電子部件用層疊布線膜以及覆蓋層形成用濺射靶材制造技術

本發明專利技術提供一種使用了如下由Mo合金構成的覆蓋層的電子部件用層疊布線膜以及用于形成覆蓋層的濺射靶材，其中，所述覆蓋層改善耐濕性、耐氧化性，進而在與低電阻的主導電層Al進行層疊時，即使經過加熱工序也能維持低電阻值。所述電子部件用層疊布線膜是在基板上形成金屬膜的電子部件用層疊布線膜，由以Al為主成分的主導電層和覆蓋該主導電層的一面和/或另一面的覆蓋層構成，該覆蓋層為，原子比的組成式由Mo100-x-y-Nix-Tiy，10≤x≤30、3≤y≤20所表示，余量由不可避免的雜質構成。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及要求耐濕性、耐氧化性的電子部件用層疊布線膜以及用于形成覆蓋該層疊布線膜的主導電層的一面和/或另一面的覆蓋層的覆蓋層形成用濺射靶材。
技術介紹
不僅在液晶顯示器(以下稱為IXD)、等離子體顯示面板(以下稱為rop)、用于電子紙等的電泳型顯示器等的平面顯示裝置(平板顯示器、以下稱為FPD)中需要形成低電阻的布線膜，而且在各種半導體器件、薄膜傳感器、磁頭等薄膜電子部件中也需要形成低電阻的布線膜。例如，就在玻璃基板上形成薄膜器件的LCD、PDP、有機EL顯示器等的FPD而言，伴隨著大畫面、高精細、高速應答化，對其布線膜要求低電阻化。進而，近年來，已 開發出對FPD賦予操作性的觸摸面板、使用了樹脂基板的柔性FPD等新產品。近年來，被用作FPD的驅動元件的薄膜晶體管(TFT)使用Si半導體膜，若作為低電阻布線膜的Al與Si直接接觸，則因TFT制造中的加熱エ序而導致熱擴散，使TFT的特性劣化。因此，可使用以耐熱性優異的純Mo、Mo合金在Al與Si之間作為遮擋膜的層疊布線膜。另外，在從TFT接出的像素電極或用于便攜型終端、平板電腦等的觸摸面板的位置檢測電極中，通常使用作為透明導電膜的ITO(銦-錫氧化物)。在這種情況下，若作為布線膜的Al與ITO接觸，則在其界面生成氧化物而也使電接觸性劣化。因此，在Al與ITO之間形成純Mo、Mo合金作為接觸膜而確保與ITO的接觸性。如上所述，要獲得發揮Al的低電阻特性的布線膜，純Mo、Mo合金膜必不可少，需要制成將Al用純Mo、Mo合金覆蓋的層疊布線膜。進而，近年來，積極進行著使用了被認為比非晶質Si半導體更適于高速驅動的氧化物的透明半導體膜的研究，對這些氧化物半導體的Al層疊膜的接觸膜、遮擋膜的覆蓋層，也在研究純Mo的應用。因此，作為改善純Mo特性的手段，本申請人提出了耐腐蝕性、耐熱性、與基板的密合性優異且低電阻的對Mo添加3 50原子％的V、Nb等而得的Mo合金膜(例如，參照專利文獻I)。專利文獻專利文獻I:日本特開2002-190212號公報
技術實現思路
上述專利文獻I中提出的Mo-V、Mo_Nb合金等由于與Mo相比耐腐蝕性、耐熱性、與基板的密合性優異，所以被廣泛用于在玻璃基板上形成FPD的用途。toon] 然而，在制造Fro時，在基板上形成層疊布線膜后移至下一個エ序之際有時被長時間地放置于大氣中。另外，在為了提高簡便性而使用了樹脂膜的輕量且柔性的Fro等中，由于樹脂膜與迄今為止的玻璃基板等相比有透濕性，所以對層疊布線膜要求更高的耐濕性。進而，有時在對FPD的接頭部等安裝信號線電纜時在大氣中進行加熱，因此，對層疊布線膜還要求耐氧化性的提高。除此以外，在使用了氧化物的半導體膜中，有時為了提高特性、穩定化而在含 氧的氣氛下、在形成含氧的保護膜之后，在350°C以上的高溫下進行加熱處理。因此，對層疊布線膜也提高了提升耐氧化性的要求，以使之在經過這些加熱處理后也能維持穩定的特性。根據本專利技術人的研究，確認了若用上述Mo-V、Mo-Nb合金、純Mo，則有時產生如下問題在上述環境下的耐濕性、耐氧化性不充分，在FPD制造工序中制成層疊布線膜的覆蓋層時，發生變色。若耐氧化性不充分，則使電接觸性劣化而導致電子部件的可靠性下降。此外，本專利技術人確認了如下問題由于高速驅動，TFT制造工序中的加熱溫度存在上升的傾向，若經過更高溫度下的加熱工序，則層疊布線膜所含的合金元素擴散至Al中而使電阻值增大。本專利技術的目的在于提供一種使用了由Mo合金構成的覆蓋層的電子部件用層疊布線膜以及用于形成覆蓋層的濺射靶材，其中，所述覆蓋層可改善耐濕性、耐氧化性，在與低電阻的主導電層Al層疊時，即使經過加熱工序，也可維持低電阻值。