本發明專利技術關于一種覆晶封裝結構，包含一基板、一芯片、一凸塊結構以及一阻焊層。基板上具有一電路層，芯片具有一中央區域及位于中央區域兩側的二邊緣區域。凸塊結構面對基板設置于芯片的中央區域，阻焊層設置于基板，且部分覆蓋電路層。當芯片設置于基板上時，芯片通過凸塊結構與基板電性連接，且阻焊層適可與芯片的二邊緣區域接觸，以與凸塊結構共同支撐芯片。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術關于一種半導體封裝結構；特別是關于一種使用于半導體領域的覆晶封裝結構。
技術介紹
覆晶封裝結構因為具有尺寸小、接腳密度大且散熱效率高等優點，因此被廣泛地使用于各種類型的電子邏輯元件，尤其在現今數位化社會中對電子產品的多工需求，使得諸如個人電腦中常見的中央處理器(Central Processing Unit, CPU)或圖形處理器(Graphics Processing Unit, GPU),亦或是兼具無線網絡及藍牙通訊技術的網絡芯片等，都可輕易見到覆晶封裝結構的身影。 覆晶封裝結構主要由基板、芯片及用以電性連接該基板及該芯片的凸塊結構所形成。當凸塊結構設置于基板及芯片間，并用以頂持及電性連接基板與芯片時，將使得基板與芯片間形成一間隙。同時，該間隙適可利用如自然流入或毛細現象等，以充填一填充劑，使其具有將芯片與基板固定及絕緣，并避免凸塊結構間彼此接觸而短路的功用。然而，隨著工藝的進步及對電子元件微小化的需求，基板與芯片的尺寸雖然愈趨縮小，但所需具備的信號接腳數量卻不減反增。如此一來，不僅將導致基板與芯片間的間隙變小，從而增加工藝上的困難，并且在另一方面，過小的間隙也將導致填充劑無法順利地流入及充填于其間，從而導致電路層氧化或接點間短路的情況，嚴重影響覆晶封裝結構的使用壽命。有鑒于此，如何在微小化覆晶封裝結構的同時，依舊可維持兩者間所具有的間隙的尺寸，使填充料可順利地通過毛細現象填充于其間，乃為目前業界引領期盼所欲解決的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種覆晶封裝結構，其在微小化基板與芯片尺寸的同時，不但可供芯片穩固地置于基板上，且可維持兩者間的間隙尺寸，從而使填充料可完整地填充于該間隙，以達到將芯片與基板固定并絕緣，同時避免凸塊結構彼此接觸而導致短路的目的。為達上述目的，本專利技術的覆晶封裝結構包含一基板、一芯片、一凸塊結構以及一阻焊層。基板上具有一電路層，芯片具有一中央區域及位于中央區域兩側的二邊緣區域。凸塊結構面對基板設置于芯片的中央區域，阻焊層設置于基板，且部分覆蓋電路層。當芯片設置于基板上時，芯片通過凸塊結構與基板電性連接，且阻焊層適可與芯片的二邊緣區域接觸，以與凸塊結構共同支撐芯片。為讓本專利技術的上述目的、技術特征、和優點能更明顯易懂，下文以較佳實施例、配合所附附圖進行詳細說明。附圖說明圖1A為本專利技術覆晶封裝結構的第一實施例示意圖；圖1B為圖1A的A-A線段的剖面圖；圖2A為本專利技術覆晶封裝結構的第二實施例示意圖；圖2B為圖2A的B-B線段的剖面圖；圖3A為本專利技術覆晶封裝結構的 第三實施例示意圖；圖3B為圖3A的C-C線段的剖面圖；圖4A為本專利技術覆晶封裝結構的第四實施例示意圖；圖4B為圖4A的D-D線段的剖面圖；圖5為本專利技術覆晶封裝結構的制造流程圖；以及圖6為本專利技術覆晶封裝結構的另一制造流程圖。具體實施例方式圖1A及圖1B為本專利技術的覆晶封裝結構100的第一實施例。如圖所示，覆晶封裝結構100具有一基板110、一芯片120、一凸塊結構130以及一阻焊層140。其中，基板100上具有一電路層112(附圖中所繪制的電路層僅為示意)，且芯片120具有一中央區域122及位于中央區域122兩側的二邊緣區域124。此外，凸塊結構130面對基板110設置于芯片120的中央區域122，阻焊層140設置于基板110，且用以部分覆蓋電路層112。其中，于本實施例中，凸塊結構130例如為金凸塊、結線凸塊及復合凸塊…等。如圖1B所示，當芯片120設置于基板110上時，芯片120適可通過凸塊結構130與基板Iio電性連接，同時，阻焊層140適可與芯片120的二邊緣區域124相接觸，以與凸塊結構130共同支撐芯片120，避免芯片120僅中央區域122具有支撐，而產生左右傾斜的情況。