襯底臺組件、浸沒光刻設備以及器件制造方法技術

本發明專利技術公開了一種襯底臺組件、浸沒光刻設備以及器件制造方法。所述襯底臺組件包括：襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以將氣體提供至襯底臺與安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及襯底臺組件、浸沒光刻設備以及使用浸沒光刻設備制造器件的方法。
技術介紹
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置用于生成將 要形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來福射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。曾有提議將光刻投影設備中的襯底浸沒到具有相對高的折射率的液體中(例如水)，以便填充投影系統的最終元件和襯底之間的空隙。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是也可以使用其他液體。將參照液體描述本專利技術的實施例。然而，其他流體也是適用的，尤其是浸濕流體、不可壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望具有比水高的折射率。不包括氣體的流體是尤其想要的。其重點在于允許對較小特征進行成像，因為曝光輻射在液體中將具有較短的波長。(液體的效果也可以認為是提高系統的有效數值孔徑(NA)同時增加了焦深)其他的浸沒液體也有提到，包括其中懸浮有固體(例如，石英)顆粒的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如具有最大尺寸為IOnm的顆粒)的液體。懸浮顆粒可以具有或不具有與其懸浮所在的液體類似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底和襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4, 509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的和不能預期的效果。在浸沒設備中，浸沒流體由流體處理系統、器件結構或設備來處理。在一實施例中，流體處理系統可以供給浸沒流體，因而是流體供給系統。在一實施例中，流體處理系統可以至少部分地限制浸沒流體，因而是流體限制系統。在一實施例中，流體處理系統可以提供阻擋件給浸沒流體，因而是阻擋構件(例如流體限制結構)。在一實施例中，流體處理系統可以產生或使用氣流，例如以便幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，因而流體處理結構可以稱為密封構件；這種密封構件可以是流體限制結構。在一實施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統可以是液體處理系統。參照前面提到的內容，在本段落中提到的有關流體的限定特征可以被理解成包括有關液體的限定特征。
技術實現思路
與襯底接觸的浸沒流體的蒸發會引起襯底的冷卻。這種冷卻會引起襯底的變形。襯底變形會引起形成在襯底上的圖案的誤差?？刂埔r底臺的溫度以提供熱至襯底并補償由浸沒液體的蒸發引起的冷卻。然而，使用這種方法難以提供充分迅速的且精確的補償。期望地，例如提供對由于浸沒液體的蒸發引起的襯底冷卻的改進的補償。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中由氣體處理系統提供的氣體包括H2。 根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，和其中襯底臺包括用以從氣體處理系統供給氣體至襯底和襯底臺之間的區域的供給口，和用以從所述區域抽取流體的抽取口，所述抽取口包括外周抽取口，配置成從與襯底的外周鄰近的區域提供周圍環境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內的流動。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供第一氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的第一氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，和其中氣體處理系統還配置成提供緩沖氣體作為第二氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，所述緩沖氣體具有與第一氣體不同的成分。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，和其中襯底臺包括通孔，所述通孔具有進入襯底和襯底臺之間的區域的開口。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和邊緣密封件，用以在襯底之上的區域和襯底與襯底臺之間的區域之間的襯底外周邊緣處提供密封，其中所述組件配置成從與襯底的外圍相鄰的區域提供熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmff/ (m. K)的氣體的橫向向內的流動。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，并且氣體處理系統包括沖洗貯液器，所述沖洗貯液器在大于大氣壓的壓力條件下存儲298K條件下熱導率大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，并且氣體處理系統包括重新處理系統，用以從已經通過襯底和襯底臺之間的區域的流體抽取熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以提供氣體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和抽吸貯液器，配置成被保持在部分真空條件下并且能夠選擇性地連接至襯底和襯底臺之間的區域以從該區域去除流體。根據一方面，提供一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括襯底臺，用以支撐襯底；和液體處理系統，用以提供液體至襯底臺和安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，以便在使用時覆蓋襯底臺的與襯底直接相對的部分的表面面積的至少20%。 根據一方面，提供一種本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括：襯底臺，用以支撐襯底；和氣體處理系統，用以將氣體提供至襯底臺與安裝在襯底臺上的襯底之間的區域，其中由氣體處理系統提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)，其中由氣體處理系統提供的氣體包括H2。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：J·G·C·昆尼，J·H·W·雅各布斯，M·霍本，T·S·M·勞倫特，F·J·J·范鮑克斯臺爾，S·C·R·德爾克斯，S·N·L·唐德斯，
申請(專利權)人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發明
國別省市：