用于寬帶匹配的設(shè)備制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種設(shè)備。所述設(shè)備包括襯底和電路跡線。所述襯底包含：適于接納離散組件的區(qū)；金屬層；電介質(zhì)層，其形成于所述金屬層上方；窗，其形成在下伏于所述區(qū)之下的所述金屬層中；以及導(dǎo)電條帶，其延伸穿過所述窗。所述電路跡線形成于所述電介質(zhì)層上且跨越所述區(qū)是不連續(xù)的。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
用于寬帶匹配的設(shè)備
本專利技術(shù)大體上涉及印刷電路板(PCB)，且更特定來說涉及具有寬帶匹配結(jié)構(gòu)的PCB。
技術(shù)介紹
對于在高頻(即，約25GHz)下操作的PCB，常常采用阻塞電容器。這些離散電容器通常放置于信號流路徑中以阻擋不希望的直流(DC)信號。雖然這些離散電容器(或其它離散組件，例如電阻器)可能(且通常的確)由于相對小的值而表示小的阻抗不連續(xù)性(即，1μF在1GHz下表示0.2mΩ)，但是離散組件在物理上比其耦合到的跡線或傳輸線大得多，這個物理大小可造成傳輸線或跡線中的電容不連續(xù)性，這可限制頻率性能。對此電容不連續(xù)性的常規(guī)解決方案的一個實例是對PCB內(nèi)的接地平面做出調(diào)整，如圖1和2中所示。在此實例中，離散組件106(可例如為電容器)耦合到形成于PCB102上的跡線108。在PCB102內(nèi)，存在形成接地平面104的金屬層。在下伏于離散組件106下的區(qū)中，存在形成于金屬層104中的窗110。金屬層104中的孔或窗110減少了通過跡線108與接地的耦合，且增加了用于接地返回電流的到接地的電感。這具有的總體影響是升高了不連續(xù)性的阻抗以便實現(xiàn)較好的匹配。然而，此常規(guī)解決方案存在缺點。即，存在一個頻率限制，此解決方案在所述頻率限制下才將起作用。因此，需要一種允許在較高頻率范圍下的匹配的設(shè)備。常規(guī)解決方案的一些實例是：第6,992,374號美國專利，第7,623,353號美國專利，和第2006/0044734號美國專利核準(zhǔn)前公開案。
技術(shù)實現(xiàn)思路
因此，本專利技術(shù)的優(yōu)選實施例提供一種設(shè)備。所述設(shè)備包括襯底，所述襯底具有：適于接納離散組件的區(qū)；金屬層；電介質(zhì)層，其形成于所述金屬層上方；形成在下伏于所述區(qū)之下的所述金屬層中的窗；導(dǎo)電條帶，其延伸穿過所述窗；以及電路跡線，其形成于所述電介質(zhì)層上且跨越所述區(qū)是不連續(xù)的。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述襯底進(jìn)一步包括電路板。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述電介質(zhì)層進(jìn)一步包括第一電介質(zhì)層，且其中所述金屬層形成于第二電介質(zhì)層上方。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述金屬層由鋁或銅形成。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述電路跡線為約100μm且具有約50Ω的阻抗。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述窗具有大于500μm的寬度。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，提供一種設(shè)備。所述設(shè)備包括印刷電路板(PCB)，所述PCB具有：第一電介質(zhì)層；金屬層，其形成于所述第一電介質(zhì)層上方；第二電介質(zhì)層，其形成于所述金屬層上方；窗，其形成于所述金屬層中；導(dǎo)電條帶，其延伸穿過所述窗；電路跡線的第一部分，其形成于所述第二電介質(zhì)層上；以及所述電路跡線的第二部分，其形成于所述第二電介質(zhì)層上，其中所述電路跡線的所述第一和第二部分在與所述窗大體上對準(zhǔn)的區(qū)中彼此分離；離散組件，其在大體上平行于所述導(dǎo)電條帶的路徑內(nèi)緊固到所述電路跡線的所述第一和第二部分。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述離散組件是電阻器或電容器。上述內(nèi)容已相當(dāng)廣義地概述了本專利技術(shù)的特征和技術(shù)優(yōu)點，以便可更好地理解隨后的本專利技術(shù)的詳細(xì)描述。下文中將描述本專利技術(shù)的額外特征和優(yōu)點，其形成本專利技術(shù)的權(quán)利要求書的標(biāo)的。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，所揭示的概念和具體實施例可容易用作用于修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)以實行本專利技術(shù)的相同目的的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識到，這些等效構(gòu)造不脫離所附權(quán)利要求書中陳述的本專利技術(shù)的精神和范圍。