覆晶封裝結構100更進一步包含一抗氧化層150，其覆蓋于基板110的電路層112上，用以協助避免電路層112的氧化。其中，抗氧化層150為鎳金或鎳鈀金。此外，當阻焊層140與凸塊結構130共同支撐芯片120時，于基板110及芯片120間將形成一間隙200，且一填料層210適可填充于間隙200中，成為基板110及芯片120間的絕緣物質，在避免短路情況發生的同時，也具有固定基板110與芯片120的功效。需說明的是，如圖1A所示，于本專利技術的第一實施例中，阻焊層140由基板110的二側邊116朝基板110的一中央部114，通過覆蓋3/4基板110面積的方式設置，以與凸塊結構130共同支撐芯片120。因此，由于基板110與芯片120間尚留存有足夠的間隙200，故當使用填充劑(圖未示出)充填間隙200時，其將可順利無阻礙地流入間隙200中，以形成填料層210。舉例來說，當一封裝結構具有8mm(寬)*11. 5mm(長)的面積尺寸，且阻焊層140覆蓋了 3/4該面積尺寸時，則中央部114將預留2mm寬的間隔，且二側邊116的寬度則各為3mm左右。圖2A及圖2B為本專利技術的第二實施例。如圖所示，第二實施例的覆晶封裝結構100所具有的基板110、芯片120、凸塊結構130及阻焊層140間的相互空間關系，皆與第一實施例相同，其區別僅在于第二實施例所示的阻焊層140由基板110的二側邊116朝基板110的中央部114，通過覆蓋1/2基板110面積的方式設置，以與凸塊結構130共同支撐芯片120。因此，相較于第一實施例，第二實施例所示的覆晶封裝結構100使用較少的阻焊層140，即可與凸塊結構130來共同支撐芯片120，以避免芯片120發生左右傾斜的情況，同時依舊使填充劑可由未被阻焊層140覆蓋之處順利地流入于間隙200內進行充填。圖3A及圖3B為本專利技術的第三實施例。如圖所示，第三實施例的覆晶封裝結構100所具有的基板110、芯片120、凸塊結構130及阻焊層140間的相互空間關系，皆與第一實施例及第二實施例相同，其區別僅在于，第三實施例所示的阻焊層140由基板110的二側邊116朝基板110的中央部114，通過覆蓋1/4基板110面積的方式設置，以與凸塊結構130共同支撐芯片120。因此，相較于第一實施例及第二實施例，第三實施例所示的覆晶封裝結構100可利用更為少量的阻焊層140，與凸塊結構130共同支撐芯片120，避免芯片120發生左右傾斜的情況，并使填充劑可更加順利地流入于間隙200中。圖4A及圖4B為本專利技術的第四實施例。如圖所示，第四實施例的覆晶封裝結構100 所具有的基板110、芯片120及凸塊結構130間的相互空間關系，雖皆與如述的該等實施例相同，但于本實施例中，阻焊層140并非是從基板110的二側邊116朝基板110的中央部114的方式覆蓋于基板110上。相反地，第四實施例的阻焊層140乃是以設置于基板110的四邊角的方式，與凸塊結構130來共同支撐芯片120，使基板110與芯片120間可具有更多的間隙400，以供填充劑流入及填充于其間。本專利技術更揭露形成前述覆晶封裝結構100的方法，如圖5所示，包含下列步驟。首先，如步驟310所示，于基板100上形成電路層112，并于其上形成抗氧化層150以覆蓋并保護電路層112。接著如步驟320所示，形成阻焊層140于基板110，且使阻焊層140僅部分覆蓋電路層112。如步驟330所示，將具有凸塊結構1本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種覆晶封裝結構，包含：一基板，其上形成有一電路層；一芯片，具有一中央區域及位于該中央區域兩側的二邊緣區域；一凸塊結構，面對該基板設置于該芯片的該中央區域；以及一阻焊層，設置于該基板，且部分覆蓋該電路層；其中，當該芯片設置于該基板上時，該芯片通過該凸塊結構與該基板電性連接，且該阻焊層適可與該芯片的該二邊緣區域接觸，以與該凸塊結構共同支撐該芯片。
【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：劉安鴻，劉宏信，楊佳達，黃祺家，李宜璋，黃祥銘，
申請(專利權)人：南茂科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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