用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件制造方法技術

本發明專利技術公開了用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件制造方法。所述支撐臺包括：支撐部分和調節系統，其中支撐部分、調節系統或兩者配置成使得由于調節系統的操作導致的至襯底或來自襯底的熱傳遞在鄰近襯底邊緣的襯底區域中比在襯底中心處的襯底區域中的大。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及使用光刻設備制造器件的方法。
技術介紹
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置用于生成將要形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層 上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續曝光的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來福射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸沒到具有相對高的折射率的液體中(例如水)，以便填充投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是也可以使用其他液體。將參照液體描述本專利技術的實施例。然而，其他流體也是適用的，尤其是浸潤流體、不可壓縮的流體和/或具有較空氣高的折射率的流體，期望具有比水高的折射率。不包括氣體的流體是尤其想要的。其重點在于允許對較小特征進行成像，因為曝光輻射在液體中將具有較短的波長。(液體的效果也可以認為是提高系統的有效數值孔徑同時增加了焦深。)也提出了其他的浸沒液體，包括含有懸浮的固體(例如，石英)顆粒的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如具有最大尺寸為IOnm的顆粒)的液體。懸浮顆粒可以具有或不具有與其懸浮所在的液體類似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底和襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4, 509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。在浸沒設備中，浸沒流體由流體處理系統、裝置結構或設備來處理。在一實施例中，流體處理系統可以供給浸沒流體，因而是流體供給系統。在一實施例中，流體處理系統可以至少部分地限制浸沒流體，因而是流體限制系統。在一實施例中，流體處理系統可以提供阻擋浸沒流體的阻擋件，因而是阻擋構件(例如流體限制結構)。在一實施例中，流體處理系統可以產生或使用氣流，例如以便幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，因而流體處理結構可以稱為密封構件；這種密封構件可以是流體限制結構。在一實施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統可以是液體處理系統。參照前面提到的內容，在本段落中提到的有關流體的限定特征可以被理解成包括有關液體的限定特征。
技術實現思路
在光刻設備中使用浸沒流體可以引入特定的困難。例如，使用浸沒流體會在光刻設備內導致附加的熱負載，這會影響在襯底上形成圖像的精確度。在某些情況下，熱負載可能在整個襯底上是不均勻的，這導致圖像的不均勻的變化。作為示例，由于流體處理系統的操作和/或浸沒流體的蒸發可以引起熱負載。這些影響可以被局部化至襯底的一部分。因此，在襯底中可能存在局部溫度改變，由此導致襯底的局部熱膨脹或熱收縮。這又可能導致重疊誤差和/或臨界尺寸(CD)的局部變化。期望地，例如提供一種系統，其中局部熱負載的影響被減小。 根據本專利技術的一方面，提供一種用于光刻設備的支撐臺，所述支撐臺包括支撐部分，配置成在其上表面上支撐襯底的下表面；和調節系統，配置成供給熱能至支撐部分和/或從支撐部分移除熱能；其中，當通過支撐部分支撐襯底時，襯底熱耦合至支撐部分，使得當調節系統供給熱能至支撐部分或從支撐部分移除熱能時，能量又分別從支撐部分傳遞至襯底或從襯底傳遞至支撐部分；和支撐部分、調節系統或兩者配置成使得由于調節系統的操作導致的來自襯底或至襯底的、襯底的每單位面積的熱傳遞在襯底的靠近襯底邊緣的第一區域比在襯底的襯底中心處的第二區域處大。根據本專利技術的一方面，提供一種用于光刻設備的支撐臺，所述支撐臺包括支撐部分，配置成在其上表面上支撐襯底的下表面；支撐部分的上表面包括基部表面，所述基部表面配置成當襯底支撐在支撐部分上時基本上平行于襯底的下表面，并且支撐部分的上表面包括多個突節，所述多個突節從基部表面突出且布置成使得在通過支撐部分支撐襯底時襯底僅接觸突節的上表面，其中突節配置成使得接觸襯底的與襯底邊緣鄰近的第一區域的突節的沿平行于支撐部分的上表面的方向的剛性比接觸襯底的處于襯底中心處的第二區域的突節的大，并且突節的沿垂直于支撐部分的上表面的方向的剛性對于接觸襯底的第一和第二區域的突節來說是基本上相同的。根據本專利技術的一方面，提供一種光刻設備，包括支撐臺，配置成支撐襯底；調節系統，配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能；位置測量系統，配置成測量光刻設備內的支撐臺的位置；和控制器，配置成基于包括所測量的支撐臺的位置的信息來控制調節系統，以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。根據本專利技術的一方面，提供一種光刻設備，包括支撐臺，配置成支撐襯底；調節系統，配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能；以及控制器，配置成控制調節系統以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能，所述控制器配置成使得，當支撐臺位于襯底將被裝載至支撐臺的位置時，控制器在襯底被裝載至支撐臺之前控制調節系統開始將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。根據本專利技術的一方面，提供一種器件制造方法，包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉移至襯底，其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調節系統以及配置成測量光刻設備內的支撐臺的位置的位置測量系統，所述方法包括步驟基于包括所測量的支撐臺的位置的信息來控制調節系統，以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。根據本專利技術的一方面，提供一種器件制造方法，包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉移至襯底，其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調節系統，所述方法包括步驟在襯底被裝載至支撐臺之前控制調節系統，以將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱倉泛。附圖說明在此僅借助示例，參照所附示意圖對本專利技術的實施例進行描述，在所附示意圖中，相對應的附圖標記表示相對應的部件，且其中圖I示出根據本專利技術實施例的光刻設備；圖2和圖3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統；·圖4示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖5示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖6示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統的橫截面視圖；圖7示出可以用于本專利技術一個實施例的支撐臺的橫截面視圖；圖8示出可以用于本專利技術一個實施例的支撐臺的布置的平面圖；圖9示出根據本專利技術一個實施例的支撐臺的平面圖；圖10和11示出根據本專利技術一個實施例的支撐臺的一部分的局部平面圖；圖12至21每一個示出可以根據本專利技術的實本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于光刻設備的支撐臺，所述支撐臺包括：支撐部分，配置成在其上表面上支撐襯底的下表面；和調節系統，配置成將熱能供給至支撐部分和/或從支撐部分移除熱能；其中，當通過支撐部分支撐襯底時，襯底熱耦合至支撐部分，使得當調節系統將熱能供給至支撐部分或從支撐部分移除熱能時，能量又分別從支撐部分傳遞至襯底或從襯底傳遞至支撐部分；和支撐部分、調節系統或兩者配置成使得對于調節系統的操作所導致的襯底的每單位面積上的至襯底或來自襯底的熱傳遞，在鄰近襯底邊緣的襯底的第一區域中的比在襯底中心處的襯底的第二區域中的大。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：J·G·C·昆尼，M·霍本，T·S·M·勞倫特，H·J·M·凡阿畢倫，A·R·J·達森，S·C·R·德爾克斯，
申請(專利權)人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發明
國別省市：