一種像素電路及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術實施例提供一種像素電路及顯示裝置，涉及顯示技術領域，可以有效地補償TFT的閾值電壓漂移，提高顯示裝置發光亮度的均勻性，提升顯示效果。包括：第一晶體管、第二晶體管、存儲電容以及用于驅動發光器件的第三晶體管；第一晶體管的柵極連接掃描線，其第一極連接第三晶體管的柵極，其第二極連接控制電源線；第二晶體管的柵極連接掃描線，其第一極連接數據線，其第二極連接發光器件的一端；第三晶體管的第一極連接控制電源線，其第二極連接發光器件的一端；存儲電容的一端連接第一電源電壓，其另一端連接第三晶體管的柵極；發光器件的另一端連接第二電源電壓。本實用新型專利技術實施例用于制造顯示面板。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及顯示
，尤其涉及一種像素電路及顯示裝置。
技術介紹
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)作為一種電流型發光器件，因其所具有的自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。OLED按驅動方式可分為PMOLED (Passive Matrix Driving0LED，無源矩陣驅動有機發光二極管)和AMOLED (Active Matrix Driving 0LED，有源矩陣·驅動有機發光二極管)兩種。傳統的PMOLED隨著顯示裝置尺寸的增大，通常需要降低單個像素的驅動時間，因而需要增大瞬態電流，從而導致功耗的大幅上升。而在AMOLED技術中，每個OLED均通過TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)開關電路逐行掃描輸入電流，可以很好地解決這些問題。在現有的AMOLED面板中，TFT開關電路多采用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)或氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)。與一般的非晶硅薄膜晶體管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的遷移率和更穩定的特性，更適合應用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝和制作水平的限制，導致在大面積玻璃基板上制作的TFT開關電路常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學參數上出現非均勻性，從而使得各個TFT的閾值電壓偏移不一致，這將導致OLED顯示器件的電流差異和亮度差異，并被人眼所感知；另外，在長時間加壓和高溫下也會導致TFT的閾值電壓出現漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分TFT的閾值漂移量不同，從而造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關，因此常呈現為殘影現象。
技術實現思路
本技術的實施例提供一種像素電路及顯示裝置，可以有效地補償TFT的閾值電壓漂移，提高顯示裝置發光亮度的均勻性，提升顯示效果。為達到上述目的，本技術的實施例采用如下技術方案本技術實施例的一方面，提供一種像素電路，包括第一晶體管、第二晶體管、存儲電容以及用于驅動發光器件的第三晶體管；所述第一晶體管的柵極連接掃描線，其第一極連接所述第三晶體管的柵極，其第二極連接控制電源線；所述第二晶體管的柵極連接所述掃描線，其第一極連接數據線，其第二極連接所述發光器件的一端；所述第三晶體管的第一極連接所述控制電源線，其第二極連接所述發光器件的一端;所述存儲電容的一端連接第一電源電壓，其另一端連接所述第三晶體管的柵極；所述發光器件的另一端連接第二電源電壓。進一步地,還包括第四晶體管；所述第四晶體管的柵極連接控制線，其第一極連接所述第一電源電壓，其第二極連接所述控制電源線。所述第四晶體管為N型晶體管或P型晶體管；所述第四晶體管的第一極為源極，其第二極為漏極。所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管均為N型晶體管；或，所述第一晶體管和所述第二晶體管為P型晶體管，所述第三晶體管為N型晶體管；所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的第一極均為源極，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的第二極均為漏極。所述發光器件為有機發光二級管。本技術實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的像素電路。本技術實施例提供的像素電路及顯示裝置，通過多個晶體管和電容對電路進行開關和充放電控制，可以使得存儲電容保持第三晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過第三晶體管的電流與該第三晶體管的閾值電壓無關，補償了由于第三晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過發光器件的電流差異，提高了顯示裝置發光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。