一種LED芯片封裝結構及制作方法、顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供了一種LED芯片封裝結構及制作方法、顯示裝置，通過在LED芯片單元的側邊形成導電單元，且導電單元包括形成于LED芯片單元中第一電極側邊，與第一電極電連接的第一導電層；形成于LED芯片單元中第二電極側邊，與第二電極電連接的第二導電層；形成于LED芯片單元中氮化鎵層側邊的中間隔離層。從而在橫向上使LED芯片單元和導電單元連成整體的電連接通道，省去了傳統LED中用于導電通道的焊接金線，降低了LED芯片器件的總厚度，提高了LED芯片的導熱效果、增加整體穩定性，改善了LED芯片表面的出光效果。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及LED封裝
，具體可以涉及一種LED芯片封裝結構及制作方法、顯示裝置。
技術介紹
半導體發光二極管(LED)照明的出現促使照明領域的又一次改革，LED具有小型固體化、耐振動、瞬間啟動快和快響應、節能且壽命長、綠色高效等許多優點，在普通照明、 背光源、裝飾照明上的應用日益廣泛。大功率高亮度LED具有取代白熾燈的巨大前景。工業上，產生白光的途徑之一是利用熒光粉覆蓋藍光氮化鎵基LED。氮化鎵基LED 有兩種基本結構橫向結構(lateral)和垂直結構(vertical)。橫向結構LED的兩個電極在LED的同一側，電流在GaN層中橫向流動，具有較大電阻和熱量。而垂直結構的氮化鎵基LED的兩個電極分別在氮化鎵基LED的兩側，電流幾乎全部垂直流過氮化鎵基外延層，因此電流分布均勻，電阻降低，抗靜電能力提高，電流產生的熱量、電壓降低。由于垂直結構的氮化鎵基LED擁有眾多優點，因此LED行業的大公司都在研究垂直結構的封裝工藝和產業化工藝。目前，LED的封裝結構非常多，但大多數封裝結構都需要用到金線，即將金線焊接在LED芯片的電極上。由于LED芯片的出光正面焊接電極和金線會阻擋部分光線，因此出光效率較低， 出光一致性較差。其次焊接金線 需要精密儀器和復雜工藝的配合，因此操作過程繁瑣、成本投入較高。
技術實現思路
本專利技術提供一種LED芯片封裝結構及制作方法、顯示裝置，從而可提高LED芯片的導熱效果、增加整體穩定性，改善LED芯片表面的出光效果。本專利技術提供方案如下本專利技術實施例提供了一種LED芯片封裝結構，包括LED芯片單元，以及導電單元;其中，所述LED芯片單元中，形成有第一電極、氮化鎵層以及第二電極，且所述氮化鎵層形成于在所述第一電極和第二電極之間，所述第一電極形成于所述氮化鎵層之上；所述導電單元包括形成于所述第一電極側邊，與所述第一電極電連接的第一導電層；形成于所述第二電極側邊，與所述第二電極電連接的第二導電層；形成于所述氮化鎵層側邊的中間隔離層，所述中間隔離層位于所述第一導電層和第二導電層之間。優選的，所述氮化鎵層包括襯底；形成于所述襯底之上的p_型氮化鎵結晶基板；形成于所述p_型氮化鎵結晶基板之上的發光層；形成于所述發光層之上的n_型氮化鎵結晶基板。優選的，所述第一導電層和第二導電層為透明導電材料。優選的，所述中間隔離層為透明導熱絕緣材料。優選的，所述第一導電層與所述第一電極厚度相同；和/或所述中間隔離層與所述氮化鎵層厚度相同；和/或所述第二導電層與所述第二電極厚度相同。優選的，所述第二導電層還形成于所述第二電極的底側。優選的，所述第一導電層還形成于所述第一電極的頂側。優選的，所述LED芯片封裝結構設置于一支撐架中；所述支撐架包括 第一導電通道和第二導電通道；所述第一導電通道與所述第一導電層連接；所述第二導電通道與所述第二導電層連接。本專利技術實施例還提供了一種LED芯片封裝結構制作方法，包括將LED芯片單元間隔固定于支撐架中，所述LED芯片單元中形成有第一電極、氮化鎵層以及第二電極，且所述氮化鎵層形成于在所述第一電極和第二電極之間，所述第一電極形成于所述氮化鎵層之上；在所述支撐架上表面與任意兩個相鄰LED芯片單元之間的間隔部相對應的區域， 形成LED芯片封裝結構中導電單元所包括的第二導電層，所述第二導電層與所述第二電極電連接；在所述第二導電層之上，形成導電單元所包括的中間隔離層；在所述中間隔離層之上，形成導電單元中所包括的第一導電層，所述第一導電層與所述第一電極電連接。優選的，所述方法在形成導電單元中的第一導電層之后，還包括在所述第一電極和第一導電層之上，形成樹脂熒光膠層。本專利技術實施例還提供了一種LED芯片封裝結構制作方法，包括依次形成LED芯片封裝結構中導電單元的層級結構，所述導電單元包括第一導電層、中間隔離層以及第二導電層，所述中間隔離層位于所述第一導電層和第二導電層之間， 所述第一導電層位于所述中間隔離層之上；在所述導電單元的層級結構中，形成凹槽；將LED芯片封裝結構中LED芯片單元安置于所述凹槽中，所述LED芯片單元中包括第一電極、氮化鎵層以及第二電極，且 所述氮化鎵層形成于在所述第一電極和第二電極之間，所述第一電極形成于所述氮化鎵層之上，所述第二電極與所述第二導電層電連接，所述第一電極與所述第一導電層電連接。