像素，例如影像單元31可由單一個像素所構成，并可直接將影像數據30的各個或部分像素的RGB數值轉換到HSV的色彩空間，以得知各個或部分像素的色度。在不同實施例中影像單元31亦可由多個像素所構成，則影像單元31的色度則可以是多個像素的色度的平均。此外，當影像單元31內包括有多個像素時，亦可僅對各個或部分影像單元31內其中一個像素進行抽檢，并以取得的像素的色度代表該影像單元31的色度，借此將可以對太陽能芯片10的抗反射層15的各個或部分區塊進行抽檢，例如影像數本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，包括有以下步驟：對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中該太陽能芯片表面設置有一抗反射層；將該影像數據區分成多個影像單元，并取得該影像單元的色度；及由該影像單元的色度推算出該抗反射層的厚度。
【技術特征摘要】
1.一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，包括有以下步驟對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中該太陽能芯片表面設置有一抗反射層；將該影像數據區分成多個影像單元，并取得該影像單元的色度 '及由該影像單元的色度推算出該抗反射層的厚度。2.根據權利要求I所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，該影像數據由多像素所組成，且該影像單元包括有至少一像素。3.根據權利要求I所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，包括有以下步驟取得該影像單元的RGB數值；將該影像單元的RGB數值轉換到HSV的色彩空間。4.根據權利要求I所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，該抗反射層的厚度與該影像單元的色度為呈二次方反比的關系。5.根據權利要求I所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，該抗反射層為氮化娃。6.一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，包括有一攝像單元，用以對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中該太陽能芯片表面設置有一抗反射層；及一運算單元，由該攝像單元接收該影像數據，并將該影像數據區分成多個影像單元，并取得該影像單...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王瓊姿，
申請(專利權)人：立曄科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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