本專利技術人鑒于上述課題，致力于新添加至Mo中的元素的最優化，其結果是，發現通過將特定量的Ni與Ti復合添加至Mo中，使耐濕性、耐氧化性提高，并且在制成作為主導電層的Al的覆蓋層時，即使經過加熱工序，也可維持低電阻值，從而完成了本專利技術。S卩，本專利技術為一種電子部件用層疊布線膜，是在基板上形成金屬膜的電子部件用層疊布線膜，由以Al為主成分的主導電層和覆蓋該主導電層的一面和/或另一面的覆蓋層構成，該覆蓋層為，原子比的組成式由M0l.x_y-Nix-Tiy，10彡X彡30,320所表示，余量由不可避免的雜質構成。另外，本專利技術中，優選將上述組成式的x、y分別設為10彡X彡20,9彡y彡15。另外，本專利技術為一種覆蓋層形成用濺射靶材，其為利用濺射法形成上述覆蓋層時的靶材,所述覆蓋層形成用濺射靶材為，原子比的組成式由Mo1QQ_x_y-Nix-Tiy，10彡X彡30、3 ^ y ^ 20所表示，余量由不可避免的雜質構成。另外，本專利技術中，優選上述組成式的x、y分別為10彡X彡20、9彡y彡15。本專利技術的電子部件用層疊布線膜可提高耐濕性、耐氧化性。另外，即使在與Al進行層疊時的加熱工序中也可抑制電阻值增大而維持低電阻值。由此，具有通過用于在各種電子部件、例如形成于樹脂基板上的FPD等的布線膜而能夠對電子部件的穩定制造、可靠性提高作出大的貢獻的優點，為在電子部件的制造中不可缺少的技術。尤其是成為對于使用觸摸面板、樹脂基板的柔性FH)非常有用的層疊布線膜。這是由于對于這些制品而言，尤其是耐濕性、耐氧化性非常重要。附圖說明圖I是本專利技術的電子部件用層疊布線膜的截面示意圖的一例。具體實施例方式將本專利技術的電子部件用層疊布線膜的示意圖示于圖I。本專利技術的電子部件用層疊布線膜包含覆蓋以Al為主成分的主導電層3的一面和/或另一面的覆蓋層2、4，例如形成在基板I上。雖然在圖I中在主導電層3的兩面形成覆蓋層2、4，但可根據電子部件的形態而僅覆蓋一面，可適當地進行選擇。應予說明，僅將主導電層的一面用本專利技術的覆蓋層進行覆蓋時，在主導電層的另一面上可根據電子部件的用途而用與本專利技術組成不同的覆蓋層進行覆蓋。本專利技術的重要特征在于發現了一種新的Mo合金，其通過在圖I所示的電子部件用層疊布線膜的覆蓋層中，向Mo復合添加特定量的Ni與Ti，使耐濕性、耐氧化性提高，在與Al層疊時的加熱エ序中能夠維持低電阻值。下面，對本專利技術的電子部件用布線膜進行詳細說明。應予說明，以下說明中，“耐濕性”是指在高溫高濕環境下的布線膜的電阻值變化。另外，“抗氧化性”是指高溫環境下的電接觸性劣化難度，可利用布線膜的變色確認，例如可利用反射率進行定量評價。在形成本專利技術的電子部件用層疊布線膜的覆蓋層的Mo合金中添加Ni的理由在于 提高覆蓋層的耐氧化性。純Mo在大氣中加熱后，發生氧化，膜表面變色，電接觸性劣化。本專利技術的電子部件用層疊布線膜的覆蓋層通過對Mo添加特定量的Ni而具有抑制覆蓋層變色的效果，可提高耐氧化性。其效果在Ni的添加量為10原子％以上時變得顯著。另ー方面，Ni是比Mo容易向Al進行熱擴散的元素。若Ni向Mo的添加量超過30原子％，則在制造Fro等電子部件時的加熱エ序中，覆蓋層的Ni容易擴散至主導電層的Al而變得難以維持低電阻值。因此，將Ni的添加量設為1(T30原子％。另外，在對主導電層的Al形成覆蓋層，以高于350°C的溫度進行加熱時，覆蓋層的Ni變得容易擴散至主導電層的Al，有時電阻值上升。本專利技術中為了維持低電阻值，優選將Ni的添加量設為20原子％以下。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電子部件用層疊布線膜，其特征在于，是在基板上形成金屬膜的電子部件用層疊布線膜，由以Al為主成分的主導電層和覆蓋該主導電層的一面和/或另一面的覆蓋層構成，該覆蓋層為，原子比的組成式由Mo100?x?y?Nix?Tiy，10≤x≤30、3≤y≤20所表示，余量由不可避免的雜質構成。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：村田英夫，
申請(專利權)人：日立金屬株式會社，
類型：發明
國別省市：