優選的，所述凹槽貫穿所述導電單元的層級結構；或者所述凹槽底部留有預設厚度的第二導電層。本專利技術實施例還提供了 一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述本專利技術實施例提供 的LED芯片封裝結構。從以上所述可以看出，本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構及制作方法、顯示 裝置，通過在LED芯片單元的側邊形成導電單元，且導電單元包括形成于所述第一電極側 邊，與所述第一電極電連接的第一導電層；形成于所述第二電極側邊，與所述第二電極電連 接的第二導電層；形成于所述氮化鎵層側邊的中間隔離層。從而在橫向上使LED芯片單元 和導電單元連成整體的電連接通道，省去了傳統LED中用于導電通道的焊接金線，降低了 LED芯片器件的總厚度，提高了 LED芯片的導熱效果、增加整體穩定性，改善了 LED芯片表面 的出光效果。附圖說明圖1為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構示意圖一；圖2為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構中氮化鎵層結構示意圖；圖3為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構制作方法流程示意圖一；圖4為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構示意圖二 ；圖5為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構示意圖三；圖6為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構制作方法流程示意圖二 ；圖7為本專利技術實施例提供的LED芯片封裝結構制作方法具體實現過程示意圖一。具體實施例方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例 的附圖，對本專利技術實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發 明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本專利技術的實施例，本領域普通技術 人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。除非另作定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本專利技術所屬領域內具有 一般技能的人士所理解的通常意義。本專利技術專利申請說明書以及權利要求書中使用的“第 一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的 組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。 “連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的 連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被 描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也相應地改變。本專利技術實施例提供了一種LED芯片封裝結構，如附圖1所示，具體可以包括LED 芯片單元1，以及導電單元2;其中，LED芯片單元1中形成有第一電極11、氮化鎵層12以及第二電極13，且所述氮化 鎵層12形成于在所述第一電極11和第二電極13之間，所述第一電極11形成于所述氮化 鎵層12之上； 所述導電單元2包括形成于所述第一電極11側邊，與所述第一電極電連接的第一導電層21 ；形成于所述第二電極13側邊，與所述第二電極本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種LED芯片封裝結構，其特征在于，包括：LED芯片單元，以及導電單元；其中，所述LED芯片單元中，形成有第一電極、氮化鎵層以及第二電極，且所述氮化鎵層形成于在所述第一電極和第二電極之間，所述第一電極形成于所述氮化鎵層之上；所述導電單元包括：形成于所述第一電極側邊，與所述第一電極電連接的第一導電層；形成于所述第二電極側邊，與所述第二電極電連接的第二導電層；形成于所述氮化鎵層側邊的中間隔離層，所述中間隔離層位于所述第一導電層和第二導電層之間。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭衛新，馬國恒，楊東升，喬中蓮，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方茶谷電子有限公司，
類型：發明
國別省市：