附圖說明為了更完整理解本專利技術(shù)及其優(yōu)點，現(xiàn)在參考以下結(jié)合附圖所做的描述，附圖中：圖1是具有常規(guī)寬帶匹配結(jié)構(gòu)的PCB的實例的圖；圖2是圖1的PCB沿著截面線I-I的橫截面圖；圖3是根據(jù)本專利技術(shù)實施例的具有寬帶匹配結(jié)構(gòu)的PCB的實例的圖；圖4是圖3的PCB沿著截面線II-II的橫截面圖；圖5是圖3的PCB沿著截面線III-III的橫截面圖；以及圖6是具有彼此接近的多個寬帶匹配結(jié)構(gòu)的PCB的實例的圖。具體實施方式現(xiàn)在參見附圖，其中為了清楚起見，所描繪的元件不一定按比例繪制，且其中在全部幾幅圖中相同或相似的元件由相同參考標(biāo)號指定。轉(zhuǎn)到圖3到5，可看見根據(jù)本專利技術(shù)的實施例的具有寬帶匹配結(jié)構(gòu)的PCB202的實例。如圖示，PCB202大體上包括若干層，且在電介質(zhì)層之間夾有金屬層204(可由例如鋁或銅形成)。還可存在若干額外的電介質(zhì)層和金屬層。電路跡線208(其可例如為約100μm寬且具有約50Ω的標(biāo)稱阻抗，或可針對單端式具有30Ω與70Ω之間的阻抗以及針對差動式具有60Ω與140Ω之間的阻抗)形成于PCB202上。電路跡線208具有兩個部分，所述兩個部分延伸到適于接納離散組件206(其可例如為離散電阻器或離散電容器，且可例如具有約500μm的寬度)的區(qū)。電路跡線208(其可例如具有約50μm的寬度，但通常隨著金屬層204與跡線208之間的電介質(zhì)層的厚度而變)在此區(qū)中是不連續(xù)的，且離散組件208耦合于其間。在金屬層204中，窗或孔210(其可例如具有大于500μm的寬度且通常為約1.5mm乘約1.5mm)形成于其中，使得窗210下伏于適于接納離散組件206的區(qū)之下或與所述區(qū)大體上對準(zhǔn)。另外，條帶212(其可為金屬層204的部分)延伸穿過窗210。這些窗210和條帶212也應(yīng)當(dāng)被包含在PCB202內(nèi)的任何其它平面(金屬)層中。通過條帶212可實現(xiàn)若干優(yōu)點。此條帶212為接地平面(由金屬層204形成)內(nèi)的電流提供較直接的返回路徑，且因為條帶212具有窄寬度，所以增加了少量電容，同時到接地的電感增加。條帶212的形狀也可變化(即，曲線的)以使電感增加到所需水平而不顯著影響電流流動。由于采用此條帶212，因此與圖1和2的PCB的20dB到30GHz以及12dB到40GHz相比，得到的阻抗匹配是20dB到50GHz且好于12dB直到100GHz。通過圖1和2的系統(tǒng)，使若干跡線(即，108)定位于彼此附近可能存在問題，因為窗(即，110)將由于接地平面104中的大的不連續(xù)性而干擾接地平面104。通過使用條帶212-1和212-2(如圖6所示)，可避免所述問題。因為用于兩條鄰近跡線208-1和208-2的這些條帶212-1和212-2(在此實例中描繪)為接地平面204提供電流路徑，所以接地平面204將大體上正常地起作用(即，不受干擾)。這允許了比圖1和2所示的常規(guī)系統(tǒng)原本可實現(xiàn)的密度高得多的密度。在參考本專利技術(shù)的某些優(yōu)選實施例如此描述本專利技術(shù)之后，應(yīng)注意，所揭示的實施例本質(zhì)上是說明性的而不是限制性的，且在上述揭示內(nèi)容中預(yù)期廣泛多種變化、修改、改變以及替換，且在一些實例中，可在沒有其它特征的對應(yīng)使用的情況下采用本專利技術(shù)的某些特征。因此，廣義地且以與本專利技術(shù)范圍一致的方式來解釋所附權(quán)利要求書是適當(dāng)?shù)摹１疚臋n來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種設(shè)備，其包括：襯底，其具有：適于接納離散組件的區(qū)；金屬層；電介質(zhì)層，其形成于所述金屬層上方；窗，其形成在下伏于所述區(qū)之下的所述金屬層中；以及導(dǎo)電條帶，其延伸穿過所述窗；以及電路跡線，其形成于所述電介質(zhì)層上且跨越所述區(qū)是不連續(xù)的。

【技術(shù)特征摘要】
2011.09.08 US 13/228,1581.一種用于寬帶匹配的設(shè)備，其包括：襯底，其具有：適于接納離散組件的區(qū)；金屬層；電介質(zhì)層，其形成于所述金屬層上方；窗，其形成在下伏于所述區(qū)之下的所述金屬層中；以及導(dǎo)電條帶，其延伸穿過所述窗；以及電路跡線，其形成于所述電介質(zhì)層上，且跨越所述區(qū)的所述電路跡線是不連續(xù)的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述襯底進(jìn)一步包括電路板。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述襯底進(jìn)一步包括第一電介質(zhì)層，且其中所述金屬層形成于所述第一電介質(zhì)層上方。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述金屬層由鋁或銅形成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述電路跡線為約100μm寬且具有約50Ω的阻抗。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述窗具有大于500μm的寬度。7...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：格雷戈里·E·霍華德，莫德斯托·加西亞，
申請(專利權(quán))人：德州儀器公司，
類型：發(fā)明
國別省市：