一種像素電路及顯示裝置制造方法及圖紙

本實(shí)用新型專利技術(shù)實(shí)施例提供一種像素電路及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以有效地補(bǔ)償TFT的閾值電壓漂移，提高顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，提升顯示效果。包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件，本實(shí)用新型專利技術(shù)實(shí)施例用于制造顯示面板。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及顯示
，尤其涉及一種像素電路及顯示裝置。
技術(shù)介紹
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。OLED按驅(qū)動(dòng)方式可分為PMOLED (Passive Matrix Driving0LED，無源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)和AMOLED (Active Matrix DrivingOLED，有源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)兩種。傳統(tǒng)的PMOLED隨著顯示裝置尺寸的增大，通常需要降低單個(gè)像·素的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，因而需要增大瞬態(tài)電流，從而導(dǎo)致功耗的大幅上升。而在AMOLED技術(shù)中，每個(gè)OLED均通過TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)開關(guān)電路逐行掃描輸入電流,可以很好地解決這些問題。在現(xiàn)有的AMOLED面板中，TFT開關(guān)電路多采用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)或氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)。與一般的非晶硅薄膜晶體管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝和制作水平的限制，導(dǎo)致在大面積玻璃基板上制作的TFT開關(guān)電路常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上出現(xiàn)非均勻性，從而使得各個(gè)TFT的閾值電壓偏移不一致，這將導(dǎo)致OLED顯示器件的電流差異和亮度差異，并被人眼所感知；另外，在長(zhǎng)時(shí)間加壓和高溫下也會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓出現(xiàn)漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分TFT的閾值漂移量不同，從而造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的實(shí)施例提供一種像素電路及顯示裝置，可以有效地補(bǔ)償TFT的閾值電壓漂移，提高顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，提升顯示效果。為達(dá)到上述目的，本技術(shù)的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本技術(shù)實(shí)施例的一方面，提供一種像素電路，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件；所述第一晶體管的第一極連接所述發(fā)光器件的一端，其第二極連接第一電源電壓；所述第二晶體管的柵極連接第一控制線，其第一極連接重置電壓，其第二極連接所述第一晶體管的柵極；所述第三晶體管的柵極連接第二控制線，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其第二極連接所述第一晶體管的柵極；所述第四晶體管的柵極連接所述第一控制線，其第一極連接數(shù)據(jù)線；所述第五晶體管的柵極連接第三控制線，其第一極連接所述第一晶體管的第一極，其第二極連接所述重置電壓；所述存儲(chǔ)電容位于所述第一晶體管的第一極與所述第三晶體管的第一極之間；所述發(fā)光器件的另一端連接第二電源電壓。其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管均為N型晶體管；或，所述第一晶體管為N型晶體管，所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管均為P型晶體管；所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管的第一極均為源極，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的第二極均為漏極。進(jìn)一步地，所述重置電壓小于所述發(fā)光器件最低灰階的驅(qū)動(dòng)電壓。所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。本技術(shù)實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的像素電路。本技術(shù)實(shí)施例提供的像素電路及顯示裝置，通過多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。附圖說明為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術(shù)實(shí)施例提供的一種像素電路的連接結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為驅(qū)動(dòng)圖1所示像素電路時(shí)各信號(hào)線的時(shí)序圖；圖3為圖1所示像素電路在預(yù)充階段的等效電路示意圖；圖4為圖1所示像素電路在補(bǔ)償階段的等效電路示意圖；圖5為圖1所示像素電路在發(fā)光階段的等效電路示意圖；圖6為本技術(shù)實(shí)施例提供的一種像素電路驅(qū)動(dòng)方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒炯夹g(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。本技術(shù)實(shí)施例提供的像素電路1，如圖1所示，包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、存儲(chǔ)電容C以及發(fā)光器件L。第一晶體管Tl的第一極連接發(fā)光器件L的一端，其第二極連接第一電源電壓(Vdd)。第二晶體管T2的柵極連接第一控制線G1，其第一極連接重置電壓，其第二極連接第一晶體管Tl的柵極。第三晶體管T3的柵極連接第二控制線G2，其第一極連接第四晶體管T4的第二極，其第二極連接第一晶體管Tl的柵極。第四晶體管T4的柵極連接第一控制線Gl，其第一極連接數(shù)據(jù)線DATA。第五晶體管T5的柵極連接第三控制線G3，其第一極連接第一晶體管Tl的第一極，其第二極連接重置電壓。存儲(chǔ)電容C位于第一晶體管Tl的第一極與第三晶體管T3的第一極之間。發(fā)光器件L的另一端連接第二電源電壓(Vss)。需要說明的是，本技術(shù)實(shí)施例中的發(fā)光器件L可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)或 OLED (OrganicLight Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)在內(nèi)的多種電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件。在本技術(shù)實(shí)施例中，是以O(shè)LED為例進(jìn)行的說明。本技術(shù)實(shí)施例提供的像素電路，通過多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。其中，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均可以為N型晶體管；或者第一晶體管Tl為N型晶體管，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均為P型晶體管。當(dāng)采用不同類型的晶體管時(shí)，像素電路的外部控制信號(hào)也各不相同。例如，以N型晶體管為例，在本技術(shù)實(shí)施例所提供的像素電路中，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均可以為N型增強(qiáng)型TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)或N型耗盡型TFT。其中，第一晶體管Tl、第二晶體本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件；所述第一晶體管的第一極連接所述發(fā)光器件的一端，其第二極連接第一電源電壓；所述第二晶體管的柵極連接第一控制線，其第一極連接重置電壓，其第二極連接所述第一晶體管的柵極；所述第三晶體管的柵極連接第二控制線，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其第二極連接所述第一晶體管的柵極；所述第四晶體管的柵極連接所述第一控制線，其第一極連接數(shù)據(jù)線；所述第五晶體管的柵極連接第三控制線，其第一極連接所述第一晶體管的第一極，其第二極連接所述重置電壓；所述存儲(chǔ)電容位于所述第一晶體管的第一極與所述第三晶體管的第一極之間；所述發(fā)光器件的另一端連接第二電源電壓。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種像素電路，其特征在于，包括 第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件； 所述第一晶體管的第一極連接所述發(fā)光器件的一端，其第二極連接第一電源電壓；所述第二晶體管的柵極連接第一控制線，其第一極連接重置電壓，其第二極連接所述第一晶體管的柵極； 所述第三晶體管的柵極連接第二控制線，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其第二極連接所述第一晶體管的柵極； 所述第四晶體管的柵極連接所述第一控制線，其第一極連接數(shù)據(jù)線； 所述第五晶體管的柵極連接第三控制線，其第一極連接所述第一晶體管的第一極，其第二極連接所述重置電壓； 所述存儲(chǔ)電容位于所述第一晶體管的第一極與所述第三晶體管的第一極之間； 所述發(fā)光器件的另一端連接第二電源...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蓋翠麗，吳仲遠(yuǎn)，段立業(yè)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：