此外，由于這樣一種結構的像素電路結構簡單，晶體管的數量較少，從而可以減少覆蓋晶體管的遮光區域的面積，有效增大顯示裝置的開口率。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術實施例提供的一種像素電路的連接結構示意圖；圖2為驅動圖1所示像素電路的各信號線的時序圖；圖3為本技術實施例提供的另一像素電路的連接結構示意圖；圖4為驅動圖3所示像素電路的各信號線的時序圖；圖5為圖3所示像素電路在預充階段的等效電路示意圖；圖6為圖3所示像素電路在補償階段的等效電路示意圖；圖7為圖3所示像素電路在發光階段的等效電路示意圖；圖8為本技術實施例提供的一種像素電路驅動方法的流程示意圖。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。本技術實施例提供的像素電路1，如圖1所示，包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、存儲電容C以及用于驅動發光器件L的第三晶體管T3。第一晶體管Tl的柵極連接掃描線SCAN，其第一極連接第三晶體管T3的柵極，其第二極連接控制電源線EMVdd。第二晶體管T2的柵極連接掃描線SCAN，其第一極連接數據線DATA，其第二極連接發光器件L的一端。第三晶體管T3的第一極連接控制電源線EMVdd，其第二極連接發光器件L的一端。存儲電容C的一端連接第一電源電壓(Vdd)，其另一端連接第三晶體管T3的柵極。發光器件L的另一端連接第二電源電壓(Vss)。需要說明的是，本技術實施例中的發光器件L可以是現有技術中包括LED (Light Emitting Diode,發光二極管)或 OLED (Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)在內的多種電流驅動發光器件。在本技術實施例中，是以OLED為例進行的說明。本技術實施例提供的像素電路，通過多個晶體管和電容對電路進行開關和充放電控制，可以使得存儲電容保持第三晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過第三晶體管的電流與該第三晶體管的閾值電壓無關，補償了由于第三晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過發光器件的電流差異，提高了顯示裝置發光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。此外，由于這樣一種結構的像素電路結構簡單，晶體管的數量較少，從而可以減少覆蓋晶體管的遮光區域的面積，有效增大顯示裝置的開口率。其中，第一晶體管Tl、第二晶體管T2和第三晶體管T3均可以為N型晶體管；或者第一晶體管Tl和第二晶體管T2可以為P型晶體管，第三晶體管T3可以為N型晶體管。以第一晶體管Tl、是以第二晶體管T2和第三晶體管T3均為N型晶體管為例，在圖1所示的像素電路的工作時，其工作過程具體可以分為三個階段，分別為預充階段、補償階段和發光階段。圖2是圖1所示像素電路工作過程中各信號線的時序圖。如圖2所示，在圖中分別用1、II和III來相應地表示預充階段、補償階段和發光階段。在預充階段中，控制電源線EMVdd、掃描線SCAN、第二電源電壓本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、存儲電容以及用于驅動發光器件的第三晶體管；所述第一晶體管的柵極連接掃描線，其第一極連接所述第三晶體管的柵極，其第二極連接控制電源線；所述第二晶體管的柵極連接所述掃描線，其第一極連接數據線，其第二極連接所述發光器件的一端；所述第三晶體管的第一極連接所述控制電源線，其第二極連接所述發光器件的一端；所述存儲電容的一端連接第一電源電壓，其另一端連接所述第三晶體管的柵極；所述發光器件的另一端連接第二電源電壓。

【技術特征摘要】
1.一種像素電路，其特征在于，包括第一晶體管、第二晶體管、存儲電容以及用于驅動發光器件的第三晶體管；所述第一晶體管的柵極連接掃描線，其第一極連接所述第三晶體管的柵極，其第二極連接控制電源線；所述第二晶體管的柵極連接所述掃描線，其第一極連接數據線，其第二極連接所述發光器件的一端；所述第三晶體管的第一極連接所述控制電源線，其第二極連接所述發光器件的一端； 所述存儲電容的一端連接第一電源電壓，其另一端連接所述第三晶體管的柵極；所述發光器件的另一端連接第二電源電壓。2.根據權利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括第四晶體管；所述第四晶體管的柵極連接控制線，其第一極連接所述第一電源電壓，其第二極連接所述控制...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宋丹娜，吳仲遠，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：